Способ исследования диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков

 

Класс 2/e, 29, СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подпиана» гоупни .М 9л

А А Филимонов

СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

НЕОДНОРОДНОСТИ СЕГНЕТОДИЭЛЕКТРИКОВ лаивл< ио 10 марта !96Н г. ва Л ббвно() об в Комитет во делам ивобретеник открытий нри (.ивето .Чиниетров СССР ()нмбликовано и »Бкиа.ieòñне изобретений» X 4 аа I9(1, Известны способы о((ределения диэлектрической неоднородности се нетодиэлектриков, например метод фигур травления. метод порошковы фигур, микроскопическое исследование в поляризованном свете и др. Однако все эти способы довольно сложны и трудоемки.

Предлагаемый способ позволяет значительно упростить исследование диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков. Способ состоит B том, что на исследуемый образец с одной стороны наносят сплошНоН электропроводящий слой, например, распылением металла в вакууме, а с противоположной стороны — суспензпю электролюминофора в прозрачном QH31(. vTpl(K(. Затем к IIQB(р.;ности люминофора плотно пр нжимают стекло с нанесенным на его повер.;ность слоем двуокиси олов», который служит прозрачным электродом. На полученный таким образов( конденсатор подают переменное напряжение с частотой 50 — 10000 гц и слой электролюминофора начинает светиться. При этом яркость свечения каждой точки электрол(оминофора пропорциональна диэлектрической проницаемости соответствующей точки сегнетодиэлектрика. По наблюдению яркости свечения электролюмннофора в различны.(точкак исследуемого образца судят об его диэлектрической неоднородности.

3ля визуального или фотографического исследования кинетики процессов поляризации и г ерсполяризации сегнетодиэлектрика к конденсатору одновременно с переменным прикладывают и постоянное электрическое поле или подают на него прямоугольные импульсы различной амплитуды, длительности и полярности.

П ре;(мет изобретения

1. Способ исследования диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков, отличающийся тем. что. с целью упрощения процесса исследования, на исслсдуемый образец сегнетодиэлектрика с одной стоЛ1) 135962

1 (диктор Н. С. Кутафина 1 с.,1 сд А. А. Кудрявицкая Кор1и ктор Л Комарова формат бум. 70, :108 /, Тираж 1050

ЦБТИ Ilpll Комитете по делам изобретений и открытий ппп Совете Министров СССР

Москва, Центр, И. Черкасский пер., д. 2/6.

Объем 0,17 сл. и, л

Цена 3 коп.!

1одп, к псч. 10.IV-111

Зак. 3254

Типография ЦБТ1! 1 омптета по делам иаобрс товий и открытий при Совете Министров СССР, Москва. Пстровка, 1:1 роны наносят сплошной электронроводящий слой, а с противоположной

cTop0HbI — суспензи10 электролIоминофора В прозрачном диэлектрике, накладывают на электролюмннофор прозрачный электрод, например пленку окиси олова на стекле, подают на образованный таким образом конденсатор псремеш1ос электрическое напряжение для возбуждения электролюминофора и наблюдают (или фотографируют) распредсленн яркости свсчеш1я элсктролюминофора через прозрачный электрод.

2. Прием выполнения способа по п. 1, отличающийся тем, что, L целью исследования процесса поляризации и псреполяризации ссгнстодиэл"KTpHKB, к конденсатору прикладывают постоянное электрическое нолс илн подают на шго нрямоуголниые импульсы тока.

Способ исследования диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков Способ исследования диэлектрической неоднородности сегнетодиэлектриков 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области физики электрического пробоя, может быть использовано для определения тока незаконченного пробоя, потребляемого от генератора высоковольтного импульса при пробое монокристаллических диэлектриков, например, в наносекундной области длительности импульса, и заключается в размещении образца диэлектрика в коаксиальной пробойной ячейке между двумя электродами, образованными путем разрыва центрального проводника коаксиальной пробойной ячейки, причем один из электродов заострен и выполняет функцию катода либо анода в зависимости от полярности подаваемого высоковольтного импульса, подают через заостренный электрод с включенным в разрыв центрального проводника, образующего этот электрод, резистором импульс высокого напряжения Uген

Изобретение относится к технике диагностирования электрооборудования высокого напряжения и предназначено для контроля изоляции высоковольтных вводов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано, в частности для проверки качества нескольких образцов поливинилхлоридной (ПФХ) изоляции электрических проводов и кабелей

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники, в частности к устройствам для диагностики изоляции обмоток электродвигателей

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к устройствам для диагностики изоляции обмоток электродвигателей

Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам диагностики изоляции обмоток электродвигателей

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для испытаний электрической прочности изоляции жидких диэлектрических материалов

Изобретение относится к способу обнаружения аварийных электрических дуг в кабеле, в частности в кабеле бортовой сети воздушного или космического летательного аппарата
Наверх