Носитель информации

 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, а именно к носителям информации, и может быть использовано для записи и хранения информации или изображений, переносимых инфракрасным (ИК) излучением. Целью изобретения является повышение чувствительности носителя к ИК-излучению. Это достигается использованием в качестве носителя пленки 1 аморфного полупроводника PB<SB POS="POST">0,8</SB> SN<SB POS="POST">0,2</SB> TE, нанесенной на прозрачную подложку 2. Под действием ИК-излучения пленка изменяет свое кристаллическое состояние: происходит структурное упорядочение первоначально аморфизованного слоя пленки в местах воздействия излучения, он изменяет свою прозрачность в ИК-диапазоне и таким образом фиксирует информацию. Считывается информация с помощью ИК-излучения. Изобретение позволяет повысит чувствительность носителя информации и осуществить скрытую в видимом диапазоне запись излучения ИК-диапазона. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

09) 01) 4038 А1 (51)4 G 11 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ фиР 4

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4333794/24-24 (22) 26.11.87 (46) 15.07.89. Бюл. 11 26 (71) Московский электротехнический институт связи и МГУ им.М.В.Ломоносова (72) А.П.Горчаков и Ю.А.Зарифьянц (53) 681.327.66(088.8) (56) Журнал: научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1981, т.26, М 4, с.304-315.

Авторское свидетельство СССР.

У 591932, кл. G 11 В 7/00, 1976. (54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, а именно к носителям информации, и может быть использовано для записи и хранения информации или изображений, переносимых инфракрасным (ИК) излучением. Целью изобретения является повышение чувствительности носителя к ИК-излучению. Это достигается исгользованием в качестве носителя пленки 1 аморфного полупроводника

Pb 0 < Бп О, Те, нанесенной на прозрачную

I подложку 2 ° Под действием ИК-излучения пленка изменяет свое кристаллическое состояние: происходит структурное упорядочение первоначально аморфиэованного слоя пленки в местах воздействия излучения,он изменяет свою прозрачность в ИК-диапазоне и таким образом фиксирует информацию.

Считывается информация с помощью ИКизлучения. Изобретение позволяет повысить чувствительность носителя информации и осуществить скрытую в видимом диапазоне запись излучения ИКдиапазона. 2 ил.

14М0ЗВ

Изобретегн1е относится к автоматике и III,lw»cлительной технике, л именно к носителям информации, и может быть использовано для записи и хранения информации или изображений, переносимых инфракрасным (ИК) излучением.

Цель изобретения — повышение чувствительности носителя к ИК-излучению. т

На фиг.1 показан носитель информации; на <1яи .2 — спектры пропускаиия иолупровод1н1ковогo слоя H исходном состоянии Il после ого нагревл

ИК-излучением до 60 и 120 С. носитель IIIII1IOP I;Ili»11 представляет собой полупроводьн1ковый слой л ., рфIIoI o полупРовоД11икл (P1>î и о г) 0ь10о чувствительного к ИК-их(учени10, нане- 20 сенный нл прозрлчну1о 11одложку 2.

Носитель действует следующим образом.

При воздействии нл аморфный слой (Pb08 SnII2) р5Тео ИК вЂ” излучения с элер- 25 гиеи квантов Г 11э„ Е о ширины запрещенной зоны происходит его поглощение и разогрев слоя. При нагреве до

60 С лморфный млтерилл (" g1ISnII т)о Тес нлч1ьнает кристалли- 30

4 \

1 зоваться п местах воздействия и \Jlgчепия, Вследствие этого в этих местах происходит упорядочение сл:»I и резко снижается доля рассеиваемого света и рлстет доля прошедшего света °

При этом записанное иэображение остается открытым в видимом диапазоне.

Нл фиг.2 показаны спектры про1ускания слоя в исходном состоянии (кривая 3) после его нагрева ИК-1 злучео иием до 60оC (plln<1II 4) и до 120 С (кривая 5) . Разогрев полуировоцникл о до температур свыше 420 С мох ет привести к частичному испареник компо111 нт твердого раствора и его разрушешпо, Илтерилл (Ph „Sn „) Те являк о, о,л ется твердым раствором замещенйя, который может существовать при

0 < X 1. При этом изменение состава (т.е. Х) ведет к изменению ширины запрещенной зоны FII от 0,03 до О,Э эВ.

Это позволяет, изменяя состав, менять диапазон чувствительности носителя.

Считывание информации осуществляется путем облучения носителя ИК-источником света.

Пример. Полупроводниковый слой представляет собой аморфну10 пл елку (Pb0 < Sn о 1 р Те î, > нане сенную одним из из11естных способов нл прозрачную подложку.

IIoJIJIoKKQ вьп1олнена из млтериллл, 11розрлчного в ИК-диапазоне: BaF, KCI ЧаС1 . Возможно .использование других 11лтериллов., пропускающих ИКизлучение.

По сравнени10 с известными носите" лями (металлические пленки на проэрлчных подложках, термопластические слои ) данный носитель позволяет реализовать большую чувствительность и осуществлять скрытую в видимом диапазоне запись излучения ИК-диаплзонл. формул а изобретенил

Носитель информации, содержащий полупроводниковый слой, расположенный на прозрачной подложке, о т л и ч а

1о шийся тем, что, с целью повышения чувствительности носителя информации к инфракрасному излучению, полупроводниковь!й слой выполнен из аморфного полупроводника (!- оp gSng,g) II, ТЕр S °

I 494038

ГО Я, жгн (Д им dan+wJ

Составитель А.Ануфриев

Техред П,Сердюкова Корректор И.Горная

Редактор М. Келемеш

Заказ 4115/47

Тираж 558

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101