Способ изготовления мдп-транзисторов

 

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. Цель изобретения - повышение выходагодных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков. Способ включает формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски из нитрида кремния, формирование областей полевого оксида кремния, после чего на областях полевого оксида кремния и маске из нитрида кремния дополнительно формируют слой диэлектрика. Затем с помощью фотолитографии и диффузии бора формируют области истока и стока. Далее на областях стоков, истоков формируют второй слой оксида кремния. После чего дополнительный слой диэлектрика маску из нитрида , кремния и первый слой оксида кремния удаляют и проводят стандартные операции формирования МДП-транзисторов. В качестве дополнительного слоя диэлектрика можно использовать слой поликремния, осажденного путем пиролиза моносилана при пониженном давлении с последующим его прокислением. Слой диэлектрика может быть также сформирован пиролитическим синтезом из смеси моносилана и закиси азота при пониженном давлении о 2 з.п. ф-лы, 3 ил. С S

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СО1.1ИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (51) 5 Н 01 1 .21/82

v,, ., в f p 1- :,б1 а

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

Н А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (46) 23,09.92. Бюл. N 35 (21) 4278958/25 (22) 06.07.87 (72) A.À.Ëaòûøåâ, В.В.Кузнецов и В.,В.Титов (53) 621.382(088.8) (56) Патент CIIIA У 4561003, кл. Н 01 L 29/78, 1985..

Appela Е. et al. Local oxilation

of silicon and its application in

semiconductor technology. Philips

Res. Repts., v..25, 1970,,р,118-132, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИДП-ТРАНЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов.

Цель изобретения — повьш|ение выходагодных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков. Способ включает формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски иэ нитрида кремния, фор-, Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении транзисторов

11ДП-интегральных схем.

Целью изобретения является повышение выхода годных NNI-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков.

На фиг.1 показана структура ИДП- транзистора интегральной схемы, вид сверху", на фиг,2 — разрез А-А на фиг.-I; на фиг.3 — разрез Б-Б на фиг.l.

„.БФ, 473633 мирование областей полевого оксида кремния, после чего на областях полевого оксида кремния и маске иэ нитрида кремния дополнительно формируют слой диэлектрика. Затем с помощью фотолитографии и диффузии бора формируют области истока и стока. Далее на областях стоков, истоков формируют второй слой оксида кремния ° После чего дополнительный слой диэлектрика маску из нитрида,кремния: и первый слой оксида кремния удаляют и проводят стандартные операции формирования 11@11-транзисторов. В качестве до.— полнительного слоя диэлектрика можно испольэовать слой поликремния, осажденного путем пиролиэа моносилана при пониженном давлении с последующим

его прокислением. Слой диэлектрика может быть также сформирован пиролитическим синтезом из смеси моносила на и закиси азота при пониженном давлении. 2 э.п. ф-лы, 3 ил.

Ъ

Пример. На кремниевой подложке .1 КЭФ 7,5 (100) формируют первый слой 2 оксида кремния толщиной 50 нм в потоке сухого кислорода при

1000 С (фиг.1-3). Затем осаждают слой нитрида кремния толщиной 130 нм при пониженном давлении и формируют . методами фотолитографии маску 3 из нитрида кремния с окнами, в которых выращивают области 4 полевого оксида кремния толщиной 1200 нм в парах водь1 на 1000 С. На области полевого оксида кремния и маску из нитпиткремния осаждаю.. слой 5 диэлектрика иэ оксида кремния толщиной 300 нм, полученного реакцией моносилана с о закисью азота при 800 С и реакторе поименного давления. Затем с помощью

5 операций фотолитографии и диффузии бора формируют области 6 стока и истока. Диффузию бора проводят при

1010 С в течение чО мин до его концентрации в областях 6 на уровне

10 - 10 см 3 Далее на областях стоков, истоков формируют второй .слой 7 оксида кремния при 900 С толщи" б ной 0,6 мкм. После чего слой 5 ди- 15 электрика, ма"ку 3 из нитрида кремния н первый слой 2 оксида кремния удаляют и проводят стандартные операции формирования ИДП-транзисторов.

В качестве слоя 5 дижлектрика 2О можно испольэовать слой поликремния толщиной 50 нм, попучаемый осаждени ем в реакторе пониженного давления путем пиролиза моносилана при 630 С с последующим его окислением в парах 25 воды при 900 С в течение 1 ч. Диапазоны температуры и времени формирования слоя 5 диэлектрика зависят от требуемой его толщины, минимальное эначепие ко" îðîé определяется темпе- 30 ратурои и длительностью диффузионной эагонки примеси в области стоков и истоков при формировании ИДП-транзис. торов.

Использование данного способа из" готовления 11ДП-транзисторов в микросхемах 558РР1 позволяет повысить выход годных кристаллов на операции контроля функционирования с 2,6 до

4,3%.

Формула изобретения

1.Способ изготовления ИДП-транзисторов, включающий формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски из нитрида кремния, формирование областей полевого оксида кремния, фор" мирование областей истоков и стоков, формирование на этих областях второго слоя оксида кремния, удаление мас.ки из нитрида кремния и первого слоя оксида кремния, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения вы хода годных ИДП-транзисторов за . счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков, перед формированием областей истоков и стоков на областях полевого Ьксида кремния и маске из нитрида кремния дополнительно формируют слой диэлектрика, который удаляют после формирования второго слоя оксида кремния.

2.Способ по п.1 о т л и ч а юшийся тем, что слой диэлектрика формируют осаждением поликремния путем пиролиза моносилана при пониженном давлении с последующим прокислением слоя поликремния, З.Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что слой диэлектрика формйруют пиролитическим синтезом из смеси моносилана и закиси азота при пониженном давлении.

1473633

Составитель В.Гришин

Техред М.Дидык Корректор С.Патрушева

Редактор В.Трубченко

Заказ 4058 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4!5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г". Ужгород, ул. Гагарина,101