Способ получения лазерной среды на основе кристаллов al2o 3

 

Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм облучение ведут при плотности потока 1 1018 - 4 1024 нейтрон/см2 и после дезактивации кристалл нагревают до 600 - 830 К с последующим охлаждением.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира и направлено на совершенствование тепловой защиты системы

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира
Наверх