Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах

 

1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла его насыщают водородом до концентрации отрицательных ионов замещения водорода 5·10¹⁶ - 3·10¹⁸ см^-3.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что ионный кристалл облучают протоками с энергией от 4,7 МэВ и флюенсом от 1,0·10¹⁰ до 4·10¹³ протон/см² или дейтронами с энергией 15 МэВ и флюенсом 2·10¹¹ дейтрон/см².