Способ изготовления датчиков

 

I64998

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сьюз Советских

Социалистииеских

Реслублик

Кл. 421<, 4503

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 15Х111. 1963 г. (¹ 852636/25-8) МПК G Oll с присоединением заявки ¹

Приоритет

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК

Опуоликовано 04.IX.1964 г. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 8.Х.1964 зни

ТНб .

Авторы изобретения

3 а я витель

Л. М. Воробьева и М. М. Милованова

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКОВ

Подписная группа № 11б

Известен способ изготовления тензодатчиков сопротивления путем испарения и конденсации металла или полупроводника в вакууме. Исходный материал помещают на испарителе, над которым устанавливают трафарет с подложкой, предназначенной для конденсации на ней испаряемого исходного материала.

Предлагаемый способ отличается от извеc1ных тем, что исходный материал берут в количестве, рассчитанном из . условия получения заданных датчиков, а трафарет устанавливают соосно нспарнтелю и вращают его до полного испарения исходной навески матер и ал а.

Полученные по предлагаемому способу тензодатчики имеют однородные характеристики.

Способ изготовлеш|я датчиков, например тензодатчиков сопротивления, с напыленнымн тензочувствительными элементами предусматривает создание серии тензодатчнков в процессе полного испарения определенного количества металла или полупроводника. Для образования тензочувствнтельных элементов применяют трафареты круглой формы. Отверстия на трафарете для конденснрования испаренного материала располагаются по радиусам. При использовании таких трафаретов применяются круговые испарители.

Навеска пспаряемого материала распределяется равномерно по всей площади нспаритсля. Трафарет и нспаритель располагают соосно, чтобы все отверстия трафарета были в одинаковом положении по отношению к нспарителю.

Материал конденсируется на помещенной за трафаретом подложке. Для достаточного осреднения толщины слоя получаемого кон10 денсата трафарет вращается с помощью механизма вращения, рассчитанного таким образом, чтобы скорость вращения трафарета составляла примерно 100 об)мин.

Пре,чмет изобретения

Способ изготовления датчиков, например тензодатчиков сопротивления, путем испарения металла нлн полупроводника в вакууме, "-i,êëþ÷àþùèéñë в том. что исходный мате20 риал помещают на испарителе, над которым устанавлнва|от трафарет с подложкой, предназначенной,чля конденсации на ней нспаряемого исходного материала, о т л и ч а ю щ и нся тем, что, с целью получения тензодатчи25 ков с однородными характеристиками, берут нсхо,,ный материал в количестве, рассчнтанII0ì из условия получения заданных датчиков, трафарет устанавливают соосно нспарптелю и вращают его до полного испарения

30 исходной н авескн материала.