Источник тока для эсл элементов

 

Изобретение относится к импульсной технике и позволяет расширить функциональные возможности устройства . Источник тока содержит транзисторы 1 и 2 и резисторы 3, 6 и 10. Введение транзисторов 4,5,8 и 9 и образование новых функциональных связей обеспечивает экспоненциальную зависимость между выходными токами. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (511 4 Н 03 К 19 08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕП!ЛЬСТВУ еевича;;

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ пО изОБРетениям и ОтнРытиям

ПРИ ГКНТ СССР

721) 4159175/24-21 (22) 10.12.86 (46) 07.02.89. Бюл. У 5 (72) M,О,Ботвиник и М.П.Сахаров (53) 621 .374(088.8) (56) Наумов Ю.Е.Интегральные логические схемы. - М.: Сов. радио, 1970, с.296, рис.Х.5.

Алексеенко А.Г., Шагурин И.И.Микросхемотехника. - М.: Радио и связь, 1982, с.77, рис.2.24.

„„80„„4571 7 А1 (54) ИСТОЧНИК ТОКА ДЛЯ ЭСЛ-ЭЛЕМЕНТОВ (57) Изобретение относится к импульсной технике и позволяет расширить функциональные возможности устройства. Источник тока содержит транзисторы 1 и 2 и резисторы 3, 6 и 10.

Введение транзисторов 4,5,8 и 9 и образование новых функциональных связей обеспечивает экспоненциальную зависимость между выходными токами.

1 ил.

1457157

1 ич p., при инверсном т

U Н1

К

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении ЭСЛ-элементов.

Целью изобретения является расши5 рение функциональных возможностей за счет обеспечения экспоненциальной зависимости между выходными токами.

На чертеже представлена принци" пиальная электрическая схема предлагаемого источника тока для ЭСЛ-элементов.

Источник тока содержит первый и второй транзисторы 1 и 2, эмиттеры 15 которых объединены и через первый резистор 3 подключены к общей шине, база транзистора 1 соединена с базами третьего и четвертого транзисторов 4 и 5 и через второй резистор 6 20 подключена к шине 7 питания, коллектор транзистора 4 соединен с шиной

7 питания, а его эмиттер — с коллектором транзистора 5, эмиттер которого соединен с общей шиной, база тран- 25 зистора 2 соединена с базами пятого и шестого транзисторов 8 и 9 и через третий резистор 10 подключена к шине

7 питания, коллектор транзистора 8 соединен с шиной 7 питания, эмиттер 30 транзистора 8 соединен с эмиттером транзистора 9, коллектор котороro соединен с общей шиной, коллектор транзистора 1 соединен с первым выходом 11, коллектор транзистора 2 соединен с вторым выходом 12.

Источник тока работает следующим образом.

Транзисторы 1 и 2 с резистором 3 образуют дифференциальный каскад.На- 40 пряжение, формируемое на базе транзистора 1, определяется падением напряжения на переходе база — эмиттер от базового тока, протекающего по цепи: шина 7 питания, резистор б, 45 база-эмиттер транзистора 5, общая шина; коллекторного тока транзистора 5, протекающего по цепям: шина 7 питания, коллектор — эмиттер транзистора 4, коллектор — эмиттер транзис- 50 тора 5, общая шина, а также шина питания, резистор б, база — коллектор транзистора 5, коллектор-" эмиттер транзистора 5, общая шина.

Последний канал протекания тока возможен, так как транзистор 5 открыт и насыщен..

Как следует из схемы источника тока эбт5 11эбт л + Uq„» у где U> — напряжение на базе транзистора 1 относительно общей шины;

Uэбт, падение напряжени на переходе база - эмиттер транзистора 5;

U Ig < y — падение напряжения на переходе база — эмиттер транзистора 4;

U „ 5- напряжение на коллекторе транзистора 5 относительно общей шины.

В свою очередь, напряжение, формируемое на базе транзистора 2, определяется падением напряжения на переходе коллектор - база транзистора

9 от базового тока, протекающего по цепи: шина 7 питания, резистор 10, база — коллектор транзистора 9, общая .шина, а также эмиттерного тока транзистора 9, протекающего по цепям: шина питания, коллектор — эмиттер транзистора 8, эмиттер — коллек-. тор транзистора 9, общая шина; шина питания 7, резистор 10, база — эмиттер транзистора 9, эмиттер — коллектор транзистора 9, общая шина.

Последний канал протекания тока возможен, так как транзистор 9 открыт и насыщен. Как следует из схемы источника тока

ПБт7 U Бкт9 0 фрт8 Б мтО у где V„7 - напряжение на базе транзистора 2 относительно общей шины;

U>„,> — падение напряжения на переходе база — коллектор транзистора 9;

< — - падение напряжения на переходе база — эмиттер транзистора 8;

U „,I — напряжение на коллекторе транзистора 9 относительно общеи шины.

Известно, что напряжение на насыщенном транзисторе при прямом включении равно где U U .-- падение напряжения кн кн j между коллектором и эмиттером насыщенного транзистора соответст1457157 экспоненциальной зависимости между выходными токами. формула изобретения

Ц

dU

6 а, Отсюда следует, что

I DUD т 1

1п =1 = — - = — — - = — т т !"! где I „— ток, втекающий в токовый выход 11;

1 — ток в т екающий в токовый

У выход 12, !

?! е

Т1

Таким образом, применение предлагаемого источника обеспечивает выполнение новой функции — обеспечение откуда

Составитель А.Янов

Техред И.дидык . Корректор Н. Король у

Редактор А.Мотыль

Заказ 7493/57 Тираж 879 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 венно при прямом и инверсном включении; температурный потенТ циал;

p — прямой и инверсный я Ф . коэффициенты усиления транзистора в схеме с общим эмиттером.

При равенстве и топологической идентичности резисторов 6 и 10 и топологической идентичности транзисторов, входящих в схему, разность напряжений на базах транзисторов 1 и

2 дифференциального каскада равна т т

U -U = dU б! 6 6 р, р

Так как р м р,, то с большой точностью

Источник тока для ЭСЛ-элементов, содержащий три резистора, первый и второй транзисторы, коллекторы кото10 рых подключены соответственно к первому и второму выходам, эмиттер первого транзистора через первый резистор соединен с общей шиной, а база через второй резистор подключена к

15 шине питания, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей, введены третий, четвертый, пятый и шестой транзисторы, причем эмиттер первого транзистра соединен с эмиттером второго транзистора, его база — с базами третьего и четвертого транзисторов, коллектор третьего транзистора сое25 динен с шиной питания а его эмитУ тер — с коллектором четвертого транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, база второго транзистора соединена с базами пятого и шестого транзисторов и через третий резистор — с шиной питания, коллектор пятого транзистора соединен с шиной питания, а его эмиттер — с эмиттером шестоro транзистора, коллектор которого соединен с общей шиной.