Акустический способ определения дефектности структуры магнитоупорядоченных материалов

 

Изобретение относится к области радиоэлектронного материаловедения, а именно, к способам дефектоскопии магнитных материалов, например ферритов, используемых в устройствах радиоэлектронной и вычислительной техники. Целью изобретения является повышение точности за счет исключения влияния доменной структуры материала на коэффициент затухания. Сущность изобретения состоит в том, что в предлагаемом способе измерение затухания проводят во внешнем постоянном магнитном поле, напряженность которого выбирают таким образом, что при дальнейшем увеличении этого поля величина измеряемого затухания не меняется. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) 4 G 01 N 29/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К д ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4303471/25-28 (22) 02.09.87 (46) 07.04.89. Бюл. - 13 (71) МГУ им. М,В,Ломоносова (72) С.Г.Абаренкова, Л.К. Зарембо и С.Н,Карпачев (53) 620.179.16(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР к- 1269434, кл. G 01 N 29/00> 1986.

Ф Т Т, 1985, т.27, вып. 8, с.2450-2456 — прототип. (54) АКУСТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ДЕФЕКТНОСТИ СТРУКТУРЫ МАГНИТОУПОРЯДОЧЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к области радиоэлектронного материаловедения, Изобретение относится к области радиоэлектронного материаловедения, а именно к способам дефектоскопии магнитных материалов, например ферритов, используемых в устройствах радиоэлектронной и вычислительной тех ники.

Цель изобретения — повышение точности за счет исключения влияния доменной структуры материала на коэффициент затухания, На чертеже представлена зависимость коэффициента затухания акустической волны> прошедшей через образец монокристалла марганец-цинковой шпинели, от напряженности внешнего магнитного поля, Сушность изобретения состоит в гом, что в предлагаемом способе измерение затухания проводят во внеша именно к способам дефектоскопии магнитных материалов, например ферритов, используемых в устройствах радио электронной и вычислительной техники. Целью изобретения является повышение точности за счет исключения влияния доменной структуры материала на коэффициент затухания, Сущность изобретения состоит в том, что в предлагаемом способе измерение затухания проводят во внешнем постоянном магнитном поле, напряженность которого выбирают таким образом, что при дальнейшем увеличении этого поля величина измеряемсго затухания не ,меняется, 1 ил., нем постоянном магнитном поле, 1 напряженность которого выбирают таким образом, что при дальнейшем уве-, личении этого поля величина измеряемого затухания не меняется. Зависимость затухания является убывающей от напряженности магнитного поля функцией, достигаюшей своего минимального значения при магнитных полях, больших поля монодаменизации.

Поскольку измеряемое значение затухания складывается из затухания, обусловленного доменной структурой и дефектами материала, а при монодоме.— низации доменное затухание исчезает, то измеренное значение затухания бу-. дет характеризовать дефектность контролируемого материала.

Способ осуществляется следующим образом.

1471120

Образец исследуемого материала помещают в однородное внешнее магнитное поле, возбуждают и принимают упругую волну, прошедшую через образец и определяют коэффициент затухания этой, волны в исследуемом материале любым способом (например, эхо-импульсным) в зависимости от величины внешнего магнитного поля. Начиная с

Его преимуществами являются простота реализации и быстрота проведения дефектоскопии (в частности, выбраковка негодных материалов). Способ позволяет проводить разбраковку материалов на стадии полуфабрикатов до окончательных и дорогостоящих операций шлифовки, полировки и т,д. и до их использования в готовых изделиях.

Формул а изобретения

fbi

03

Ð,0 4A 7

Составитель В.10ровский

Техред А.Кравчук Корректор В,Романенко

Редактор Е, Папп

Заказ 1603/47

Тираж 788

Подписное

БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101 некоторого значения внешнего магнитного поля величина измеренного коэффициента затухания Ы, остается постоянной и обусловлена дефектами исследуемого материала. !5

На чертеже представлена типичная зависимость затухания от внешнего магнитного поля Н, продольной волны частотой 30 11Гц, распространяющейся в образце монокристалла марганец-цин- 20 ковой шпинели. Измеренные значения

o - = оС де для трех разлинных образцов одийаковых кристаллографических ориентаций, вырезанных из различных частей були (и отличающихся, соответ- 25

cTBeHI- количеством дефектов), следующие: 0,42, 0,28 и 0,14 см-< (для ножки, середины и головки були соответственно), Низкое значение с * „, для головки були (и, соответствейно, меньшее количество дефектов) связано с тем, что B процессе выращивания (методом Бриджмана) головка були ус-певает пройти отжиг,, Сгособ позволяет проводить достаточно точную дефектоскопию как

35 моно —, так и поликристаллов всех классов магнитоупорядоченных веществ, Акустический способ определения дефектности структуры магнитоупорядоченных материалов, основанный на возбуждении в материале упругой волны, приеме волны, прошедшей через материал, измерении коэффициента затухания и определении дефектности структуры материала по величине измеренного коэффициента затухания, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет исключения влияния доменной структуры материала на коэффициент эатуха". ния, материал в процессе контроля помещают Во внешнее магнитное поле, последовательно увеличивают напряженность внешнего магнитного поля, измеряют коэффициент затухания при различных значениях поля„ а дефектность структуры материала определяют по величине коэффициента затухания, значение которого остается постоянным при дальнейшем увеличении напряженности внешнего магнитного поля,