Способ активации фоточувствительных пленок сульфида свинца

 

Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению, а точнее к катодам получения фоточувствительных материалов, может быть использовано в полупроводниковой технике и позволяет повысить фоточувствительность пленок и сократить время активирования. Цель изобретения - повышение фоточузствнтельности и сокращение времени активирования . Процесс ведут в атмосфере газовой смеси, включающей кислород, соду, аргон при следующем соотношенци давлений, атм: 07 (1-8) Н20 (1,84-2,10) остальное - apioHs нагревают пленку со средней скоростью 30-40 град/мин, выдерживают пленку в течение 5-10 мин, охлаждают пленку со средней скорость 15-20 град/мин до комнатной температуры . 1 ил., 1 табл,

„.ЯЦ„Ä 1625295

СОЮЗ СОБЕТО(ИХ

СОЦИАЛИСТИ ЕСНИХ

РЕС ЪБЛИН

{51)5 11 01 1, 31/18

ОПЙОАЙНЕ ЙЗОБРЕТЕЙИЧ и АВТОРСИОМЪ СВНДЕ ГЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ГЦ:1 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬ1ТИЯМ

ЙМ ГЯНТ СССР

I (46) 1з„.05.92. Бюл. Р 18

1 (2)) . 4631627/25 (22) 17.11.88 (71) Институт геохимии.ианалитической химии им. В.И.Вернадского (72) B.Ä.Подругина, А.A,Áîãäàèîâ, Л.Л,Кунин, Ю.A,Ìàëþãèí и И.H,Ñoêîëîâ (53) 621.382 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

И 380684, кл. Н 01 L 31/18, 1970.

Электронная техника, сер,2, Полупроводниковьи приборы, !983, Вып.5, c. 11-15. (54) СПОСОБ АКТИВАЦИИ ФОТОЧУВСТВИ

ТЕЛЬНЪБ ПЛЕНОК СУЛЬФИДЛ СВИ1!ЦА (57) Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению, а точнее r. методам получения фоточувИзобретение относится к полупроводниковому материаловедению, а точнее к методам получения фоточувствительных материалов, и может быть .использовано для получения фоточувствительных пленок путем их активи° рования.

Цель изобретения — повьппекие фоточувствительности и сокращение времени активирования, Иа чертеже приведена блок-схема установки для активирования пленок сульфида свинца.

Образцы помещаются в реактор 1, представляющий собой кварцевую трубу с нагревателем. В реактор подается газовая смесь Аг-О -Н20. Необходимое Р .задается и коцтролируетго ствительных материалов, может быть использовано в полупроводниковой технике и позволяет повысить фоточувствительность пленок и сократить время активироваиия, Цель изобретения — повьппение фоточувствительности и сокращение времени активирования. Процесс ведут в атмосфере газовой смеси, включающей кислород, воду, аргон при следующем соотнощенци давлений, атм: О (1-8) 10 4, Н О (1 84-2,10) 10 остальное аргон, нагревают пленку со средней скоростью 30-40 град/мин, выдержи вают пленку в течение 5-10 мин, охлаждают пленку со средней скоростЬю

15-20 гряд/мин до комнатной температуры, 1 ил., I табл. ся блоком 2 на основе метода двух

aaBJIeHHH P02 задается и контролируется блоком 3 с помощью твердоэлек» тролиткого кислородного насоса, Р рр задается и контролируется блоком 4.

В таблице приведены параметры исследованных образцов пленок сульфида свинца и режимы их активации.

Исследованию подвергались пленки, полученные термическим испарением в вакууме сернистого свинца и осаждекием его на подогретые стеклянные подложки. Средняя толщина пленок составляет 1,4 мкм. Далее с пленок удалялся аморфный налет, представляющий собой рыхлое, сильно раэориектировакное поверхностное покрытие иэ сулъфида свинца. В одном эксперимен1625295

Ш и ф . образца., . pg

U мкн. Скорость нагрева, . град/мин т те по активированию участвовало не менее четырех штук пленок, результаты измерения фотоэлектрических параметров (ФЗП), которых усреднялись.

Для измерения ФЗП на поверхность активированных пленок наносились тонкопленочные золотые электроды термическим испарением золотой проволочки в вакууме. Золотые электроды обеспечивали омические контакты с окисленной пленкой сульфида свйнца.

Одинаковые размеры фоточувствительных площадок обеспечивались с помощью маски при нанесении золотых электродов.

Проводили Измерения следующих ФЭПОМ темновое сопротивление, среднеквадра.тичное напряжение шума UIÄ, напряженйе сигнала U, Измерения ФЗП пленок проводили при к(жнатной температуре на универсально(й измерительной установке

К54.410 при следующих условиях: температура А(ЕТ 573 К, частота модуляции лучистого потока 400 Гц, напряжение смещения 20 Б, полоса пропускания уснс;-ельного тракта 156 Гц.

Параметр фоточувствительности вычислялся по формуле в = 441/Гtp, где 55 — полоса нропускання. усилительного тракта, Гц;

A --" "площадь чувстнцтельного элекента см,-"

Uc

К вЂ” — коз(и(и(1иент усиления .-, " - 9.

til, плотность лучистого потока, Вт/см .

11остояниая.времени фотопроводимости измерялась -либо по спаду фо гопроводимости, .либо рассчитывалась по частотной характеристике по стан ..дартной методике.

1 28,5 . 52.

2 19,7

3, 20, 4- .46 4 . 64

14,8 40 6 13,5 36

7, 11,2 . 30

8 !0,8 . 28

9 . 11,0 22

Предельное значение напряжения . ..шума (U ) составляет 16 мкВ и определяется нормативными актами.

Как следует из таблицы, при скоростях нагрева больших 40 град/мин из-за растрескивания поликристалли. ческих пленочных образцов происходит деградация их параметров (увеличивается напряжение шума). Снижение скорости нагрева ниже 30 грац/мив практически не сказывается на улучшении характеристик, однако приводит к увеличению времени активирования (что находится в противоречии с целью изобретения). Поэтому оптимально11 скоростью нагрева является скорость в диапазоне 30-40 град/мин.

Формула изобретения

Способ активации фоточувствитель" ных пленок сульфида свинца, включаю25 щий нагревание пленки до 580-600 С, выдержку и охлаждение ее в кислородосодержащей атмосфере, о т л,и ч а юшийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности и сокращения времени активирования,- процесс ведут в реакционной камере со скоростью ! продувки 1.см /мин в атмосфере газовой смеси, содержащей кислород, пары во1 ы и аргон, при следующем соотноHIeHHH давлений атм °

О, (1-8).10-.+ . H О {1 р 84-2, 10) -;1.0 .

Ar Остальное, нагревают со скоростью 30

40 град/мин, выдерживают в течение

5" 10 мин, охлаждают со:скоростью 15"

20 град/мин до комнатной температуры.

Uq/UIII Диапазон скорости

В ..„,.1

70.1 . Ч v 40 град/мин

1146

970 Ъ = 30-40 град/мин

1008

1 114 U < 30 град/мин

Составитель И,Дубова

Редактор Т.Горячева Техред Л.Олийнык Корректор H.Peâñêâì —, Заказ 2ч38 Тирам Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

13035, Иосква, Ж-35, Раупская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент",, г. Ултород, ул. Гагарина, 101