Способ обработки молибденовых электродов для термоэмиссионного преобразователя
Изобретение относится к производству термоэмиссионньк преобразователей и служит для повышения их эффективности. Грань монокристалла Мо 110j с разориентацией от плоскост поверхности не более 2 обрабатывают ионами О дозой ЫО . . .5 10 юн/см при ускоряющем напряжении 80...10G кВ и температуре образца 20...50 с. В процессе работы устройства О выходит на поверхность, образуя кислородные пленки, что приводит к росту работы выхода исходной монокристаллической грани 110J .
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИН
„„80„„1З750З2 (51)4 Н 01 3 45/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
H ABTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
1 (21) 3706924/24-21 (22) 01.03.84 (46) 23.07.89 Бкл. 11р 27 (72) С. С. Геращенко, М. И, Гусева, Д.В.Каретников, В.А.Корюкин, Ю.ВаНикольский, В.П.Обрезумов и В.А.Степанчиков (53) 621.362(088.8) (56) Менабде Н.Э. и др. ЖТФ, 48, 183, 1978.
"Ф н
D.Liåo, Proc. 12 Intersol iety, Energy Cono. Engg Conf, Washington, 1977, р. 1555.
Изобретение относится к производству термоэмиссионных преобразовате-, лей (ТЭП) и может быть использовано для улучшения эмиссионных характеристик электродов ТЭП.
Целью изобретения является повышение эффективности ТЭП путем повышения работы .выхода его электродов.
Для достижения указанной цели грань маноарнсталла llo (110) с рааориентацией от плоскости поверхности не более 2 обрабатывают ионамикислорода дозой 1 ° 10 — 5 10 ион/см
ql 47 Q при ускоряющем напряжении 80-100 кВ о и температуре образца .20-50 С. 3а счет этого получают приповерхностный слой, насыщенный растворенным в молибдене кислородом, который при рабочих температурах электрсдов ТЭП выходит на поверхность, образуя кисло2 (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ Г!ОЛИБДГ1101 1.1К
ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ТЕРНО ЭМИССИОН НО ГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (57) Изобретение относится к производству термоэмиссионных преобразователей и служит для повышения их эф фективности. Грань монокристалла Ио
1101 с разориентацией от плоскости поверхности не более 2 обрабатывают ионами О дозой 1 10 ...5 ° 10 ион/ем при ускоряющем напряжении 80...10C кВ и температуре образца 20...50 С. В процессе работы устройства 0 выхоЕ дит на пЬверхность, образуя кислородные пленки, что приводит к росту работы выхода исходной монокристаллической грани 1 110) родные пленки,. что приводит к рь сту работы выхода исходной моногрис галлической грани E110$ .
Примером реализации способа является обработка молибденового образца с гранью на повер>-.ности (1101ионами кислорода О дозой 3 10" ион/см при ускоряющем напряжении 90 кВ. Разориентация грани (110)o поверхности не более 1 . Температура образца при обо работке ионами кислорода 30 С. Har<симальное увеличение работы выхода исследуемой грани с 5.0 эв до
Р,35 эв.
Формула изобретенн
Способ обработки молибденовых электродов для термоэмиссионного и;..— образователя, включающий насыщение рабочей поверхности электрола кислоСоставитель В.Псаломщиков !
Редактор В.Фельдман Техред M.Õoäàíè÷ Корректор Л.Бескид
Заказ 4902 Тираж 694 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101
3 1375032 родом, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности преобразователя за счет увеличения работы выхода электродов на ра"
Э
5 бочую поверхность электрода выводят грань (1101с разориентацией от плос4 кости поверхности не более 2, а насыщение рабочей поверхности осуществляют бомбардировкой ионами кислорода дозой 1 ° 10 — 5 10 1/см при ус17 ° ф. коряющем напряжении 80-100 кВ и температуре электрода 20-50 С.
