Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов

Авторы патента:

H01L21/225 - диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую кислоту при следующих количественных соотношениях ингредиентов (мас.%): Этиловый спирт - 22 - 48 Азотнокислый алюминий - 8 - 18 Борная кислота - 0,02 - 0,20 Ортомышьяковая кислота - 35 - 65 Тетраэтоксисилан - 2 - 6

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению твердых источников диффузии бора

Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора // 1454157

Изобретение относится к технологии создания высоколегированных P+ - слоев в кремниевых пластинах диаметром 100 мм мм при температурах диффузии 725 - 975°С

Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния и способ его приготовления // 1424632

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний // 1400376

Способ изготовления источника диффузионного легирования // 1347794

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев

Способ изготовления многослойных структур n+pnpp+ типа // 1340476

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1131388

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано как при разработке и изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем, так и при разработке и изготовлении дискретных полупроводниковых приборов

Способ формирования сильнолегированных областей в многослойных структурах // 1098455

Донорный раствор для получения поверхностного источника диффузии // 1040975

Способ изготовления свч-биполярных транзисторов // 1032936

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании СВЧ-транзисторов и интегральных схем на их основе

Способ изготовления p-n-перехода, легированного элементами или изотопами с аномально высоким сечением поглощения нейтронов // 2156009

Способ получения электропроводящего полианилинового слоя // 2315066

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника // 2359355

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур

Способ диффузии бора // 2361316

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области

Способ диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок // 2371807

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора

Способ нанесения борных и фосфорных легирующих композиций для изготовления солнечных фотоэлектрических элементов (сфэ) // 2444810

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ)

Диффузант для легирования полупроводников типа a3b5 // 2050031

Установка легирования полупроводников в коронном разряде // 2017264

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установкам для легирования полупроводников при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором // 1480665

Способ изготовления полупроводниковых структур с температурной компенсацией // 1531753

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов