Микрополосковая нагрузка

 

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - повышение допустимой мощности. СВЧ-сигнал поступает в нагрузку по токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое (ПРС) 4, размеры которого выбираются. При рассеивании мощности СВЧ-сигнала ПРС 4 разогревается, а тепло отводится на дополнительную диэлектрическую подложку (ДП) 7. За счет того что теплопроводность материала ДП 7 выше, чем у ДП 1, отвод тепла от ПРС 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредственно прилегающей к ПРС 4, где плотность теплового потока максимальна. Выполнение ДП 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая из всех известных диэлектриков, пригодных для использования в качестве материала подложек, обеспечивает максимальное повышение допустимой мощности. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

И А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬП ИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4367018/24-09 (22) 20 .01 . 88 (46) 23. 03. 90. Бюл. У 11 (71) Казанский авиационный институт им. А.Н.Туполева и Институт физической.химии АН СССР (72) И.Х.Исхаков, А.Н.Кузьмин, В.П.Варнин, Б.В.Спицын, А.А.Ботев, А.Е.Алексеенко и Л.Л.Буйлов (53) 621.372.855.4(088.8) (56) Патент США 11 4413241, кл. Н 01 P 1/26, 1983.

Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств.

/Под ред. В.И.Вольмана. — Радио и связь, 1982, с.182, табл.4,8,б. (54) ИИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА (57) Изобретение относится к технике

СВЧ. Цель изобретения — повышение доÄÄSUÄÄ 1552266 A 1 (51) 5 Н 01 Р 1/26

2 нустнмой мощности,, СВЧ-сигнал поступает в нагрузку по токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое (ПРС) 4, размеры которого выбираются. При рассеивании мощности СВЧ-сигнала ПРС 4 разогревается, а тепло отводится на дополнительную диэлектрическую .подложку (ДП) 7. За счет того что теплопроводность материала ДП 7 выше, чем у ДП 1, отвод тепла от ПРС 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредственно прилегающей к ПРС 4, где плотность теплового потока максимальна. Выполнение ДП 7 из алмаза, теплопроводность котoporo наибольшая иэ всех известных диэлектриков, пригодных для использования в качест" ве материала подложек, обеспечивает максимальное повышение допустимой мощностие 1 з пв флыу 1 иле

1552266

Формула изобретения

Составитель В.Алыбин

Техред II.Îëèéíûê Корректор С.Шевкун

Редактор Г.Гербер

Тираж 442 Подписное

/

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 335

Производственно-издательский комбинат "Патент". r.Óæãîðoä, ул. Гагарина, 101

Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах.

Целью изобретения является повы5 шение допустимой мощности, На чертеже показана конструкция микрополосковой нагрузки °

Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку l на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой стороне размещены токонесущий проводник 3 и пленочный резистивный слой 4, одной кромкой 5 подключенный к нему, а 15 противоположной кромкой 6 - к заземляющему основанию 2. Между пленочным резистивным слоем 4 и диэлектрической подложкой 1 введена дополнительная диэлектрическая подложка 7, теплопроводность материала которой выше теплопроводности материала диэлектрической подложки 1. Дополнительная диэлектрическая подложка 7 может быть выполнена из алмаза. 25

Микрополоскковая нагрузка работает следующим образом.

СВЧ сигнал поступает по .токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое 4. Для 30 согласования в широком диапазоне частот соответствующим образом выбираются размеры пленочного резистивного слоя 4. При рассеивании мощности СВЧ сигнала пленочный резистивный слой

4 разогревается, а тепло отводится на дополнительную диэле ктрическую подложку 7, Благодаря тому, что тепло, проводноств материала диэлектрической подложки 7 выше теплопроводности ма- 40 . териала диэлектрической подложки 1, отвод тепла от пленочного резистивного слоя 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредст-, венно прилегающей к пленочному резистивному слою 4, где плотность теплового потока максимальна, Выполнение дополнительной диэлектрической подложки 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая из всех известных диэлектриков пригодных для использования в качестве материала подложек, обеспечивает максимальное повьппение допустимой мощности, Для повышения допустимой мощности достаточно использовать сравнительно небольшие толщину дополнительной диэлектрической подложки 7, что позволяет сравнительно просто наносить ее на диэлектрическую подложку

1, например, в виде пленочного покрытия. При этом диэлектрическую подложку 1 рекомендуется выполнять из теплонита.

1.Микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой размещены токонесущий проводник и пленочный резистивный слой, одной кромкой подключенный к нему, а противоположной кромкой — к заземляющему основанию, отличающаяся тем, .что, с целью повышения допустимой мощности, между пленочным реэистивным слоем и диэлектрической подложкой введена дополнительная диэлектрическая подложка, теплопроводность материала которой выше теплопроводности материала диэлектрической подложки.

2.Нагрузка по п.l, о т л и ч à ю— щ а я с я тем, что дополнительная диэлектрическая подложка выполнена из алмаза.