Мдп-транзистор

 

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в интегральных схемах, пригодных для работы в широком температурном диапазоне в том числе и при сверхнизких (до 4,2 К) температурах и малых напряжениях. Целью изобретения является уменьшение минимального напряжения на стоке, обеспечивающего работу транзистора при криогенных температурах. МДП-транзистор имеет полупроводниковую подложку, сформированные в ней области стока, истока и электрод затвора, сформированный на слое диэлектрика и частично перекрывающий области стока и истока. Концентрация легирующей примеси в участках областей стока и истока под затвором не ниже значения, соответствующего вырождению используемого полупроводника. Изобретение позволяет уменьшить минимальное напряжение на стоке, обеспечивающее протекание тока в канале. 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности с МДП-транзисторам, и может быть использовано в интегральных схемах, работающих в широком температурном диапазоне, в том числе при сверхнизких (до 4,2 К) температурах. Цель изобретения - уменьшение минимального напряжения на стоке, обеспечивающего работу транзистора при криогенных температурах. На чертеже показана предлагаемая конструкция МДП-транзистора. МДП-транзистор имеет полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости. Области истока 2 и стока 3 второго типа проводимости сформированы в подложке 1. Электрод затвора 4 сформирован на поверхности слоя диэлектрика 5 и перекрывает полностью канал 6 и частично области стока и истока. Участки 7 областей стока 2 и истока 3 под затвором 4 имеют концентрацию не ниже значения, соответствующего вырождению полупроводника. В случае кремния это значение 5˙10¹⁸ см^-3 концентрации легирующей примеси в областях стока и истока на границе их перекрытия затвором следует из результатов исследования вольтамперных характеристик экспериментальных образцов n-p-канальных кремниевых МДП-транзисторов известной и предлагаемой конструкции при комнатной и низких (вплоть до 4,2 К) температурах. МДП-транзисторы предлагаемой конструкции и ИС на их основе можно использовать для работы при низких температурах в различных устройствах с низковольтным питанием. Кроме того, МДП-транзисторы предлагаемой конструкции перспективны для использования при низких температурах в устройствах типа коммутаторов, в которых требуется низкое сопротивление открытого МДП-транзистора. (56) Патент Японии N 59-12027, кл. Н 01 L 29/78, 1984. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М. : Мир, 1984, т. 2, с. 7.

Формула изобретения

МДП-ТРАНЗИСТОР , содеpжащий полупpоводниковую подложку, pасположенные в ней область канала пеpвого типа пpоводимости, область стока и истока втоpого типа пpоводимости, электpод затвоpа, pасположенный на слое диэлектpика, пеpекpывающий область канала и частично области стока и истока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения минимального напpяжения на стоке, обеспечивающего pаботу тpанзистоpа пpи кpиогенных темпеpатуpах, концентpация легиpующей пpимеси в частях областей стока и истока на гpанице пеpекpытия их затвоpом не ниже значения, соответствующего выpождению полупpоводниковой подложки.

РИСУНКИ

Рисунок 1