Патент ссср 165530

 

Союз Советских

Социалистически

Республик

1" 32п 3/4

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлегнг 11 V1.1962 (¹ 782003/29-14) М11K C 03с с присоединением заявки ¹â€”

Г1риоритет—

Опубликовагго 12. ».1964. Бюллегclll № 19

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР

»гДК 666.112.6(088.8) Дата опубликования описания 17.Х.1964

ВСО - МI - 1)1Я

Авторы изобретения

А. Я. Кузнецов и В, А. Цехомский

1г) Заявитель

ПОЛУПРОВОДН ИКОВОЕ СТЕКЛО

Это стекло варят в восстановительных условиях, для чего в состав шихты вводят 1 — 5О„

» гля или другого восстановителя.

Предлагаемое стекло может быть использовано для изготовления омических сопротивлений с устойчивыми параметрами, 10

Г1олупроводниковое стекло на ос гове двуг киси кремния и двуокиси титана, о т л и ч а гощ е е с я тем, что, с целью обеспечения его электропроводности порядка 10 г — 10

15 ом г ск-г, oIIO соДеРжит (в мол, ог,) ДвУокиси кремния 30 — 50, двуокиси титана 30 — 50, и в него дополнительно вводят окиси бария

20 30.

Подггисгги.г зрутга № 177

Известны щелочные силикатные стекла на основе двуокиси кремния и двуокиси титана.

Такие стекла обладают незначительной электронной проводимостью, малой температуростойкостью н высокой кристаллизационной способностьго.

Предметом изобретения является полупроводниковое стекло с электропроводимостью при комнатной температуре порядка 10 4—

10 олг г с.ч >, полученное при введении в бесщелочное силикатное стекло двуокиси титана и окиси бария.

Наибольшей электронной проводимостью обладают стекла системы ВаΠ— SiO — TiO, которые содержат (в мол. Огго): ВаО 20 — 30, Т10. 30 — 50, SiO> 30 — 50. В качестве образца мо>кгго указать на стекло состава (в мол. о/,);

SiO 30; ВаО 25; TiO 45.

Предмет изобретения