Инжекционный источник стабильного напряжения

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„Я0„„1449980 A i

1511 4 С 05 F 3/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCK0lV1Y СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ape ГКНТ CCCP, 21 ) 4 24 52 24/ 24-07 (22) 15.05.87 (46) 07.01.89. Бюл. Ф (71) Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (72) Д,В. Игумнов, В.А . Масловский, И.С. Громов и И.М . Русак (53) 621.316.722.1(088.8) (56) Степаненко И.Ч. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980. с. 337-338.

Микроэлектроника, 1983, Ф 5, с. 455,.рис. 2а. (54) ИНЖЕКЦИОННЬ1Й ИСТОЧНИК СТАБИЛЬНОГО НАП РЯЖЕ Н11Я (57) Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в качестве стабильного низковольтного источника для микроэлектронных устройств с инжекционным питанием.

Цель изобретения — повышение коэффициента стабилизации. Устройство содержит р-и-р и п-р-и транзисторы 1 и 2, ба зы которых соединены между собой, балластный резистор 3, один вывод которого подключен к эмиттеру р-и р транзистора I две входные клеммы 4 и 5, одна из которых 4 подключена к второму выводу балластного резистора 3, а другая 5 — к эмиттеру n-p-и транзистора 2, и две выходные клеммы 6 и 7, каждая из которых подключена к коллектору оцного из транзисторов. В устройстве осуществляется повьппение коэффициента стабилизации за счет введения в него дополнительного и-р-и транзистора 8, коллектор которого подключен к коллектору р-и-р транзистора I, а эмнттер и база подключены соответственно к коллектору и базе основного и-р-и транзистора 2. 1 ил.

1449980 жекционных напряжений транзисторов

1 и 2 образует выходное налряжение ис точника .

Изобретение относится к электротехнике и может быт ь использовано в качестве стабильного низковольтного источника для мик ро электронных устройств с инжекционным питанием.

Цель изобретения — повышение коэффициента стабилизации источника.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема источника стабильного напряжения.

Источник стабильного напряжения состоит из р-n-p транзистора I, и-р-и транзистора 2, балластного резистора 3, входных клемм 4 и 5, выходных клемм 6 и 7 и регулирующего и-р-и транзистора 8. Базы транзисторов 1,2 и 8 соединены между собой.

Эмиттер транзистора 1 подключен к одному из выводов резистора 3, вто- 20 рой вывод которого подключен к клемме 4. Клемма 5 подключена к эмиттеру транзистора 2, кбллектор которого подключен к клемме 7 и эмиттеру транзистора 8, коллектор которого подклю-25 чен к клемме 6 и коллектору транзистора 1 .

Последовательно включенные эмиттерные переходы транзисторов и 2 вместе с резистором 3 образуют обыч— ный диодный стабилизатор напряжения.

Транзисторы 1 и 2 работают в инжекционном режиме и выполняют функции инжекторов. Токи эмиттеров транзисторов 1 и 2 порождают избыточный за35 ряд о с но вных но си те лей в к оллек то рах этих транзисторов,дырок в коллекторе р-и-р транзистора 1 и электронов в коллекторе п-р-и транзистора 2).

За счет этого заряда на коллекторных 40 переходах транзисторов ll и 2 появляются инжекционные напряжения. Максимальная величина инжекционного напряжения на транзисторе в основном определяется равновесной высотой потен- 45 циального барьера коллекторного перехода и для кремниевых транзисторов примерно равна 0,7-0,8.В. Сумма инПри возрастании выходного напряжения увеличивается инжекционное напряжение на коллекторном переходе транзистора 2, а следовательно, и напряжение между базой и эмиттером транзистора 8. Это приводит к увеличению токаколлектора транзистора 8 и следовательно, к уменьшению выходного напряжения за счет увеличения падения напряжения на внутреннем сопротивлении источника. Таким образом, за счет использования дополнительного регулирующего транзистора 8 в инжекционном источнике стабильного напряжения улучшается стабильность выходного напряжения, что соответствует возрастанию примерно на порядок коэффициента стабилизации предлагаемого источника по сравнению с известным.

Формула изобретения

Инжекционный источник стабильного напряжения, содержащий р-и-р и и-р-и транзисторы, базы которых соединены между собой, балластный резистор, один вывод которого подключен к эмиттеру р-и-р транзистора, две входные клеммы, одна из которых подключена к второму выводу балластного резистора, а другая — к эмиттеру и-р-и транзистора, и две выходные клеммы, каждая иэ которых подключена к коллектору одного из транзисторов, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения коэффициента стабилизации, в него введен дополнительный и-р-п транзистор, коллектор которого подключен к коллектору р-и-р транзистора, а эмиттер и база подключены соответственно к коллектору и базе основного п-р-и транзистора.

Составитель В. Есин

Редактор В. Данко Техред М.Дидык Корректор Э.Лончакова

Производственно-полиграфическое предприятие, r Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 6967/48 Тираж 866 Подписное

BHHHIIH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5