Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью

Авторы патента:

H01L39/22 - приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта Джозефсона

1. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью, содержащий сверхпроводящие электроды, соединенные прослойкой из аморфного полупроводника, легированного примесью до вырождения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров перехода, в качестве легирующей примеси использованы кластеры из сверхпроводящего материала.

2. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, кластеры имеют размеры, не превышающие 0,1, где - длина волны де Бройля электронов в легированной полупроводниковой прослойке.

Высокочастотный сквид // 1526530

Высокочастотный точечный контакт джозефсона // 1512436

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводника // 1508886

Изобретение относится к области сверхпроводимости

Способ получения металлических микромостиков // 1485970

Гибридный высокочастотный сквид // 1482485

Многодырочный объемный сквид // 1450684

Сверхпроводниковый регистр сдвига // 1445483

Точечный контакт джозефсона // 1436798

Способ получения сверхпроводящего материала // 1414251

Изобретение относится к изготовлению сверхпроводяпр х материалов Целью изобретения является расплтрение технических возможностей за счет увеличения твердости и прочности на сжатие сверхпроводящего материала

Способ получения квантового интерференционного элемента // 2111579

Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов

Многослойный материал // 2131157

Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления // 2133525

Переключаемый планарный высокочастотный резонатор (варианты) и фильтр // 2179356

Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе

Сквид-магнитометр на высокотемпературных пленках // 2184407

Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов

Способ создания слабых связей в системах на пленочных втсп- сквидах // 2199796

Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах

Способ изготовления устройства на основе эффекта джозефсона и устройство согласно этому способу // 2212735

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона

Сверхпроводящая полупроводниковая наноструктура с квантовыми ямами // 2227346

Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости

Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами // 2275714

Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п

Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида // 2325004

Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот