Способ магнитного контроля изделий

 

Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий магнитным методом и может быть использовано при обнаружении дефектов в ферромагнитных изделиях (прокате, сварных соединениях, фасонных изделиях). Цель изобретения - повышение достоверности контроля - достигается путем определения раскрытия дефекта. Изделие намагничивают дважды, регистрируя поле дефекта при различных значениях напряженности поля. По относительному изменению поля дефекта и градуировочной зависимости определяют раскрытие дефекта. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (Н7

64 А1

Р1)5 G 01 N 27/72

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

flPH ГКНТ СССР (21) 4301747/24-21 (22) 02.09.87 (46) 30,05,90. Бюл. В 20 (75) В,А.Новиков (53) 621.317.44(088.8) (56) Зацепин Н.Н., Щербинин В,Е, О некоторых особенностях топографии магнитного поля рассеяния поверхностных дефектов в ферромагнитных полях.—

Нераэрушающие методы контроля материалов и изделий. M,: ОНТИприбор, 1954, с.271-277, (54) СПОСОБ МАГНИТНОГО КОНТРОЛЯ ИЗДЕЛИЙ

Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий магнитным методом и может быть использовано при обнаружении дефектов в ферромагнитных изделиях (прокате, сварных соединениях, фасонных изделиях).

Цель изобретения — повышение достоверности контроля эа счет определения раскрытия дефекта.

На фиг.1 и 2 изображены графики зависимостей полей дефектов соответственно малого и большого раскрытия от величины намагничивающего поля; на фиг.3 — градуировочная зависимость.

Способ контроля осуществляют следующим образом, Вначале контролируемый объект намагничивают постоянным полем, создавая напряженность внешнего поля на поверхности объекта, не имеющего дефектов Н = Н„. Измерив результирую"

2 (57) Изобретение относится к неразрушающему контролю изделий магнитным методом и может быть использовано при обнаружении дефектов в ферромагнитных изделиях (и ро к а те, сварных соединениях, фасонных иэделиях) . Цель изобретения — повышение достоверности контроля - достигается путем определения раскрытия дефекта, Иэделие намагничивают дважды, регистрируя поле дефекта при различных значениях напряженности поля, По относительному изменению поля дефекта и градуировочной зависимости определяют раскрытие дефекта, 3 ил. щее поле на поверхности дефектного изделия (например, с помощью ленточного локального датчика) и, вычитая внешнее поле, получают поле дефекта

Нс,, Аналогичные измерения выполняют при Н = Н, получая Н, Вычисляют

Н,(— Н,7» отношение — — — — = Ь Н, . ЗкспериН ОЯ Hot ментально установлено, что чем больше ширина дефекта, тем больше Н .

На фиг ° 1 показан характер зависимости поля дефекта от напряженности намагничивающего поля при ширине дефек та менее 0,02 мм. Как видно при

Н ) 40-60 А/см наклон кривой по ото ношению к оси абсцисс уменьшаетсд.

На фиг ° 2 — аналогичная зависимость при ширине дефекта свыше 0,2 мм.

Корреляционная связь между Н 1 и шириной (раскрытием) дефекта показана

1567964 на фиг.3, откуда следует, что с рос" том ширины дефекта ЬН возрастает.

Для осуществления способа используют П-образный электромагнит, обмотка которого питается постоянным током, и преобразователь поля, Градуировочная кривая построена для дефекта определенной глубины.

В общем случае аН,1 связано с раскрытием (относительной шириной дефекта), Для построения кривой (фиг.3) использовались эталонные образцы с дефектами известного раскрытия, Пример 1. Контролировали образец иэ стали 09Г2, представляющий собой два состыкованных торцовыми поверхностями и плотно прижатых струбциной бруска размерами 100х40х8 мм (имитация дефектов сварки трением).

Предварительно на бездефектном бруске размерами 200х40х8 мм подбирали режи мы намагничивания, соответствующие

Н 60 A/см и Но= 80 А/см, Измерение горизонтальной составляющей ре- 25 зультирующего поля выполняли с помощью комбинированного прибора 1Ц4311, Поле дефекта определяли как разность результирующего и внешнего полей, Вычисления показали Н,1 = 0,15, Пример 2, Между.стыкуемыми поверхностями описанных образцов укладывали неферромагнитную прокладку толщиной 0,6 мм, имитировавшую дефект большого раскрытия, Измерения и выполненные затем вычисления показали, что Н1 1,55, Исследования показали, что наиболее достоверные данные о раскрытии дефекта получаются в случае выбора 40 значений напряженности поля в диапазоне 60-80 А/см.

Таким образом, предложенный способ ! позволяет производить разбраковку контролируемых изделий не только по ве- 45 личине поля рассеяния дефекта, цо и по раскрытию последнего; что повышает достоверность контроля.

Формула и э о б р е т е н и я

1,Способ магнитного контроля изделий, включающий намагничивание контролируемого иэделия постоянным магнитным полем н регистрацию поля дефекта, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля за счет определения раскрытия дефекта, дважды намагничивают эталонные иэделия с различным раскрытием дефектов и контролируемое иэделие при различных значениях напряженности постоянного магнитного поля, регистрируя при этом поля дефектов, определяют относительное изменение поля дефектов контролируемого изделия, причем раскрытие дефекта в контролируемом иэделии определяют по величине относительного изменения поля дефекта контролируемого изделия и градуировочной зависимости раскрытия дефекта в эталонных изделиях от относительного изменения поля дефекта в них, а относительное изменение поля дефекта контролируемого изделия определяют из соотношения

НЛ2i- Hdi

АН 1

О О1 где h,Hd — относительное изменение поля дефекта контролируемо го иэделия;

H,H — поля дефектов контролируемого изделия при напряженности намагничивающего по-. стоянного магнитного поля

Н„,и Н„, соответственно.

2,Способ по п,1, о т л и ч а ю— шийся тем, что значения напряжен ности намагничивающего постоянного магнитного поля выбирают в интервале

60-80 А/см.

1567964

Тираж 505

Подписное

BHHHIIH Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Редактор М,Келемеш

Заказ 1319

Составитель С,Шумилишская

Техред Л.Сердшкова Корректор С. Некмар