Интегральный датчик давления

 

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Цель изобретения - увеличение коэффициента преобразования. Давление, которое измеряется, воздействует на мембрану 1, вызывает деформацию тензотранзисторов 2 и 3 и, следовательно, изменяет их коэффициенты тензочувствительности. Вследствие выбранного расположения осей симметрии тензотранзисторов 2 и 3, коэффициенты тензочувствительности у них имеют разный знак, следовательно коэффициент преобразования увеличится. 1 ил.

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения давления жидких и газообразных сред. Целью изобретения является увеличение коэффициента преобразования. На чертеже изображен предлагаемый датчик. Интегральный датчик давления содержит мембрану 1, на периферии которой размещены два p-n-p-тензотранзистора 2 и 3. Тензотранзисторы 2 и 3 размещены на кремниевой мембране так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора 2 параллельна, а у другого тензотранзистора 3 перпендикулярна кристаллографическому направлению <111>. Плоскость мембраны 1 при таком расположении тензотранзисторов 2 и 3 должна совпадать с кристаллографической плоскостью (110). Интегральный датчик давления работает следующим образом. Измеряемое давление воздействуя на мембрану 1, вызывает деформацию тензотранзисторов 2 и 3, следовательно изменяет их коэффициенты тензочувствительности. Вследствие выбранного расположения осей симметрии транзотранзисторов, коэффициенты тензочувствительности у них имеют разный знак, следовательно коэффициент преобразования увеличивается. Интегральный датчик давления характеризуется высоким значением коэффициента преобразования и возможностью его изготовления в миниатюрном исполнении. (56) Ваганов В. И. , Поливанов П. П. Интегральный транзисторный преобразователь давления. Электронная техника. Сер. 11, в. 4, 1975, с. 82-92. Авторское свидетельство СССР N 491059, кл. G 01 L 23/18, 1975.

Формула изобретения

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, содержащий кремниевую мембрану, на периферии которой установлены два p-h-p-тензотранзистора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, тензотранзисторы размещены так, что ось симметрии, проходящая от эмиттера к коллектору, у одного тензотранзистора параллельна, а у другого - перпендикулярна кристаллографическому направлению < III >, при этом плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (110).

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5