Патент ссср 155997

Авторы патента:

G11C11/08 - многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (G11C 11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти G11C 11/06)

№ 155997

Класс 6 06f; 42m, 14«

СИПИС1АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТ;.!РСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ("-й с)й т . Чь, ..Ъ .-

:, 1!

Подписная группа Л«174

T. К. Цсгсев

МАГНИТНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ПАМЯТИ СО

Сг ИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ БЕЗ ЕЕ РАЗРУШЕНИЯ

Заявлено 2-1 октября 1960 г. за ¹ 683155,п6 в Комитет по делам изобре енин и открв!-1!и прп Совете 1!Пни . стров CCCP

Опубликовано в «Б!ог!летене изобретений и товарн1.1х знаков:>,Х: 14 за 1963

Известны магнитные запоминающие . стройства со считыванием информации без ее разрушения, в которых использовано Ортого сальное воздействие магнитных полей.

По сравнению с известными технология изготовлешгя предлагаемого магнитного запоминающего устройства более проста.

Это достигается путем H310TOBле11ня элемента памяти 3 стропе!чп1 в виде платы с двумя парами отверстий, расположенных симметрично

От носительно центра эле. i!ента.,cpез Одн i па p! протнвол piI<21!!1i ОT верстий проходит провод записи, а через другую и",ру отверстий вЂ” провод считывания.

На чертеже показана схема запоминающего элемента, где 1 вЂ” запоминающHe отверстия, 2 вЂ” отверстия опроса, 3 вЂ” провод запнсн, -1вЂ” провод опроса, 5 вЂ” выходной (сигнальньш) провод, 6 вЂ” участок фе!ромагнитной платы.

Запоминающий элемент представляет собой пластину нз ферромагнитного материала с прямоугольной петлей гистерезнса (например, феррита), имеющую две пары отверстий. Отверстия попарно пронизаны проводами и расположены ТВК, что 1!аправ !ение! х!агнптных полей прОводов перекрещиваются в серед!Пне пространств"-. 3!ежду отверстиями.

Одна пара отверстий используется для записи двон н!о!! информации, а другая пара вЂ” -для опроса при считывании.

Запись информации осуществляется пропусканием импульса тока через провод 8, в результате чего материал вокруг отверстии 1 намаг(co3paeTcH ocTaTo IlIbiIi 1loToI записи) . С п1тыв21 н<-: (6e3 разрушения записанной информации) производится путем посылки импульса тока опроса по проводу 4.

М 155997

Предлагаемый элемент имеет большее отношсние амплитуды считываемого сигнала к току опроса по сравнению с отношением амплитуды считываемого сигнала к току опроса в биаксах или в других элементах памяти.

Предлагаемое магнитное запоминающее устройство памяти более технологично по сравнению с магнитными оперативными запоминающими устройствами, в которых используется ортогональное взаимодействие магнитных полей.

Предмет изобретения

Магнитное запоминающее устройство памяти со считыванием информации без ее разрушения, в котором использовано ортогональное воздействие магнитных полей, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, элемент памяти устройства выполнен в виде платы с двумя парами отверстий, расположенных симметрично относительно центра элемента, через одну пару противолежащих отверстий проходит провод записи, а через другую пару отверстий вЂ” провод считывания.

Сос гавитель О. Артамонов

Редактор Л. К. Ушакова Текред Л. А. Камышннкова Корректор Кк М. Федулова

Г1одп. к пеп. 29,Х1 вЂ” 63 г. Форма г бум. 70 к, 108 1!„. Об;e.> 0,18 иад.;..

3ак. 1672, 3 Тип пик 723 Цсна 4 когк

ЦН111111И Государсп еи: ого комитета по делам изобретений и открытий CCCP

: )о ii!33, LIellTji, II,3. СерОВВ> д. 4.

Типографии, пр. Сапмпоиа, 2,