Транзисторный ключ

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в различных коммутирующих устройствах. Цель изобретения - повышение КПД и увеличение глубины затухания сигнала. Для достижения цели введены прямосмещенные диоды 6 и 8. Устройство содержит транзисторы 1,2 одного типа проводимости, транзисторы 3,4 другого типа проводимости. На чертеже также показаны входная шины 7, выходная шина 5, управляющая шина 10 и общая шина 9. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕОНИХ

РЕСПУБЛИН

У1) и 03 К 17/60

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и ABTOPCHOMV СВИДЕТЕйЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ П<НТ СССР (61) 1359900 (21) 4484920/24-21 (22) 20.09.88 (46) 07.06.90, Бюл. Р 21 (72) Е,М.Краснов и И.H Äðèãà (53) 621,382 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 1359900, кл, Н 03 К 17/60, 1986.. (54) ТРЛНЗИСТОРНЫЙ КП10Ч (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано

„„SU„„1569969 А 2 в различных коммутационных устройствах. Цель изобретения — повышение

КПД и увеличение глуб|п:.ь1 з".òóõàíèÿ сигнала. Для достижения цели введены прямосмешенные диоды 6 и 8. Устройство содержит транзисторы 1, 2 одного типа проводимости, транзистрры

3, 4 другого типа п1 оводимости. На чертеже также показаны входная шина

7, выходная шина 5, управляющая шина

10 и общая шина 9. 1 ил.!

569969

Пзобретение относится к импульсной технике, может быть использовано в ра зли Alfhlx KQM THp y þ!öèõ $ TpoHc тлях и является усовершенствованием изобретения по авт. св. Р 1359900.

Цель изобретения — повышение ЕПД и увеличение глубины затухания cI:.гнала.

На чертеже представ: епп электрическая схема предлагаемого транзисторного ключа.

Транзисторный ключ содержит первый 1 и второй ? транзисторы однсгo типа проводимо ти, .- тий 3 и четвер- 1,5 тый 4 транзисторы другого типа проводимости, коллектор первого Tp,II ýècтора 1 подключен к выходной шине 5, эмиттер через прямосмещенный диод 6 подключен к входной шине,", а база соединена с коллектором транзистора

3, коллектор транзистора 4 подключен к выходной шине 5, эмиттер через прямосмещенный диод 8 подключен к вход— ной шине 7, а база соединена с коллектором транзистора 2, база которого подключена к общей шине 9, а эмитгер — к эмиттеру транзистора 3, база которого соединена с управляющей шиной 10.

3Q

Транзисторный ключ работает следующим образом.

При отсутствии напряжения U aa управляющей IIIHíå 10 травзисторы 1-4 заперты, и на выходной пине 5 напря35 жение отсутствует при любой поляр flocти напряжения на входной шине 7. При наличии положительного напряжения на управляющей шине 10 транзисторы 3 и

2 отпираются, и напряжение любой полярности U „ на шине 7 при активной ( нагрузке повторяется на выходной ши не 5. При этом положительная полуволна входного сигнала проходит н» выходную шину 5 через диод 6 и от;:рытый транзистор 1, диод 8 препя:.ст- 15 вует прохождению положительной полу;:.,лны на транзистор 4, база — эми"..ерный переход которого представляет собой набольшое сопротивление. Сопро".ивление перехода коллектор — база 5Î ."ранэистора 2 для обратного напряжения также имеет конечную величину, Сумма сопротивлений этих пе-.= .одоп является дополнительным сопротивлением нагрузки для вхсдного сигнала.

При отсутствии диода 8 часть энергии сигнала положительной полярности потребляется клю oM. Диод 8, представляющий большое сопротивление для llo ложительной полуво:Iffbf сигнала, резко снижает потребление ключом энергии входного сигнала.

При отрицательной полярности входного сигнала последней проходит на выходную шину 5 через диод 8 и открытый транзистор 4. При этом диод 6 препятствует прохождению отрицательной полуволны сигнала на транзистор

1. Сопротивление цепи: база — эмиттерный переход транзистора 1 — коллекторный переход транзистора 3 — база — эмиттерный переход транзистора 2 теперь не оказывает своего шунтирующего действия на входной сигнал, т.е. при этом ключ также не потребляет дополнительно энергию входного сигнала. В результате 1 1Д транзисторного ключа значительно возрастает.

При снятии положительного управляющего напряжения с шины 10 транзисторы 1-4 запираются, ток чер.. диоды

6 и 8 при наличии входного си-.,íàëà резко падает, а сопротивления диодов при малых токах значительно возрастают. Суммируясь с сопротивлением коллекторных переходов транзисторов и 4, они значительно увеличивают общее сопротивление закрытсго ключа и, соответственно, увеличивают глубину затухания сигнала при отсутствии управляющего напряжения.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Транзисторный ключ по авт, св.

Р I359900, отличающийся тем, что, с целью повышения КПiI и увеличения глубины затухания сигнала, введены два прямосмещенные диода, катод первого диода соединен с эмиттером первого транзистора, анод первого диода соединен с катодом второго диода и подключен к входной шине, анод второго диода соединен с эмиттером че вертого транзисто„.:.