Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.
Похожие патенты:
Эпитаксиальный реактор // 1541689
Изобретение относится к электронной технике, в частности к установкам эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки методом газофазного осаждения
Способ изготовления кремниевых структур // 1316486
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых структур, в частности к технологии изготовления кремниевых структур
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве кремниевых эпитаксиальных обращенных структур
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы
Способ получения изолирующих покрытий // 1119523
Изобретение относится к технологии получения слоев полупроводниковых материалов из газовой фазы, в частности, может быть использовано при осаждении толстых эпитаксиальных и поликристаллических слоев на монокристаллических подложках в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых эпитаксиальных структур
Изобретение относится к технологическому оборудованию для автоматизированного производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к устройствам газофазного наращивания слоев при быстром термическом воздействии
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов и может использоваться при выращивании тонких пленок контролируемого состава, в том числе эпитаксиальных, из паровой фазы на разнообразных подложках
Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния
Тонкие пленки гидрогенизированного поликристаллического кремния и технология их получения // 2227343
Изобретение относится к новым материалам электроннной техники и технологии его получения