Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов

Авторы патента:

H01L21/324 - термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302- H01L 21/322 имеют преимущество)

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Способ термической обработки кремниевых подложек // 1114258

Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1- xsnxte // 1028198

Способ обработки полупроводниковых соединений pbte и pb1- xsnxte // 1028197

Способ термообработки многослойных структур соединений a iiibv // 1028196

Способ получения инверсного слоя в антимониде индия // 1005602

Способ уменьшения величины положительного заряда в проводниковых структурах // 862270

Способ повышения радиационной стойкости кремния // 847839

Способ обработки эпитаксиальных структур // 803757

Способ термообработки кремниевых пластин // 743489

Способ изготовления интегральных схем // 2109371

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем

Установка для диффузионной сварки // 2111577

Изобретение относится к оборудованию для сварки давлением с подогревом, в частности к установкам для диффузионной сварки полупроводников с диэлектриками, и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Способ изготовления кремниевых структур // 2163410

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур, точнее к изготовлению кремниевых структур, содержащих p-слой кремния над и под границей раздела, и может быть использовано для создания приборов сильноточной электроники и микроэлектроники

Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе // 2164719

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, может быть использовано в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) для производства современных сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других изделий микроэлектроники

Способ устранения структурных нарушений в структурах кремний-на-изоляторе // 2166814

Способ изготовления резисторов в интегральных схемах // 2170474

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС)

Установка для диффузионной сварки // 2184406

Изобретение относится к оборудованию для сварки с подогревом и может быть использовано в радиотехнической, электронной и приборостроительной промышленности

Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе // 2217842

Способ изготовления гетероструктуры // 2244984

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях, для создания современных материалов микроэлектроники, гетероструктур с кристаллическим слоем типа металл-металл, металл-полупроводник, полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-изолятор вне зависимости от структуры подложки, в частности структур кремний-на-изоляторе (КНИ) или полупроводник-на-кремнии (ПНК), для производства многофункциональных устройств микросистемной техники, устройств на основе сверхпроводящих материалов, спиновых транзисторов, современных сверхбольших интегральных схем (СБИС), систем на чипе и других изделий спинотроники, опто- и микроэлектроники

Способ формирования слоев поликристаллического кремния // 2261937