Прецизионный транзисторный усилитель напряжения с большим входным сопротивлением

 

Класс 2|аз-, 18„

Мв )44|Ос| ссс|

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная грргпа Л"" 8?

Ю. Л. Куркин и Н. С. Куркина

ПРЕЦИЗИОННЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

НАПРЯЖЕНИЯ С БОЛЬШИМ ВХОДНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ

Заявлено 28 марта 1960 г. за Ке 6602!3/26 9 в Комитет по делам изобрстений и открытий при Совете й1инистров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» No 2 за 1962 г.

Известны транзисторные усилители с высоким входным сопротивлением. Основной недостаток подобных устройств состоит в том, что входное сопротивление зависит от коллекторного сопротивления входного и последуюгцего транзисторов.

В описываемом усилителе высокое входное сопротивление (порядка 600 мом) обеспечивается применением последовательно-параллельной отрицательной обратной cBH=- позволяющей устранить шунтирующее действие входа коллекторными сопротивлеHèÿми входного н Ilоследующих транзисторов. Кроме того, в усилителе вместо опорных батарей включены опорные диоды, что уменьшает габариты усилителя и расход энергии от источников питания.

Принципиальная схема усилителя приведена на чертеже.

Усиливаемый сигнал подается на зажимы 1 — 1 и поступает на базу транзистора 2. Эмиттерная шина первых трех транзисторов (2, 8 и

4) со структурой р — п — р присоединена через общее сопротивление 5 к положительному полюсу источника питания. Выходной транзистор 6 со структурой n — р — n работает на сопротивление 7 нагрузки.

Между эмиттерной шиной первых треx транзисторов и нагрузкой включено сопротивление обратной связи 8. Кроме того. обратной связью охвачен каждый транзистор с помощью сопротивлений 9, 10, 11 и 12.

Комбинированная последовательно-параллельная отрицательная обратная связь устраняет шунтирующее действие входа коллекторным сопротивлением транзистора 2 и последующих транзисторов, что позволяет получить очень высокое входное сопротивление усилителя. Смещения на транзисторы 3, 4 и б подают с помощью опорных диодов 18, 14 и 15.

Описанный усилитель может быть использован, например, в вычислительных машинах для анализа атомных струкгур кристаллов.

Предмет изобретения

Составитель Г. А. Емельянов

Редактор 3. А. Москвина

Техред А. Л. Резник Корректор В. П. Фомина

Подп, к печ, 2.1-62 г

Зак. 13114

Формат бум. 70 ;108" /1в

Тираж 650

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр М. Черкасский пер., д. 2/6.

Объем 0,18 изд. л.

Цена 4 коп.

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.

Прецизионный транзисторный усилитель напряжения с большим входным сопротивлением, с локальными и общей обратной связью, включением коллектора предыдущего транзистора к базе последующего, включением опорных диодов в цепях эмиттеров всех транзисторов, кроме выходного, о т,л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения входного сопротивления, эмиттерная шина первых трех транзисторов со структурой «р — n — р» присоединена к положительному зажиму источника питания через общее эмиттерное сопротивление, а между эмиттерной шиной и незаземленным зажимом нагрузки, к которому включен опорный диод коллекторной цепи выходного транзистора структуры «n — р — и», включено сопротивление обратной связи, причем эмиттер выходного транзистора присоединен к источнику питания.