Элемент памяти осинова-худякова

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании БИС запоминающих устройств. Цель изобретения - расширение области применения элемента памяти за счет возможности хранения аналоговой информации. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит проводящий слой электрода 14 стирания, который расположен за пределами четвертой полупроводниковой области. Это позволяет исключить из элемента памяти электрический контакт канала транзистора и области 5 стирания. В результате на область 5 может быть подан аналоговый сигнал. Заряд , соответствующий амплитуде этого сигнала, стекает на слой 4 затвора хранения, где и сохраняется. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1472948 (51)4 G 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬГГИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4186804/24-24 (22) 27,01 . .87 (46) 15,04.89, Бюл. Ф 14 (72) С,Н,Осинов и В,В,Худяков (53) 681, 327,6(088. 8) (56) Электроника, т, 56, Ф 4, 1983, с.24, рис.1.

Патент США Ф 4203158, кл, G 11 С 11/40, опублик, 1980, 1 (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ОСИНОВА - ХУДЯКОВА (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании БИС запоминающих. устройств, Цель изобретения — расширение области применения элемента памяти за счет возможности хранения аналоговой информации, По ставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит проводящий слой электрода 14 стир ания, который р асположен эа пределами четвертой полупроводниковой области, Это позволяет исключить из элемента памяти электрический контакт канала транзистора и области 5 стирания, В результате на область 5 может быть подан аналоговый сигнал, 3 аряд, соответствующий амплитуде этого сигнала,стекает на слой 4 затвора хранения, где и сохраняется, 3 ил, 1472948

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании БИС запоминающих устройств, 5

Цель изобретения - расширение области применения элемента памяти за счет воэможности хранения аналоговой и нфор мации, На фиг, 1 представлена топология элемента памяти; на фиг,2 — разрез

А-А на фиг,1; на фиг.3 - разрез Б-Б на фиг, 1, Элемент памяти содержит полупроводниковые области 1 стока., 2 истока, 15 первый диэлектрический слой 3, прово-. дящий слой затвора 4 хранения, полупроводниковую область 5 стирания, изолирующие области 6, второй .ди электрический слой 7, проводящий слой 20 затвора 8 записи, третий диэлектрический слой 9, диэлектрический слой

10, электроды 11 и 12 областей стока и истока 2, полупроводниковую подложку 13, проводящей слой электро- 25 да 14 стирания.

Элемент памяти;работает следующим образом.

Режим программирования, На область

5 подается входной сигнал, при пода- 30 че на затвор 8 программирующего напряжения происходит запись информации на затвор 4 хранения,, исток 2 з аземлен, Режим считывания, При подаче на затвор 8 напряжения считывания в зависимости от значения порогового напряжения запрограммированного полевого транзистора в его канале протекает ток и на области 1 стока уст -40 навливается выходной сигнал, область

2 истока заземлена, Режим стирания, При подаче на област ь 5 напряжения стир ания пр оисходит стекание заряда с затвора запоминания, транзистор переходит в ис" ходное состояние.

На основе рассмотренного полевого транзистора возможно создание аналоГовых запоминающих устроиств, G TBK- 50 же управляемых квазианалоговых моделей для расширения дифференциальных уравнений в частных производных, В элементе памяти для заряда и разряда используется механизм туннелирования Фаулера-Нордхейма, который является двусторонним процессом и мржет быть испол ьз о в ан как для з аряда, так и разряда затвора 4 хранения, Заряд плавающего затвора 4 происходит при подаче на з атвор 8 з аписи высокого положительного напряжения и нулевом стоковом напряжении, При этом электроны, обусловливающие заряд входной информации, проникают из области 5 в затвор 4 через окисел толщиной !0-20 нм, что приводит к изменению порогового напряжения транзистора. Заряд записывается на плавающий затвор 4 до того момента, пока напряженность поля в туннельном диэлектрике превышает некоторое пороroвое значение Е 10 В/см. Как только напряженность поля подает меньше

Е, туннельный ток резко падает и запись заряда прекращается, Элемент памяти изготавливается в подложке 13 р-типа и содержит первую

1 и вторую 2 области, соответствующие областяь|: истока и стока транзистора, первый диэлектрический слой

3 тодщиной 500-1000 А, находящийся над каналом, поликремниевый плавающий затвор 4, изолированный от канала первым диэлектрическим слоем 3, находящийся над каналом и областью

5, Область изолирована от областей

l и 2 и канала окислом и лежит вне области канала транзистора, Транзистор содержит второй окисный слой 7 толщиной 10-20 нм, расположенный над обл аст ью 5, Затвор 8 з аписи р асположен над плавающим затвором 4 и изолирован от него третьим . диэлектрическим слоем 9 толщиной 800-1200ОА, Фо р мул а и з о б р е т е ни я

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, три полупроводниковые области второго типа проводимости, которые являются областями стока, истока и стирания элемента памяти соотвественно и расположены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, четвертую полупроводниковую область первого типа проводимости, расположенную в приповерхностном слое полупроводниковой подложки между первой и второй полупроводниковыми областями, которая является областью канала элемента памяти, первый диэлектрический слой, расположенный между первой и второй полупроводниковыми областями на поверхности полу-. проводниковой подложки, второй ди" .. электрический слой, который располо-, 1472948

Х Фиг.У

Составитель С. Королев

Техред А.Кравчук

Редактор Л.Веселовская

Корректор Л.Зайцева

Заказ 1717/50 Тираж 558 Под пи с но е

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãoðoä, ул. Гагарина,!01 жен на поверхности полупроводниковой подложки над первой частью третьей полупроводниковой области и является туннельно-тонким, проводящий слой з ат вор а хр анения элемент а памяти, расположенный на поверхностях первого и второго диэлектрических слоев, третий диэлектрический слой, расположенный на поверхности проводящего слоя затвора хранения элемента памяти, проводящий слой затвора записи элемента памяти, расположенный на поверхности третьего диэлектрического слоя, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью расширения области применения элемента памяти за счет возможности хранения аналоговой информации, он содержит проводящий слой электрода стирания элемента памяти, который приьыкает к второй части третьей полупроводнио ковой области, которая расположена за пределами четвертой полупроводниковой области.