Фильтр на магнитостатических волнах
Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - подавление резонансов вне полосы пропускания. Фильтр содержит входной и выходной многоэлементные преобразователи 1 и 2 электромагн. волн в магнитостатич. волны и обратно, ферритовую пленку 5, диэл. подложку 5, металлизацию 6 и электромагнит. По крайней мере одна из сторон пленки 3, заключенная между преобразователями 1 и 2, выполнена в виде одинаковых, выступающих, равносторонних , прилегающих один к др. N зубьев. Угол и при вершине зубьев и их число определяются вьфажениями ic- ике е . й и ич. / Ч 1Г - 2 arctg tg л|Нд/(4ТМ„; N w/1 2 , -4 HO / (4 Т Mji , где HQ - напряженность внешнего намагничивающего поля; 4 ir Мд - намагниченность насыщения пленки 3; W - ширина пленки 3 вне области размещения зубьев. Металлизация нанесена на др. стороне дизл. подложки 5. Преобразователи 1 и 2 размещены на пленке 3. 1 ил. « / i (Л с
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
А1 (19) (И) (51)4 Н 01 P 1 215
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (ФГ1 -,,„
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ(10," /
К АBTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ° рр7,/ р> (21) 4144038/24-09 (22) 10.11.86 (46) 30.04.88. Бюл, 1(р 16 (72) Г. М. Новиков и Е. 3. Петрунькин (53) 621.372.852(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
1Р 1123074, кл. Н 01 Р 9/00, 1982.
W. Eshak. 4- v GH> magnetostaticчаче delay — line oscillator.
Electronics Letters, 1983, ч. 19, В 22, р. 930-931 (54) ФИЛЬТР НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ
ВОЛНАХ (57) Изобретение относится к технике
СВЧ. Цель изобретения — подавление резонансов вне полосы пропускания.
Фильтр содержит входной и выходной многоэлементные преобразователи 1 и
2 электромагн. волн в магнитостатич.
Ф волны и обратно, Аерритовую пленку 5, диэл. подложку 5, металлизацию 6 и электромагнит. По крайней мере одна из сторон пленки 3, заключенная между преобразователями 1 и 2, выполнена в виде одинаковых, выступающих, рав" носторонних, прилегающих один к др.
N зубьев. Угол у при вершине зубьев и их число определяются выражениями
tP Т вЂ” 2 arttg tg (Н /(4 М,; N =
= v/12/; l(,/(нГМ,, где H — непрнженность внешнего намагничивающего поля; 4 и M, — намагниченность насыщения пленки 3; W — - ширина пленки 3 вне области размещения зубьев. Металлизация нанесена на др. стороне диэл. подложки 5. Преобразователи 1 и 2 размещены на пленке 3 ° 1 ил.!
392605
N = v/!2
Составитель Н. Савченко
Редактор F. Копча Техред П.Сердюкова Корректор М. Пожо
Заказ 1811/55 Тираж 632 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к технике
СВЧ и предназначено для частотной селекции сигналов в системах их анализа и обработки.
Целью изобретения является подавление резонансов вне полосы пропускания.
На чертеже схематично изображен фильтр на магнитостатических волнах.
Фильтр на магнитостатических волнах содержит входной и выходной 2 многоэлементные преобразователи электромагнитных волн в магнитостатические волны н обратно, ферритовую пленку 3, 15 обе стороны которой в данном случае выполнены в виде N зубьев 4, диэлектрическую подложку 5, металлиэацию 6 и электромагнит (не показан) °
Фильтр на магнитостатических вол" 20 нах работает следующим образом.
При подаче на входной преобразователь 1 СВЧ-сигнала в намагниченной электромагнитом ферритовой пленке 3 возбуждается поверхностная магнито- 25 статическая волна, которая распространяется в направлении выходного преобразователя.2, где она вновь преобразуется в СВЧ-сигнал.
Возникающие в процессе преобразования паразитные (на других частотах
СВЧ-сигналов) объемные магнитостатические волны поглощаются в зубьях 4.
В результате осуществляется частотная 35 селекция СВЧ-сигнала с подавлением резонансов вне полосы пропускания.
Формула иэ обретения
Фильтр на магнитостатическнх волнах, содержащий входной и выходной многоэлементные преобразователи электромагнитных волн в магнитостатические волны и обратно, ферритовую пленку, намагниченную в направлении, параллельном элементам преобразователей, и нанесенную на одной стороне диэлектрической подложки, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью подавления резонансов вне полосы пропускания по крайней мере одна из сторон ферритовой пленки, заключенная между входным и выходным преобразователями выполнена в виде одинаковых, выступающих, равносторонних, прилегающих один к другому М зубьев, причем угол при вершине зубьев и их число определяются выражениями (а и- 2 arctic -1Й/(4-„„y ) ° где Н, — напряженность внешнего намагиичивающего поля;
4 к М -намагниченность насьпцения ферритовой пленки;
v — ширина ферритовой пленки вне области размещения зубьев, металлизация нанесена на другой стороне диэлектрический подложки, а входной и выходной многоэлементные преобразователи размещены на ферритовой пленке.
