Тиристорный генератор

 

Изобретение относится к импульсной технике и обеспечивает расширение диапазона генерируемых частот. Генератор содержит полупроводниковый элемент из слоев 1-4 с чередующимся типом проводимости, накопительный элемент 8 в виде индуктивности , резисторы 9 и 10. Через оммические контакты I4 к средним участкам 5 и I3 слоев 4 и 1 подается питание от источника 6 напряжения питания , а к крайним участкам П и 12 слоя 4 - от источника 7 тока. С помощью источника 6 потенциальный барьер обедненного слоя, возникающего между слоями I и 2, смещают в обратном направлении. При этом ток в выходной цепи, подключенной к резистору 10, не течет. При включении источника 7 вдоль слоя 2 потечет ток I, который течет и в нагрузку. Часть тока I источника 7 ответвляется в накопительный элемент 8. При определенной величине тока I среднем участке 5 слоя 4 происходит смыка- . ние обедненных слоев между ним и крайними участками II и 12. Ток 1| увеличивается, а ток 1 уменьшается. При 1 1„а происходит размыкание обедненных слоев участков 5, 11 и 12 слоя 4 и ток Ij начинает уменьшаться . При этом ток I, возрастает. 1 ил. (Л tc СО о 11 со СП

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

151) 4 Н 03 К 3/35

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3718645/24-09 (22) 20.03.84 (46) 15.02.87. Бюл. ¹ 6 (71) Вильнюсский государственный университет им, В.Капсукаса (72) Ч.И.Павасарис (53) 621 ° 374.33(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 907779, кл. Н 03 К 4/58, 1980.

Заявка Японии № 55-12772, кл. Н 03 К 3/35, 1980. (54) ТИРИСТОРНЫЙ ГЕНЕРАТОР (57) Изобретение относится к импульсной технике и обеспечивает расширение диапазона генерируемых частот.

Генератор содержит полупроводниковый элемент из слоев 1-4 с чередующимся типом проводимости, накопительный элемент 8 в виде индуктивности, резисторы 9 и 10. Через оммические контакты l4 к средним участкам

5 и 13 слоев 4 и 1 подается пита„„SU„„1290495 А1 ние от источника 6 напряжения питания, а к крайним участкам 11 и 12 слоя 4 — от источника 7 тока. С помощью источника 6 потенциальный барьер обедненного слоя, возникающего между слоями 1 и 2, смещают в обратном направлении. При этом ток в выходной цепи, подключенной к резистору l0, не течет. При включении источника 7 вдоль слоя 2 потечет ток

I, который течет и в нагрузку. Часть

1Э тока Т источника 7 ответвляется в 2 накопительный элемент 8. При определенной величине тока I äв среднем участке 5 слоя .4 происходит смыкание обедненных слоев между ним и крайними участками 11 и 12. Ток Т увеличивается, а ток I, уменьшается.

При 1 =Е „ происходит размыкание макР обедненных слоев участков 5, 11 и

12 слоя 4 и ток I начинает умень9 шаться. При этом ток Е, возрастает.

1 ил.

1 129

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в различной измерительной аппа. ратуре и системах связи.

Цель изобретения — расширение диапазона генерируемых частот.

На чертеже представлен тиристорный генератор.

Генератор. содержит полупроводниковый элемент, выполненный в виде первого, второго, третьего и четвертого слоев 1-4 с чередующимся типом проводимости, к среднему участку 5 четвертого слоя 4 и к среднему участку 13 первого слоя 1 подключен первый источник 6 напряжения питания, второй источник 7 питания, выполненный в виде источника тока, накопительный элемент 8, выполненный . в виде индуктивности, первый и второй резисторы 9 и 10, крайние участки 11 и 12 четвертого слоя 4.Для подключения к полупроводниковому элементу внешних цепей, которые . включают первый и второй источники

6 и 7, накопительный элемент 8, первый и второй резисторы 9 и 10, на внешних поверхностях средних участков 5 и 13 первого и четвертого слоев 1 и 4, на внешних поверхностях крайних участков 11 и 12 четвертого слоя 4 и на внешних сторонах второго слоя с одной и другой его сторон выполнены оммические контакты 14

Толщина второго слоя 2 и ширина среднего участка 5 четвертого слоя 4 выбраны меньшими, а толщина третьего слоя 3 выбрана большей удвоенной толщины обедненного слоя между слоями разного типа проводимости.

Тнристорный генератор работает следующим образом.

Включают первый источник б и потенциальный барьер обедненного слоя, возникающего между первым и вторым слоями 1 и 2 (или между вторым и третьим слоями 2 и 3), смещают в .обратном направлении. При этом ток в выходной цепи, подключенной к второму резистору 10, не течет.

При включении второго источника

7, который обеспечивает величину тока I вдоль второго слоя течет ток I,. При величине тока I равном I, (или больше), во втором слое

2 происходит смыкание обедненных слоев, образованных между - вторым слоем 2, первым слоем 1 и третьим слоем 3. При этом первый слой 1 и

0495 2 средний участок 5 четвертого слоя 4 смыкаются накоротко и по внешней це- пи, включающей второй резистор 10 и первый источник 6, течет выходной ток Х,„. При величине I, равной еих еих

I (илн больше), в среднем участке

5 четвертого слоя 4 происходит смыкание обедненных слоев между этим участком и крайними участками 11 и

l2. При этом крайние участки 11 и

12 оказываются накоротко замкнутыми и часть тока I от второго источниЯ ка 7 ответвляется в цепь, включающую накопительный элемент 8 и первый резистор 9. Ток Т увеличивается до тех пор, пока не достигнет максимального значения I . При увелимаьс чении тока Х уменьшается ток I, и в момент, когда Х =I, ток I ;-I

При I«,меньшем тока I „ происходит размыкание обедненных слоев во втором слое 2 и ток в выходной цепи прекращается, поскольку I уменььых шается до нуля. При этом происходит размыкание обедненных слоев в среднем участке 5 четвертого слоя 4 и ток Х начинает уменьшаться, а ток — увеличиваться. Как только ток

I, =I, процесс повторяется сначала, Формулаизобретения

Тиристорный генератор, содержащий полупроводниковый элемент, выполненный в виде первого, второго, третьего и четвертого слоев с чередующимся типом проводимости, к средним участкам внешних поверхностей первого и четвертого слоев которого подключен первый источник напряжения питания, второй источник питания, накопительный элемент, первый вывод которого подключен к второму слою с одной его стороны, и первый и второй резисторы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона генерируемых частот, средний участок четвертого слоя выполнен с противоположным типом проводимости, идентичным типу проводимости третьего слоя, накопительный элемент выполнен в виде индуктивностн и вторым выводом соединен с одним выводом пер- вого резистора, второй вывод которого подсоединен к одному из крайних участков четвертого слоя, второй источник питания выполнен в виде источника тока и подключен одним своим электродом к первому выводу на1290495

Составитель Л.Белая

Редактор Т.Парфенова Техред М.Коданич

Корректор М.Демчик

Заказ 7915/56 Тираж 922 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5. Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул, Проектная, 4 копительного элемента, а другим электродом — к второму слою с противоположной стороны и к другому крайнему участку четвертого слоя, а первый источник напряжения питания подсоединен к первому слою через второй резистор, при этом толщина второго слоя и среднего участка четвертого слоя выбраны меньшими, а толщина третьего слоя выбрана большей удвоенной толщины обедненного слоя между слоями разного типа проводимости.