Формирователь импульсов

 

Изобретение относится к импульсным оустройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники, в частности в схемах памяти как формирователь вытекающих токов в адресных проводах ПЗУ трансформаторного типа, как мощный импульсный источник питания микросхем полупроводниковых ПЗУ, как мощный магистральный усилитель, который может работать на значительную емкостную нагрузку в линии связи, обладает малым и стабильным временем задержек распространения сигнала при включении и выключении в широ ком диапазоне температур и нагрузок тр бует применения одного источни я пи ч и согласуется по входу и выходу г зл- f т . миТТЛ серий. Цель изобретения - уминь ние времени задержек распространения сигнала при включении и выключении фгр мирователя и повышение его стабит чгс и путем формирования минимально димого тока насыщении выходною TI 5и стора Формирователь импул сов г транзисторы 1-6, резисторы 7-13, входную 14 и выходную 15 шины, источник 10 пита ния. При поступлении во входную шину 1/1 положительного импульса транзисторы 1 и 6 переходят в инверсный режим работы, обеспечивая быстрое запитывание бяз транзисторов 4 и 2 током от источник 10 питания через резисторы Юн 11 и п -роуодк коллектор-база транзисторов 6 и 1 П|,и этом открываются транзисторы 2-4 и на гыходе 15 формируется соответствующий пи нал. 1 ил. /5 и г W. сь so ICO о VI

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СО11ИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 03 К 5/01

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.:3 г

О, 1 3

iQ (дЪ C) (21) 4480411/21 (22) 05,09,88 (46) 07,02,91. Бюл, ¹ 5 (72) С.Н.Куцен (53) 621,374(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

N307505,,кл. Н 03 К 5/01, 1969, Авторское свидетельство СССР № 683001, кл. Н 03 К 5/01, 1976. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к импульсным оустройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники, в частности в схемах памяти как формирователь вытекающих токов в адресных проводах

ПЗУ трансформаторного типа, как мощный импульсный источник питания микросхем полупроводниковых ПЗУ, как мощный магистральный усилитель, который может работать на значительную емкостную нагрузку в линии связи, обладает малым и стабильным временем задержек распространения сиг. Ы 1626307 А1 нала при включении и выключении в широком диапазОне температур и нагрузпк, трс бует применения одного источни а ги; ч ч и согласуется по входу и выходу -. эл-.. ми ТТЛ серий. Цель изобретения — ум..ньш . ние времени задержек распространения сигнала при включении и выключении ф 1р мирователя и повышение его стабильнгст путем формирования минимально игпи; о димого тока насыщения вь хг дного т сто ра. Форм ировател ь импул ьс ое сод.! ê«;1 транзисторы 1 — 6, резисторы 7-13, вход,гу о

14 и выходную 15 шины, источник 16 питания. При поступлении во входную ши у 14 положительного импульса транэисто,.ы 1 ll б переходят в инверсный режим работы, обеспечивая быстрое запитывание баз транзисторов 4 и 2 током от источника 16 питания через резисторы 10 и 11 и и.:пекод ., коллектор-база транзисторов 6 и 1. При этом открываются транзисторы 2 — 4 и на ыходе 15 формируется соответствующий г.и нал. 1 ил.

1626307

Изобретение относится к импульсным устройствам и может быть использовано в устройствах вычислительной техники.

Цель изобретения — уменьшение времени задержек распространения сигнала при включении и выключении формирователя и повышение их стабильности за счет формирования минимально необходимого тока насыщения выходного транзистора, На чертеже представлена принципиальная схема формирователя импульсов.

Формирователь состоит иэ первого 1, второго 2, третьего 3, четвертого 4, пятого 5 и шестого 6 транзисторов, первого 7, второго 8, третьего 9, четвертого 10, пятого 11, шестого 12 и седьмого 13 резисторов, входной 14 и выходной 15 шин, источника 16 питания, Эмиттер первого транзистора 1 соединен с входной шиной 14, коллектор соединен с базой вторсго транзистора 2, Коллектор транзистора 2 через первый резистор 7 соединен с базой третьего транзистора 3. Коллектор транзистора 3 соединен с выходной шиной 15. Эмиттер четвертого транзистора 4 соединен с общей шиной, а коллектор — через второй резистор 8 с базой тре ьего транзистора 3. Эмиттер пятого транзистора 5 соединен с общей шиной, база — через третий резистор 9 с выходной шиной 15 формирователя, а коллектор — с базой второго транзистора 2. Эмиттер шестого транзистора б соединен с входной шиной 14 формирователя, а коллектор соединен с базой четвертого транзистора 4, база шестого транзистора 6 — через четвертый резистор 10, база первого транзистора

1 — через пятый резистор 11, а база третьего транзистора 3 — через шестой резистор 12 соединены с шиной 16 источника питания.

База пятого транзистора 5 через седьмой резистор 13 и эмиттер второго транзистора

2 соединены собщей шиной,,эмиттер третьего транзистора 3 соединен с шиной источника 16 питания. Резисторы 12 и 13 обеспечивают необходимый режим работы формирователя.

Формирователь работает следующим образом, При подаче на входную шину 14 формирователя положительного импульса транзисторы 1 и б переходят в инверсный режим работы, обеспечивая быстрое запитывание баэ транзисторов 4 и 2 током от источника

16 питания через соответственно, резисторы 10 и 11 и переходы коллектор — база транзисторов б и 1, Открывается транзистор 4, так как транзистор 5 еще закрыт и не шунтирует своим переходом коллектор—

55 эмиттер переход база-змиттер транзистора

2, последний также открывается.

При отношении значений со1 ротивлений резисторов 10 и 11 как 2:1, а резисторов

8 и 7 как 10:1, большим током, протекающим от шины "Плюс" источника питания через резистор 12 и создающим на нем смещение для открывания транзистора 3, является ток коллектора транзистора 2. Транзистор 3 открывается и быстро входит в глубокое нась щение из-за большого тока базы, равного в основном току коллектора транэистога,1

Ток коллектора открытого транзистора 3 формирует на выходной шине 15 на -ia pvке 17 положительный импульс с круты 1 передним фронтом.

Появление положительного им,.ульс» на выходе формирователя вызывает г1ротскание тока по делителю из резисторов 9

13, что вызывает необходимое для грнэ1.стора 5 смещение на его переходе база эмиттер, соединенного с резистором 13. Отношение значений сопротивл нии резисторов 9 и 13 выбирается таким образом, чтобы открывание транзистора 5 происходило гри полностью открытом транзисторе 3. Откр,1вание транзистора 5 вызывает з lêðыTие транзис )pcs 2, и основным o,ом тГ1лнз1 стора 3 становится ток ксллек-ора тра з. стора 4, что приводит к выходу транзистора

3 из глубокого насыщения, со давшегося нз момент включения, в неглубокое насыщенле в установившемся режи. а, так как ток коллектора открытого ран,-и" тора 4 при. близительно в 10 раз меньше тока коллактг. р;-. транзистора 2, когда он бы откры из-;а ,тношения значений сопроти...лен 1й ра л сторов 8 и 7 как 10:1.

Быстрое формирование выходного 1Q ложительного импульса л малг1е значен,» времени задержки распространения сиrн;1л. при включении обеспечивается бысгг =,; огкрь вз11ием выходног1 транзисто,,а . . ..:. счет обеспечения большого начен, 1»;я его базы на момент r.ключения, Стабильность значени., времан; распространения сигнала пр1. вкл очении ьЬеспечивается стабнльност io,.o о. or, вкл1очения транзисторов 1, 2, .3. 611-", <о:,; рые зависят только от технол 1.ли ;х изг товления.

В установившемся режиме p:14îòb значение выходного напряж .- ия и его стабильность обеспечиваются на1хпждением транзисторов 4 и 3 B состояни:; 1 ась щения и зависит только от значан;, я напря, = нля и< точника питания, При з1ом степан ° насыщения транзистора 4 н=сколько глубже степени насыщения т анэигтог l 3 определяет открытое ьостояние т -н .;. и1626307

Состэнитель В.Савинов

Техред М.Ыоргентэл Корректор M.Ïoæo

Редактор Н Тупица

Заказ 282 Тираж 460 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушскэя wa6Ä 4/5

Производственно-издательский комби«гт "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ра 4 вне зависимости от изменения температуры окружающей среды и значения напряжения источника питания. Неглубокая степень насыщения транзистора 3 определена исходя из минимального значения тока. 5 его базы через резистор 8, в зависимости от примененного транзистора 3. При этом при уменьшении температуры окружающей среды или сопротивления нагрузки транзистор

3 стремится выйти из насыщения, что при- 10 водит к уменьшению выходного напряжения, и, соответственно, к уменьшению напряжения нэ переходе база — эмиттер транзистора 5. Транзистор 5 закрывается, что приводит к расшунтированию перехода 15 база — эмиттер транзистора 2, последний открывается и своим. коллекторным током через резистор 7 подпитывает ток базы транзистора 3, что возвращает тра«эистор

3 в насыщение и приводит к увеличению 20 выходного напряжения, обратному открыванию транзистора 5 и эакртию трэ«эистора 2. Действующая тэкил образом отрицательная обратная связь обеспечивает стабильность выходного напряжения в 25 установившемся режиме работы при уменьцении температуры окружающей среды и нагрузки.

При снятии входного импул»сэ трэнэиcToobl 6 и 1 выходят иэ инв рсногс,;еж lã. э 30 р боты, ток баэ через их переходы б, зэ— эм, ттер от источника 16 питания v,:,р;еъ«стоpbl 10с и 1 1 через внутреннее сопро «вле«ие источ«ика ".6 ответвляется на общу," l««y устройства, обесточивая 18м самым ц.":пи 35 баз транзисторов 2 и 4, что пр и одит I; их

l1o)ному закрыванию, обесточиванию цепи базы транзистора 3 и его зэкрыти э. и обесточиванию цепи нагрузки.

Время выключения формирователя з 40 основном зависит от степени нэсы,.-.« "я транзистора 3. Так как онэ определе«э при минимально необходимом токе его базы и при уменьшении температуры окружающей среды или уменьшении сопротивле«ия нэ- 15 грузки, поддерживается на заданном уровне действием цепи отрицательной обратной связи на транзисторе 5 и резисторе 7, то время выключения транзистора 3 будет достаточно малым и стабильным, а следовательно, мало и стабильно будет время задержки распространения сигнала при выключении формирователя в целом.

Формула изобретения

Формирователь импульсов, содержащий первый транзистор, эмиттер которого соединен с входной шиной, коллектор соединен с базой второго транзистора, коллектор которого через первый резистор соединен с базой третьего транзистора, коллектор которого соединен с входной шиной, источник питания, второй и третий резисторы, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения времени задержек распространения сигнала при включении и выключении, повышения их стабильности за счет формирования минимально необходимого тока насыщения выходного транзистора, введены четвертый, пятый и шестой транзисторы, четвертый, пятый, шестой и седьмой резисторы, причем эмиттер четвертого транзистора соединен с общей шиной, а колле тор — ч-.:рез вгорой Г сз;стор с базой тре1ьего транзисто, а, змиттср пятого трэн зиста1-:. соединен с общей шинпи. база— чеосз третий резистор с выходной шиной форл .:.роаате-, коллек)ор — с базой второro трэнзис-,орэ, эмиттер шестого гранзистора соединен с входной шиной формирователя, э коллектзр соединен с базой четвертого трэнзиc;Gpa, база шестого тра«зист,)рэ - через чета"- гый резистор, бэээ первого транзистора — через пятый резистор. а база третьего транзистора - чере", шестой рези гор соединены с ши:ой источника питания, бззэ пятого транэ стора черсз едьмой рг.зистор и э; итгс,):. торсго транзистора соединены с общей шиной, эл.,ттер 1ретьаго тоанэистора соеди -,ен с ши«ой источника питания,