Патент ссср 167669

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик ф з„

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 17.1.1962 (№ 761358/23-26) Кл. 421. Зо1

МПК G Oln с присоединением заявки ¹

Приоритет

Госудврствеи11ый комитет по делам изобретений и откРытий СССР

УДК

Опубликовано 18Л.1965. Бюллетень ¹ 2

Дата опубликования описания 27.1.19б5

1 f

) ю1

1 !

П, А. Савинцев, A. Ф. Наумов и П. П. Одинцов

° 1

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ

Лннсяная скорость раствореннягранн(1СО) ч(1oo) .1o — 4 в с,и/сек

v(11o)

v (1oo) Концентрация раствора в ".;, вес.

0,97

1,1О

1,1г

1,16

1,29

1,59 г, 13

2,56

2,64

3,16

3,65

60,3

39,5

28,6

17,4

6,67

2,64

1,02 о,43

0,16

0,044

0,018 о о

1О,О

15,0

20,0

24,0

25,0

25,60

26,00

26,25

26,350

26,377

26,400

30

Под>гисная группа № 178 1

Изобретение относится к способу определения дефектов структуры кристаллов по их растворению, который может найти поименение в физико-химических лабораториях при изучении структуры твердых тел, влияния облучения, деформации, закалки и других явлений на свойства кристаллов.

Известный способ определения структуры кристаллов по их растворению заключается в том, что растворение происходит путем омывания растворителем граней кристалла в проточном движении растворителя. Однако такой способ не позволяет судить о дефектах структуры кристаллов.

С целью определения дефектов структуры кристаллов по их растворению предлагается растворение осуществлять путем действия на кристалл двух одинаковых по своему диаметру, составу, скорости и температуре струй, падающих по нормали на грани испытуемого и эталонного образцов. Растворитель центробежным насосом подают в верхний сосуд, откуда он по соединительной трубке попадает в делитель, где делится на две одинаковые струи. Эти струи проходят через калиброванные трубки и падают на грани эталонного и испытуемого образцов.

При падении струи на образец в последнем образуются ямки, по глубине которых и по времени определяют скорость растворения кристалла а затем по отношению величин растворения эталонного и исследуемого образцов судят о дефектах в кристалле.

Пример 1.

Растворение проводят при температуре

20 С, диаметре струй раствора 2 мм и скорости их 7 м/сек. Растворению подвергают монокристаллы хлористого натрия, выращенные из расплава по методу киропулоса и отоженные при 600 С в течение 42 час с последующим охлаждением со скоростью 10 в час.

Данные растворения грани (100) и (110) монокристалла NaC1 в водном растворе NaCl приведены в таблице.

167669

Составитель Турчакова

Редактор Л. К. Ушакова Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Л. Е. Марисич

Заказ 3587/10 Тираж 700 Формат бум. 60X90 /з Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Из таблицы видно, что чем больше концентрация раствора, тем больше отношения величин Ч<ы;> . Ч<шо>.

Предмет изобретения

Способ определения дефектов структуры кристаллов путем их растворения, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения точности определения, растворение ведут путем действия двух одинаковых по своему диаметру, скорости, составу и температуре струй, направленных по нормали на грани испытуемо5 го и эталонного образцов, и по отношению величин скорости растворения эталонного и исследуемого образцов судят о дефектах в кристалле.

Патент ссср 167669 Патент ссср 167669 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для внутритрубного неразрушающего контроля трубопроводов, а именно для контроля профиля полости уложенных магистральных нефтегазопродуктопроводов путем пропуска внутри контролируемого трубопровода устройства с установленными на корпусе средствами измерения дефектов полости трубопровода, средствами обработки и хранения данных измерений, продвигающегося внутри трубопровода за счет транспортируемого по трубопроводу потока жидкости (газа)

Изобретение относится к неразрушающему контролю длинномерных изделий, в том числе труб, и может быть использовано при сканировании наружной поверхности длинномерных изделий

Изобретение относится к активным методам акустического контроля упругих конструкций, использующих вынужденные механические колебания, и может найти применение, например, в двигателестроении

Изобретение относится к области испытательной техники и предназначено для обнаружения и измерения распространения дефектов в детали или конструкции

Изобретение относится к средствам для контроля целостности конструкции, расположенной в окружающей среде, содержащей текучую среду под давлением окружающей среды

Изобретение относится к активным методам акустического контроля упругих конструкций, использующих вынужденные механические колебания, и может найти применение в машиностроении, в частности авиадвигателестроении

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем на активных и пассивных подложках и в дифракционной оптике при производстве элементов дифракционной оптики

Изобретение относится к неразрушающему контролю внутренних дефектов изделий, а именно к способам контроля валов, в частности для обнаружения накопленных усталостных повреждений коленчатых валов автотракторной и компрессорной техники
Наверх