Генератор

 

Изобретение относится к радиотехнике . Цель изобретения - увеличение устойчивости генерации. Генератор содержит цилиндрический резонатор (ЦР) 1, секции 2, кольцевые прокладки (ко) 3, полупроводниковые генераторные диоды 4, элемент связи 5 ЦР 1 с нагрузкой и элемент настройки 6. В генераторе происходит суммирование мощностей диодов 4, размещенных в разных последовательно соединенных секциях 2, за счет выбора длины каждой из секций 2, кратной Л/2, где - длина волны. Цель достигается путем размещения между секциями 2 КП 3, выполненных из поглощающего материала , которые подавляют паразитные типы колебаний в ЦР 1, выполненном на типе волны Нд . Генератор по п.2 ф-лы отличается выбором толщины иКП 3 из условия ,1.1, что позволяет устранить влияние KII 3 на основной тип колебаний. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. S (Л оо со ОО сл If иг

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК,„,SU„„1337985 А1 сЮ 4 Н 03 В 7 14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КО>АИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3854258/24-09 (22) 28.12.84 (46) 15.09.87. Бюл. Н - 34 (71) Институт радиотехники и электроники АН СССР (72) И.В.Алтухов, Л.А.Галченков, В.В.Кукушкин, В.Н.Соляков, M.Â.Ïåðñèков и Ю.А.Шестаков (53) 621.373.5 1(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 1179884, кл. Н 03 В 9/12, 1983.

Патент Великобритании В 1240188, кл. Н 03 В 7/14, 1971. (54) ГЕНЕРАТОР (57) Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения — увеличение устойчивости генерации. Генератор содержит цилиндрический резонатор (ЦР) 1, секции 2, кольцевые прокладки (КП) 3, полупроводниковые генераторные диоды 4, элемент связи 5 ЦР 1 с нагрузкой и элемент настройки Ь. В генераторе происходит суммирование мощностей диодов 4, размещенных в разных последовательно соединенных секциях 2, эа счет выбора длины каждой из секций 2, кратной Л /2, где — длина волны. Цель достигается путем размещения между секциями 2 КП

3, выполненных из поглощающего материала, которые подавляют паразитные типы колебаний в ЦР 1, выполненном на типе волны Н „„ . Генератор по п.2 ф-лы отличается выбором толщиньi КП

3 из условия д 0,1, что позволяет устранить влияние КП 3 на основной тип колебаний. 1 э и. ф лы, 2 ил. фиГ2

ВНИИПИ Заказ 4141/52 Тираж 901 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

133798

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиопередающих устройствах.

Цель изобретения — увеличение устойчивости генерации °

На фиг. 1 изображен генератор, поперечное сечение, на фиг.2 — то же, вид сверху.

Генератор содержит цилиндрический д резонатор 1, выполненный на типе волны Н „, последовательно соединенные секции 2, кольцевые прокладки 3 иэ поглощающего материала, полупроводниковые генераторные диоды 4, установленные в среднем сечении каждой секции 2, элемент 5 связи цилиндрического резонатора 1 с нагрузкой, элемент

6 настройки.

Генератор работает следующим об- 20 разом.

При подаче на полупроводниковые диоды 4 напряжения питания в цилиндрическом резонаторе 1 возбуждается волна типа Н 0,„. За счет выбора длины 25 каждой иэ последовательно соединенных секций 2, кратной Л/2, где длина волны, в генераторе происходит суммирование мощностей полупроводниковых генераторных диодов 4, размещенньж в разных последовательно соединенных секциях 2. Для увеличения

2 устойчивости генерации между последовательно соединенными секциями 2 размещены кольцевые прокладки 3, подавляющие параэитные типы колебаний в цилиндрическом резонаторе 1. Для устранения влияния кольцевых прокладок 3 на основной тип колебаний йх толщина и выбрана из условия а 0,1Л .

Формула изобретения

1. Генератор, содержащий цилиндрический резонатор, состоящий из последовательно соединенных через кольцевые прокладки секций, длина которых кратна Л/2, где Л вЂ” длина волны, в среднем сечении каждой секции на равных расстояниях установлены полупроводниковые генераторные диоды, элемент связи цилиндрического резонатора с нагрузкой и элемент настройки, цепи питания, отличающийся тем, что, с целью увеличения устойчивости генерации, рабочий тип волны цилиндрического резонатора выбран

Н „„, а кольцевые прокладки выполнены из поглощающего материала.

2. Генератор по п.1, о т л и ч а ю шийся тем, что толщина Д кольцевых прокладок вЪ|бирается из условия а 0,1Л.

Генератор Генератор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиоэлектронике

Изобретение относится к радиотехнике

Изобретение относится к технике СВЧ и обеспечивает увеличение КПД

Изобретение относится к технике термокомпенсированных полупроводниковых генераторов сверхвысоких частот

Генератор // 1312716
Изобретение относится к СВЧ-технике

Изобретение относится к радиоэлектронике и обеспечивает увеличение выходной мощности и повьшгение диапазона рабочих частот

Изобретение относится к радиоэлектронике

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может использоваться в приемопередающей аппаратуре

Изобретение относится к технике СВЧ, решает задачу генерирования и преобразования колебаний СВЧ полупроводниковыми диодами, стабилизации частоты, формирования диаграммы направленности в единой открытой резонансной излучающей системе

Генератор // 2183045
Изобретение относится к радиотехнике, конкретно к диодным генераторам миллиметрового диапазона длин волн

Изобретение относится к области техники сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано в качестве источника электромагнитных колебаний в радиопередающих устройствах

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к радиопередающим устройствам, и может быть использовано в качестве выходного каскада импульсных РЛС или в качестве модулятора

Изобретение относится к области электронных приборов и может использоваться в полупроводниковой электронике

Изобретение относится к электронной технике, а именно к генераторам СВЧ на транзисторе с электрической перестройкой частоты

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в малогабаритной приемопередающей аппаратуре широкополосных систем связи в качестве частотно-задающего генератора, управляемого напряжением, синтезатора частот

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к области твердотельной сверхвысокочастотной электроники и микроэлектроники
Наверх