Интегральная микросхема
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкциям корпусов интегральных микросхем /ИМС/, в которых применяется проволочное соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами. Цель изобретения - повышение надежности и технологичности конструкции - достигается тем, что ИМС содержит корпус, состоящий из основания с металлическим дном и керамической рамки 2 с выводами 3. Выводы 3 образуют во внутреннем объеме корпуса ИМС контактные площадки 4 по периметру монтажной площадки 5 для установки полупроводникового кристалла 6. Проволочные перемычки 7 подведены к контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактным площадкам 4. Монтажная площадка выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси. Одинаковость длины и формы проволочных выводов повышает эксплуатационную надежность ИМС в условиях механических воздействий за счет сужения диапазона резонансных частот выводов. Корпус обеспечивает наиболее блигоприятные условия для автоматизации разварки выводов, кроме того сокращается расход драгметаллов за счет уменьшения общей длины соединений. 2 ил.
СОЮЗ СОНЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТНЕННЫЙ КОМИТЕТ
Il0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ;
% ю
I 1
gl
К АВ ГОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1 (21) 4437259/24-21 (22) 06,06.88 (46) 30 03 90, Бюл. У 12 (72) В.И.Ботнарь и Н.А.Гречнев (53) 621,791,36 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
Р 447871, кл. Н 05 К 7/00, 1972, Ханке X.È,, Фабиан Х, Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. 11.: Энергия, 1980, с ° 111, (54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИИКРОСХЕ11А (57) Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкциям корпусов интегральных микросхем (И11С), в которых применяется проволочное соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами. Цель изобретения— повышение надежности и технологичности конструкции достигается тем, что 121С содержит корпус, состоящий иэ основания с металлическим дном 1
ÄÄSUÄÄ 155415 А 1 (51)5 Н 05 К 7/00 Í 01 1, 3/О
2 и керамической рамки 2 с выводами
3, Выводы 3 образуют во внутреннем объеме корпуса И11С контактнь|е площадки 4 по периметру монтажной площадки 5 для установки полупроводникового кристалла 6, Проволочные перемь|чки 7 подведены к контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактным площадкам 4, Ионтажная площадка выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси. Одинаковость длины и формы проволочных выводов повышает эксплуатационную надежность ИМС в условиях механических воздействий эа счет сужения диапазона резонанасных частот выводов. Корпус обеспечивает наиболее благоприятные условия для автоматизации разварки выводов, кроме того, сокращает расход драгметаллов за счет уменьшения общей длины соединения. 2 ил.
1554150
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к конструкциям корпусов интегральных микросхем (ИИС) различных типов, в которых
5 применяется проволочное соединение контактных .площадок полупроводникового кристалла с внешними выводами.
Цель изобретения — повышение эксплуатационной надежности ИИС и технологичности конструкции.
На фиг.1 изображена И1 РС; на фиг.2 разрез А-A на фиг,1.
И11С содержит корпус, состоящий из основания с металлическим дном
1 и керамической рамки 2 с выводами
3. Выводы 3 образуют во внутреннем объеме корпуса ИИС контактные площадки 4, расположенные по периметру монтажной площадки 5 для установки 20 полупроводникового кристалла 6, проволочные перемычки 7 приварены к контактным площадкам полупроводникового кристалла 6 и контактным площадкам 4. Монтажная площадка 5 25 имеет форму усеченного эллипса.
В зависимости от размеров применяемых кристаллов усеченный эллипс, учитывая необходимые требования по размещению кристаллов в корпусе, 30 строится следующим образом, Точка б пересечения осей симметрии эллипса размещается в центре монтажной площадки. Вершины эллипса по малой оси и фокусы эллипса располагаются на
35 рекомендуемом расстоянии с учетом необходимого зазора (например, 1,25 мм) от соответствующих сторон прямоугольного кристалла, Строится заданный эллипс и отсекается с двух. сторон перпендикулярами к оси на фокусном расстоянии от центра, Обеспечение одинаковой длины и однородности форм проволочных выводов, соединяющих контактные площадки кристалла и корпуса, повышает эксплуатационную надежность ИИС в условиях механических воздействий за счет сужения диапазона резонансных частот выводов. При этом уменьшение длины диагональных выводов обеспечивает смещение границы диапазона вверх. Испытания показали, что для IIIIC с золотыми проволочными выводами нижняя граница диапазона может быть смещена вверх на несколько килогерц °
Повышение технологичности конструкции корпуса ИМС определяется обеспечением наиболее благоприятных условий для автоматизированной разварки выводов, Сокращаются ошибки прзиционирования и техпотери в зависимости от оборудования íà 10-457., сроки технологической подготовки производства и затраты на усложнение сварного оборудования.
Форма монтажной площадки в виде усеченного эллипса обеспечивает снижение материалоемкости, в т.ч ° расхода драгметаллов (золота) за счет уменьшения длины соединений (до
11,7%) и площади золоченых поверхностей рамки выводной и монтажной площадки (до 500 r на млн корпусов), Кроме того, при геометрической однородности выводов обеспечивается возможность повышения достоверности результатов измерения разрушающих и неразрушающих сил при испытании выводов на механическую прочность.
Формула изобретения
Интегральная микросхема, содер" жащая корпус, выполненный в виде герметично соединенных между собой крышки и Основания монтажной пло" щадкой и контактными площадками, расположенными по периметру монтажной площадки, выводы, размещенные в основании и электрически соединенные внутренними концами с.контактными площадками основания, закрепленный на монтажной площадке основания кристалл, контактные площадки которого электрически соединены с контактными площадками основания посредством перемычек„ о т л и ч а ю— щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности и технологичности конструкции, монтажная площадка основания выполнена в форме эллипса, усеченного в направлении большей оси.
Составитель B.Ñàäîâ
Редактор М.Товтин Техред 11,Дидык Корректор Н.Ревская
Заказ 466 Тираж 687 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/S
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101
