Способ измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических материалов

 

Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - повышение точности измерения. Сущность данного способа заключается в том, что электромагнитное колебание (ЭМК) разделяют на зондирующее и опорное. Излучают зондирующие ЭМК в направлении исследуемого материала и принимают прошедшее через него ЭМК. Сравнивают его фазу с фазой опорного ЭМК посредством фазометра (Ф) и регистрируют его выходное напряжение. Изменяют частоту ЭМК до величины fi, при которой выходное напряжение Ф становится равным нулю. Вводят задержку опорного ЭМК на величину At и измеряют выходное напряжение и|Ф: Увеличивают частоту ЭМК до величины f2 и измеряют выходное напряжение и2Ф. Исключают задержку опорного ЭМК, измеряют выходное напряжение Ь зФ и по ф-ле вычисляют толщину б исследуемого материала. Цель достигается за счет возможности линейного преобразования приращений разности фаз в напряжение, погрешности которого Y и ли полностью исключаются из результата измерения, а также за счет исключения погрешности измерения частоты СВЧ колебаний. S сл

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСОУБЛИН

„„Я0„„1411650 A 1 (ц 4 G 01 N 22 02

KKANЯЯ. ) Я,1В

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

БИЛЛ К Р Т. .. .;i

К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

00 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4145390/24-09 (22) 09.07.86 (46) 23.07.88. Бюл. № 27 (72) В. И. Водотовка, Ю. А. Скрипник и Р. Л. Григорьян (53) 621.317.39 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

X 310209, кл. G 01 В 15/02, 1969.

Авторское свидетельство СССР № 901890, кл. G 01 N 22/00, 1979. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения — повышение точности измерения. Сущность данного способа заключается в том, что электромагнитное колебание (ЭМК) разделяют на зондирующее и опорное. Излучают зондирующие

ЭМК в направлении исследуемого материала и принимают прошедшее через него ЭМК.

Сравнивают его фазу с фазой опорного ЭМК посредством фазометра (Ф) и регистрируют его выходное напряжение. Изменяют частоту ЭМК до величины f, при которой выходное напряжение Ф становится равным нулю. Вводят задержку опорного ЭМК на величину At и измеряют выходное напряжение Ui&. Увеличивают частоту ЭМК до величины 4 и измеряют выходное напряжение ) ) Ф. Исключают задержку опорного

ЭМК, измеряют выходное напряжение ()зФ и по ф-ле вычисляют толщину о исследуемого материала. Цель достигается за счет возможности линейного преобразования приращений разности фаз в напряжение, погрешности которого у и AL! полностью исключаются из результата измерения, а также за счет исключения погрешности измерения частоты СВЧ колебаний.

Изобретение (ггн<)с:1; >! :и(!)i гсхникс, и может бь! гь >Iñil(>, <оь!!! > ",. я !! ЗМ(P i I H H 10,1 И(И Н Ы i>0.1(ll (>(>1;ОД!!111.(i!11,1 шэл(кгричсских матер(алов.

11<., iI I(H0(>p(TOн Hя I10HbI i(I(IIH(I (> I II()0,

Способ Изм pE .IIIl5(то, I!i(i(i(!i! !ii), Iупр(>н(I !(Новых и;(из, IcKTpHH((м с) 1(",>На. 1 он (>(3,li(((òH IHK>T следу!Ощим образом.

:). I (K T р 0 м )1 г и и т н hI (. K 0 Ä i с 0 )1 и и я (., Б 1 (l t (!—

ftI t!30на разделяют на зондирую!цис и <>ti()р 11(э)с. 30H. и РУк)1!(и(е KOлс() tl Ji it 51 IIII II(3H (3л51 K)T

)3срез излуча!ощу!О антенну на hOHTp01Hp (.(ый wt3TO(3H!KI Ito, 1 >,.i >1011 R, HcK 110 IHIoi(I Hill !

Опаданис Отраженных колебаний в излуающу!о антенну. Прошедшие мат риал зон1иру!Ощие колебания принимают приемной нтенной и с помощью фазомстра сравниают i(0 фазе с опорными колебаниями в (оперечном сечении, совпадающим с напавленисм распространения. Фиксируют наальнуIO разность фаз между зондирующи(и кос!сб(1!(иями, прошедшими контролируе.)ый материал, и опорными колебаниями. ! ри ране!гстпс электрических длин каналов (f t (f t P 0(1. Р;111 i I H H 3 0 и д и 13 У ю (ц и х и 0 и 0 Р н ь(х K 0, сбаний разность фаз СВЧ колебаний 011(сдсс!ястс5(задержкой зондирующих колеаний в диэлектрическом материале: с

Д (, =Z tll1VB — 1) с

С()cosa де f„- начальная частота СВЧ колебаний;

> и 6 — соответственно толщина и относи-! тельная диэлектрическая проницаемость контролируемого материала;

C< — скорость распространения СВЧ колебаний в свободном пространстве; а — угол наклона материала относительно направления распространения.

Измеряют выходное напряжение фазо>()етра, пропорциональное разности фаз, и из.Меняют частоту СВЧ ко;!сбаний до получения нулевого значения; у Я

К = S()(1 + =0

:„> cosa где S<> чувствительность преобразования ра:)ности фаз 11р<> в напряжение;

;:; = -- — относительная мультипликатив)1S йая погрешность преобразования;

Л(,1> — абсо I(oTH25(аддитивная !И>грешность преобразования.

Задерживают опорные ког!соания на время At м!гогим меныпс периода СВЧ колсбаI: пй (Л/ ((f., ). Измеряю г вь!Хо.(нос напряжениес фазометра, пропорциона, !ь:!Ос Ilpltращению разности фаз:

1(+ 7 )2(тl (((()!", со < + (-AUi = S,(1-+ q,12Р М+ М вЂ” AU., f< i !

».>n . . !(»; >()ii;. ! i1i 5l li > < f i il Н ;!.() <Р

1>с,:! I!11>(Е > I, ) С():, (.1) (! K(i,! \ (> If!! . !>

i !(! !(. .jf . — (, if!i!i f<>3! 0" f iif!i !.i <

:! С i! >; i! . .1>i !Ill>(1K)1 КИХ! II() li((>(!

>::,liiii11,(> . t., i l —: = 11, г(:I (f(f .IIK) Г ifi) 1, . < 111! >> 1», > i (!1< >(. I!it I i ð 51Æ >. I I !!i <1>(1 (<>>t< I p!i

10,, — — < . 1 .>,, 7,т- > ((f >J (:<>COSH и; + XU) — S!„1,,,12„- Ц,, . — !(Х

15 Б

Х вЂ” — — -- if!+.),1(AtJ + 1Ц 1,! l,, с. „., f дс 52,, > и AU> — — чувствительность и 110грешности преобразовар а 3 н О с т н ф а з А((. .

Исключают задержку опорных колебаний (kt = О) и измерякп полученное вь>ходное

II3i! p5IiK0lI HP.. фазометра: — b

25 (> — (1+ ) (!+AA(3 1(С +! . Si f(KK !), 6

<> с(>з <-(+ AU — ЛКк

ГДЕ :),,Х> 1: чувствитс.!ьность и погрешности !(рсобразования разIH "IJf фаз (<(>.

Задержку опорных колебаний Л! выбирают такой, чтобы приращение фазового сдвига от ее введения превышало бы пороговую чувствительность фазометра в 5 — 10 раз.

Аналогичны>м образом выбнp;IioT отноше40 нис двух частот СВЧ излучения, т. е. чтобы увеличение частоты li излучения на Л(вызывало бы соответствую!цсс приращение разности фаз и в 5 — 10 раз прсвышазo 110рог чувствительности фазометра. !1ри таком

45 выборе At H At можно считать, что результаты трех измерений (!..1, ((> и (>1) получены в пределах линейного участка характеристики преобразования разности фаз в напрякение относительно первоначального нуля ((,,= О) . Поэтому чувствительность преобра "30(3!fIIè5; IipH всех промежуточных измер(ни51х Ост;1с1ся носT05IHIIOH >)= )

-= +,), fi <>т!(осительные и абсолк>тные 110i;><. i:i;I0(3i: преобразования равны (< .= у, =; =,=у,Л(„= U

= — 1(> =- Л(>!).

55 l(0 результатам второго и первого измерений опре. ;15110T разностl напряжений: (.. (. >===Я(1+"(>(2лЛ(((;, 1) — Л(!.

Из псзм.1hT»T» Ti)CThoÃ<) нзмсpc IIII)t !r,.!

ТB IOT ЗН»ЧЕHHC р»З||ОСТ И ВТ()рпп) И I I(j »: r >

rI»xiÅÐÑÍÈé с, — (i — U;) = Ь" —,,>)2)тЛ,),t.

1,|,!сс Определяют о1ношенис напряжения третьсго измерения !(Ио.:>у >сино)!у разностш)му напряженик)

| > .- - — ); . з С,;со. а (). а — (.> + Ui д1

Из полученного выражения определяют толщи)!) контролируемого материала

C 3(cosa и — 1 (-lа — Ь + (-, Тс)ким образом, по результатам трех измерений (L i, U> и (lа), и известным величинам С, Л(. х и E определяют толщину диэлектрического материала без непосредственного измерения частоты СВЧ колебаний и ес приращения, а также погрешностей преобразования разности фаз в напряжение.

Время измерения существснно уменьшается за счет однозначного измерения толщины диэлектрического материала независимо от соотношения его тол!цины и длины волны зондирующих СВьI колебаний. Однозначность обеспечивается соответствующим выбором величины задержки Л/ и приращением частоты Л(.

Повышение точности измерения достигнуто благодаря возможности линейного преобразования приращений разности фаз в напряжение, погрешности которого 1(и Л>с> полностью искл!очаются из результата измерения, а также исключения погрешности измерения частоты СВЧ колебаний. Задержка

Л(имеет фиксированное значение и Hå зависит от тол(цины контролирусмогo материала.

з )(.„. I > ( » . . .,: :Я 11(i, I МП РОВО;1:|. >. > Ь:Я, >|»!ЭЛСК),>И(>В, З;1К, Ю«:) Юп»|ИСЯ Et ГОЛ!. rt! . «. !(! РОМEI! i!11T!IO(КО,|С<)1»il!C P»». t(X IßI(>T I! :. i« > |ОП((. (1> (>!1()Pil()(, ИЗЛуЧаЮт Зопди!", Ir >И||С ЭЛЕКтр<)М»Гнитныс колебания в н;>!1р»в,1снии исслсд<смого материала, принима oT lip()lll(|!с(чсРСЗ НЕГО ЭЛЕКтРОМаГНИГ!Ю; КОЗ!Сба!1:.!С, «Pr.Hнивак)т его фазу с фазой онори<Иго элс! f ромагнитного колебания посредством ф»зометра, регистрируют BI lxo;lliop. И» ря жеi! Ii( фазометра, изменяют частоту электр<)магнитного колебания, отли><аюи1и!)<з! Г(з)1. и ГО, с

ILc зью повышения точности. чс)с!О)) >,l(: ромагнитного колебания изме Iÿc! |: > Исл|, чины Ii, при которой вых<:» О,: t!Ip> .ж(!" |: фазометра становится р»в!|ым 1> л) «ввод (1 задержку опорного элсктром»!.ни » <)го ко лебания на величину 1(. измсряк)т i,. o:»I<)(20 напряжение фазомстр» I;, ) B(sill>!:,|г IioT t»(> от\ элсктромагliliTIIot ког|сбани я .E<> и<. . I i! чины 1, измеряк)т выходll(>(и;!пряже! Ис ф,ЗОМСTP» j, >, ИСК.ПО>ti»<>! .(<1 1(PÆÊX ОПОРного элсктромагнитно! О ).ол(F>:|пня, измеряк)т выходное напряжение ф» и)мс тр» (.11 и вычисляют толщину исследуем<н О материала 6 по формуле

С<)Л(cosa U б

VE — 1 Ui — U +((30 где С< — скорость р»спространсния электромагнитного колебания в свободном пространстве; а — угол наклона исследуемого материала относительно направления распрос! р»нс!шя зондирук)щих

35 элсктромагн IT!it ix колес)!)Иий: относительная диэлектрическая проницаемость исследуемого материала.

i, > Н Н Т(Н i f се(. К Р» it H

Род<»(тор - (. Боров« > (,, )r; I! I»cp(1C(>ppc>I>, i I lit.>Hit(f< :

Зава« 161)t, -!О T >f 1>;; >f! <>4 r (1<>анно«<)r

1!111111 ° 11! I ос<дар«та(«» «о ноч«>о(а (.«..Р tir>;;,;а.:,;;r>r>j)(r««r« tt r> н;>t»(t«t ! I I М< (>.««.,)1С ЗЗ, Рау«>(.н<>н it;Ir>..i. 4 З

I Ipr>tt >fir> 1(тн(нно-«о. i . Гi>t>r! . о . > о r! 1>(!tip>>HT>t(. . Г. Х rtri о« ).1, >. i 11 по(> т«>is>. Ч

Способ измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических материалов Способ измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических материалов Способ измерения толщины полупроводниковых и диэлектрических материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к СВЧ-дефектоскопии

Изобретение относится к радиотехнике

Изобретение относится к технике СВЧ-измерений и обеспечивает расширение функциональных возможностей путем обеспечения контроля шероховатости пластичной бетонной поверхности в процессе ее обработки

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для неразрушающего контроля состояния поверхности конструкционных материалов и изделий и может быть использовано в различных отраслях машиностроения и приборостроения
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к контролю поверхности металлических сооружений и объектов и может быть использовано для обнаружения и контроля развития дефектов на поверхностях металлических сооружений и объектов, установленных в коррозионных средах различной степени агрессивности в условиях подземного, атмосферного, морского или речного воздействия, в частности для обнаружения и контроля развития трещин на покрытых изоляций поверхностях нефте- или газопроводов

Изобретение относится к методам и технике неразрушающего контроля, например с помощью сверхвысоких частот, и предназначен для обнаружения дефектов в стенах и перекрытиях строительных сооружений при одностороннем доступе и может найти применение для обнаружения инородных металлических или диэлектрических предметов искусственного или естественного происхождения, в том числе расположенных за металлической арматурой, или закрепленных непосредственно на арматуре, или расположенных между прутками арматуры, со стороны противоположной направлению облучения электромагнитным сигналом, и в частности, в стенах строительных сооружений, выполненных по технологии цельнозаливных железобетонных конструкций

Изобретение относится к методам и технике неразрушающего контроля, например с помощью сверхвысоких частот, и предназначено для контроля дефектов в стенах и перекрытиях строительных сооружений, в частности армированных, при одностороннем доступе и может найти применение для обнаружения инородных металлических или диэлектрических предметов искусственного или естественного происхождения, расположенных за металлической арматурой, или закрепленных непосредственно на арматуре, или расположенных между прутками арматуры, со стороны противоположной направлению облучения электромагнитным сигналом, и в частности, в стенах строительных сооружений, выполненных по технологии цельнозаливных железобетонных конструкций

Изобретение относится к методам и технике неразрушающего контроля, например с помощью сверхвысоких частот, при одностороннем доступе к контролируемому объекту, и может найти применение для обнаружения в стенах и перекрытиях строительных сооружений инородных металлических или диэлектрических предметов искусственного и естественного происхождения, в том числе расположенных за металлической арматурой или закрепленных непосредственно на арматуре, или расположенных между прутками арматуры со стороны, противоположной направлению облучения электромагнитным сигналом, и, в частности, в стенах строительных сооружений, выполненных по технологии цельнозаливных железобетонных конструкций, а также скрытых дефектов в виде пустот и трещин, металлической арматуры, санитарно-технических коммуникаций, кабельных магистралей, электрических и телефонных проводок

Изобретение относится к области подповерхностной радиолокации

Изобретение относится к устройствам неразрушающего контроля и может использоваться для обнаружения неоднородностей в строительных конструкциях

Изобретение относится к области обнаружения локальных дефектов в проводниках с использованием акустической эмиссии и может найти применение для выявления скрытых локальных дефектов в различных металлических конструктивных элементах, находящихся в статическом состоянии или в процессе движения

Изобретение относится к дефектоскопии с помощью СВЧ-волн и может найти применение для обнаружения неоднородностей в различных твердых средах, определения их расположения и геометрических форм
Наверх