Тензодатчик

 

Изобретение относится к измерительной технике, к регистрации знакопеременных деформаций с помощью тензорезистивных датчиков. Целью изобретения является расширение диапазона измерений в условиях знакопеременных деформаций путем повышения коэффициента тензочувствительности тензодатчика. Для этого в тензодатчике подложка и тензорезистивный слой выполнены из материалов, коэффициенты линейного расширения которых-связаны соотношением /з /52 0« j3i где - коэффициент линейного расширения подложки; j - коэффициент линейного расширения тензорезистивного слоя, а толщина подложки и тензорезистивного слоя удовлетворяет условию d 7 0,Н„: 800 А, где d, - толщина цодложки; d - толщина тензорезистивного слоя. 1 ип. i со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУ БЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ИЬЛ)! .

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 418) 673/25-28 (22) 14. 01. 87 (46) 07.08.88. Бюл. В 29 (71) Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе (72) )0.А.Бойков, О.С.Грибанова и В.А.Кутасов (53) 531.781.2 (088.8) (56) Абдулаев Э.А., Атакулов Ш.Б.

Тенэоэлектрические свойства поликристаллических пленок на основе

Bi »„ ЯЬ„Тез — Сб.:Полупроводники.

Ташкент, Ташкентский гос. пед. институт им. Низами, 1981. (54) ТЕНЗОДАТЧИК (57) Изобретение относится к измерительной технике, к регистрации знакопеременных деформаций с помощью тен„„SU„„1415047 А1 (51)4 G 0) В 7 18 зорезистивньм датчиков. Целью изобретения является расширение диапазона измерений в условиях знакопеременных деформаций путем повышения коэффициента тенэочувствительности тенэодатчика. Для этого в тенэодатчике подложка и тензорезистивный слой выполнены из материалов, коэффициенты линейного расширения которых связаны соотношением р, э р ъ0,1 р,, где р,— коэффициент линейного расширения подложки ф коэффициент линейного расширения тензорезистивного слоя, а толщина подложки и тензорезистивного слоя удовлетворяет условию d 7 0,)d>y

>r800 Х, где и „ — толщина цодложки; а

d< — толщина тенэорезистивного слоя.

1 ил.

1415047 „) р 0,1р,, d1 0 ldgÚ 800 А, ВНИИПИ Заказ 3861/36

Тираж 680 Подписное

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к регистрации энакопеременных деформаций с помощью тензорезистивных датчиков.

Целью изобретения является расширение диапазона измерений в условиях знакопеременных деформаций путем повышения коэффициента тензочувствительности тензоцатчика.

На чертеже схематически изображен тензодатчик.

Тензодатчик включает в себя подложку 1 иэ полимерного или аморфного, материала, тенэорезистивный слой 2, из полупроводникового материала

V VT

А —  — и медные электроды 3. Сое2 3 ,динение подложки 1 с тенэореэистивным слоем 2 осуществляется методом дискретного испарения в вакууме, а электроды 3 крепятся на противоположных ,концах тензорезиптивного слоя.

Материалы подложки 1 и тензоре зистивного слоя 2 имеют коэффициенты линейно го расширения р и а :, соответственно соотношение р, «3 )y0 1, обеспечивает при охлаждении подложки

1 до комнатной температуры в тензорезистивном слое 2 растягивающую дефор-30 мацию порядка 10 отн.ед. и выполнение условия соотношения толщин подложки Й, и тензорезистивного слоя Й

Й „ r О, 1d > 7z 800 А, также обеспечивает высокйе значения коэффициента тензочувствительности в условиях сжимающих деформаций.

При деформации объекта исследования в подложке 1 и в тенэорезистивном слое 2 возникают упругие напряжения сжатия или растяжения, которые приводят к изменению злектросопротивления тенэореэистивного слоя 2, что регистрируется с помощью электродов 3 вторичной аппаратуры.

Формула изобретения

Тензодатчик, содержащий подложку, тензорезистивный слой из полупроводникового материала и электроды, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения диапазона измерений в условиях энакопеременных деформаций, подложка и тенэореэистивный слой выполнены из материалов, коэффициенты линейного расширения которых связаны соотношением где — коэффициент линейного расширения подложки;

, — коэффициент линейного расширения тензорезистивного слоя, а толщина подложки и тензореэистивного слоя удовлетворяет условию где d — толщина подложки;

d< - толщина тенэореэистивного слоя.