Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов

 

Изобретение относится к способам к онтроля качества наклеивания тензорезисторов и является усовершенствованием изобретения по.авт. св. № 724919. Целью дополнительного изобретения является повышение точности контроля качества наклеивания за счет исключения влияния окружающих условий при одновременном упрощении процесса контроля и сокращений его продолжительности. Для этого длительность тестового импульса тока определяют по формуле 1 кА-J KA fw/

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) 4 С 01 В 7/18 с с

i,р

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOlVlY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 724919 (21) 3912918/25-28 (22) 19.06.85 (46) 28.02.87. Бюл. у 8 (72) Г.П.Корешев, Б.В.Сударев и А.И.Микеничев (53) 531.781.2(088.8) (56) Дульнев Г.Н., Семяшкин Э.М.

Теплообмен в РЭА. — Л.: Энергия, 1984, с. 55.

Исаченко В.П. и др. Теплопередача. — M.-Л.: Энергия, 1965, с. 31;

Лыков Л.В. Теория теплопроводности. — М.: Высшая школа, 1967, с. 149591

Попов В.М. Теплообмен в зоне контакта разъемных и неразъемных соединений. — М.: Энергия, 1971,разд.5.5.

Авторское свидетельство СССР

У 724919, кл. С 01 В 7/18, 1978. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА НАКЛЕИВАНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к способам контроля качества наклеивания тензорезисторов H является усовершенствованием изобретейия по.авт. св. У 724919. Целью дополнительного изобретения является повышение точности контроля качества наклеивания эа счет исключения влияния окружающих условий при одновременном упрощении процесса контроля и сокращении его продолжительности. Для этого длительность тестового импульса тока ю2 определяют по формуле, = ю,,С „„ gö,/

/4 h (0,415-0,2591п9) ., где 8„„ - толщина слоя клея; С„„ — удельная теплоемкость клея; р„„ -, плотность клея;

)э — эквивалентный коэффициент теплопроводности участка тензорезистор— объект; 8 — коэффициент, выбираемый исходя из допустимой степени отклоне1 ния процесса нагрева системы тензореэистор — клей — поверхность объекта от адиабатического. Длительность импульса выбрана из условия, что тепловой поток только успевает подойти к поверхности объекта, но не успевает распространиться в нем. При этом условии контролируемое тестовое при:ращение электрического сопротивления тензорезистора в момент окончаI ния действия тестового импульса однозначно характеризует качество наО клеивания, - 1293475

4 Я (0,415-0,2591п 8)2 р

Kn Kh Укк где 8„„ — толщина слоя клея;

4 Зп (О, 415-0, 2591ne)

С вЂ” удельная теплоемкость клея, Щ як„— плотность кг1ея. где 3 „„- толщина слоя клея;

Эквивалентный коэффициент тепло" C — удельная теплоемкость клея, проводности и участка тензорезис- у — плотность клея, тор — объект определяют по формуле Э вЂ” эквивалентный коэффициент а теплопроводности участка 9КЛ . 45

3 д Eê

f тензорезистор — объект

К + — -+R кл t-Of

8 — коэффициент выбираемый ис9 ходя из допустимой степени где К и R — тепловые сопро- отклонения процесса нагрева

t Tp-к t к-08 тивления зон кон- системы тензорезистор— такта между тен- клей — поверхность объекта зорезистором и от адиабатического; клеем и соответ- определяют и сравнивают приращения ственно между сопротивлений контролируемого и каклеем и объектом, либровочного тензорезисторов только п,и- коэффициент тепло- 55 в момент окончания тестового импульпроводности клея. са тока.

ВНИИПИ Заказ 370/41 Тираж 678 Подписное . в .й7рт

Изобретение относится к измерительной технике и является усовершенствованием известного способа, описанного в авт.св. N - 724919.

Цель изобретения — повьппение точности контроля качества наклеивания за счет устранения влияния .окружающих условий при одновременном упрощении и сокращении продолжительности контроля.

Ю

Устранение влияния окружающих условий достигается определением длительности тестового импульса тока, исходя из условия, что система тензорезистор — клеи — объект находится

15 в режиме адиабатического нагрева, т.е. теплота, выделяемая в тензорезисторе при пропускании через него тестового импульса, расходуется только на нагрев тенэорезистора и слоя клея, и тепловой поток за время действия импульса только успевает подойти к поверхности объекта, но не успевает распространиться в нем. При этом условии тестовое приращение электрического сопротивления тензорезистора в момент окончания тестового импульса полностью и однозначно характеризует качество наклеивания.

Способ осуществляют следующим образом.

Мыбирают длительность тестового импульса тока из соотношения

Kh PKh

Коэффициент Д, определяющий степень отклонения процесса нагрева системы тензорезистор — клей — поверхность объекта от адиабатического выбирают не более 5Х. Коэффициент 9 характеризует относительный перегрев

pt на границе клей — объект по срав.

Х нению с перегревом тензочувствительного элемента тензорезистора dt

ЬЕМ

8 — —pt

Выбирают амплитуду тестового импульса тока из условия получения желаемого тестового перегрева тензорезистора, при котором сохраняется работоспособность тензорезистора.

Пропускают тестовый импульс тока через контролируемый тензорезистор и через калибровочный тензорезистор, сравнивают их приращения электрического сопротивления в момент окончания тестового импульса. По результату сравнения судят о качестве наклеивания контролируемого тензорезистора.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Способ контроля качества наклеивания тензорезисторов по авт.св.

Ф 724919, отличающийся тем, что, с целью повьппения точности контроля за счет устранения влияния окружающих условий при одновременном упрощении и сокращении продолжительности, длительность тестового импульса тока выбирают из соотношения