Способ получения структур "кремний на изоляторе"
Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования изолированных локальных областей кремния, на одном из этапов одну из каждых чередующихся имплантированных областей формируют у поверхности.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения эпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике
Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств
