Силовой транзисторный ключ

 

Изобретение относится к преобразовательной технике. Силовой транзисторный ключ содержит транзисторы 1, 2, источник 10 питания, источник 3 управления, дроссель 4, диоды 5-7, нагрузку 8, конденсатор 9. Дроссель 4 работает в режиме прерывистого тока в любых режимах коммутации таким образом, что включение транзисторов 1, 2 сопровождается плавным нараст нием токи от нуля, а коммутационные потери за время включения уменьшаются , так как процесс включения заканчивается прежде, чем, ток в транзисторах 1, 2 достигает значительной величины , что ведет к увеличению КПД. 1 ил. i

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU 1398078 А 1 (51) 4 Н 03 К 17 60

К А BTOPCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4023726/24-21 (22) 14.02.86 (46) 23.05.88, Бюл. N9 19 (71) Научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт комплектного электропривода (72) В,С.Рыпач,и В.А.Лазарев (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 860312, кл. Н 03 К 17/60, 1981, Моин В,С. Стабилизированные тран зисторные преобразователи. М.: Энергия 1986 с 115а (54) СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛИЧ (57) Изобретение относится к преобразовательной технике, Силовой транзисторный ключ содержит транзисторы 1, 2, источник 10 питания, источник 3 управления, дроссель 4, диоды 5-7, нагрузку 8, конденсатор 9. Дроссель

4 работает в режиме прерывистого тока в любых режимах коммутации таким образом, что включение транзисторов

1, 2 сопровождается плавным нарастанием тока от нуля, а коммутационные потери эа время включения уменьшаются, так как процесс включения заканчивается прежде, чем, ток в транзисторах 1 2 достигает значительной ве»

1 ф личины, что ведет к увеличению КПД.

1 ил.

1398078

ВНИИПИ Заказ 2607/56 Тираж 928

Подписное

Произв.-полнгр, пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, Изобретение относится к преобразовательной технике и мажет быть использовано во вторичных источниках питания.

Целью изобретения. является павьппение КПД за счет уменьшения коммутационных потерь.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Устройство соцержит транзисторь., 1 и 2, подключенные выводами базы и эмиттера к соответствующим управляющим шинам источника 3 управления, например к обмоткам трансформатора управления, драссель 4, диоды 5 и 6 и дополнительный диод 7, нагрузку 8, конденсатор 9 и шинь1 источника 10 питания. 20

Дроссель 4 подключен своими выводами к коллектору транзистора 1 и эмиттеру транзистора 2, диод 5 под:ключен к эмиттеру транзистора l и катодом к эмиттеру транзистора 2. Диод 25

6 подключен анодом к коллектору транзистора и катодом к коллектору транзистора 2. Диод 7 и конденсатор

9 подключены параллельно нагрузке 8, которая подключена. одним выводом к 3 шине источника 10 питания и другим выводом к коллектору транзистора 2, Вторая шина источника 10 питания подключена к эмиттеру транзистора 1.

Устройство работает следующим образом.

При включении транзисторов 1 и

2 образуется контур протекания тока,,скорость нарастания которого опреде-!, ляется величиной индуктивности драс- !О

,селя 4 и напряжением шины источника !

10 питания. После рассасывания избыточных зарядов в диоде 7, восстанов-" ления его вентильных свойств и заряда конденсатора 9 избыток тока дросселя 4 над -.oêîN нагрузки распределяется по параллельным цепям: драссель 4, диод 6, транзистор 2 и драссель 4, диод 5, транзистор 1, что облегчает режим работы силовых транзисторов 1 и 2.

При выключении: транзисторов 1 и 2 ток дросселя 4 замыкается по контуру: диод 6, конденсатор 9, шина источника

10 питания диод .) и разряжает кан !

55 денсатор 9. Потери мощности в транзисторах 1 и 2 при выключении определяются скоростью нарастания напряжения, котарая зависит от величины емкости конденсатора 9, После разряда конденсатора 9 ток дросселя 4 замыкается по контуру: диады 6 и 7, шина источника 10 питания, диод 5. Напряжение на дросселе 4 при этом ограничено напряжением источника 10 питания (если пренебречь падением напряжения на прямосмещенных диодах 5-7), а напряжение на силовых транзисторах

1 и 2 равно напряжению на црасселе

4 (за вычетом пацения напряжения на прямосмещенном диоде 6 или 7 соответственно) и также ограничено величиной напряжения шины источника 10 питания.

Драссель 4 работает в режиме прерывистого така в любых режимах коьмутации так, чта включение транзисторов

1 и 2 сопровождается плавным нарастанием тока от О, а коммутационные потери за время включения уменьшаются, так как процесс включения заканчивается прежде, чем ток в транзисторах; достигает значительной величины.

Формула изобретения

Силовой транзисторный ключ, содержащий первый транзистор, эмиттер которого соединен с первой птиной источника питания, Лаза — с первой управляющей шиной, второй транзистор, база которого подключена к второй управляющей шине эмиттер к первому выводу дросселя и через обратно включенный первый диод - к первой шине источника питания, второй вывод дросселя саецинен через обратно включенный второй диод с коллектЬрам

I второго транзистора, конденсатор „ подключенный параллельно нагрузке, отличающийся тем, что, с целью повьппення КПД за счет уменьшения коммутационных потерь, введен дополнительный диод. причем дополнительный диод обратно включен между второй шиной источника питания и коллекторам второго транзистора параллельно индуктивной нагрузке, а коллектор первого транзистора соединен с вторым выводом дросселя.