Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле

 

Изобретение относится к технике СВЧ-нагрева. Цель изобретения - повышение качества при обработке диэлектрической пластины с металлическим проводником слоем защитного фоторезиста. Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле реализуется в устройстве, которое содержит токозаземленную пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая пластина 2 с проводником 3, дополнительную металлическую пластину 5, размещенную параллельно поверхности обрабатываемой диэлектрической пластины 2, слой защитного фоторезиста 4. При этом зазор между дополнительной металлической пластиной 5 и поверхностью диэлектрической пластины 2 выбираются в зависимости от толщины и эффективной диэлектрической проницаемости обрабатываемой диэлектрическо пластины. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 05 В 6/64

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Ч(ММ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4123011/09 (22) 25.06.86 (46) 30.06.91. Бюл. ¹ 24 (72) Ю,Л,Шворобей, М.M,Безлюдова".и

А.А.Осипов (53),621.365.55(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1003388„кл. Н 05 В 6/64, 1981, Патент Великобритании ¹ 1039224, кл. Н 05 Н, 1965. (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛАСТИ Н Ы В ЭЛ Е КТРОМАГН И ГНОМ ПОЛЕ (57) Изобретение относится к технике СВЧнагрева. Цель изобретения — повышение качества при обработке диэлектрической пластины с металлическим проводником

„„59„„1660218 А1 слоем защитного фоторезиста, Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле реализуется в устройстве, которое содержит токозаземленную пластину 1, на которой размещена . обрабатываемая диэлектрическая пластина

2 с проводником 3, дополнительную металлическую пластину 5, размещенную параллельно поверхности обрабатываемой диэлектрической пластины 2, слой защитного фоторезиста 4. При этом зазор между дополнительной металлической пластиной 5 и поверхностью диэлектрической пластины 2 выбираются в зависимости от толщины и эффективной диэлектрической проницаемости обрабатываемой диэлектрической пластины. 1 ил.

1660218

Составитель P. Кузнецова

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор И.Муска

Редактор А,Ревин, Заказ 1857 Тираж 502 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к технике СВЧнагрева и может быть использовано е радиоэлектрîííой промышленности, в частности, при термодублении защитных фоторезистов.

Цель изобретения — повышение качества при термообработке диэлектрической пластины с металлическим проводником и слоем фоторезиста, нанесенными на одну из ее поверхностей.

На чертеже изображена конструкция устройства для осуществления предлагаемого способа.

Устройство содержит заземленную металлическую пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая ,пластина 2, на одну из поверхностей которой нанесен металлический проводник 3, выполняющий роль токонесущего проводника полосковой линии, и слой фоторезиста

4, дополнительную заземленную металлическую пластину 5, размещенную на расстоянии от диэлектрической пластины 2, определяемом выражением

h = h1/ УК1, где h1 и A- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемасть диэлектрической пластины 2.

Способ осуществляют следующим образом.

Обрабатываемую диэлектрическую пластину 2, установленную в кассете, образованной заземленной металлической пластиной 1 и дополнительной металлической пластиной 5, размещают в резонансную камеру микроволновой печи, например

"Электроника". Затем подают питающее напряжение на магистрон, Между металлическим проводником, 3 и металлическими пластинами 1 и 5 возбуждается поперечная электромагнитная волна типа квази ТЕМ, которая осуществляет равномерный нагрев диэлектрической пластины 2 и защитного слоя фоторезиста 4 за счет равномерного распределения СВ4-поля.

Равномерность распределения поверх5 ностного тока и температуры по объему обрабатываемой диэлектрической пластины 2 обеспечивается в данной конструкции, представляющей собой как бы параллельное соединение двух линий передачи, одна

10 из которых образована металлической пластиной 1, диэлектрической пластиной 2 и металлическим проводником 3, а другая— металлической пластиной 5 и металлическим проводником 3. Выбранное расстоя15 ние h обеспечивает выравнивание поверхностных токов на верхней и нижней поверхностях проводника 3.

Способ позволяет повысить выход годных иэделий за счет оптимизации темпера20 турно-временных параметров процесса.

Формула изобретения

Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле, включа25 ющий размещение диэлектрической пластины на заземленной диэлектрической пластине и воздействие на диэлектрическую пластину полем ТЕМ-волны, о т л и ч аю шийся тем, что. с целью повышения

30 качества при обработке диэлектрической пластины с металлическим проводником и слоем фоторезиста, нанесенными на одну из ее поверхностей параллельно поверхности диэлектрической пластины, на которую

35 нанесен металлический проводник, устанавливают дополнительную заземленную металлическую пластину на расстоянии h, удовлетворяющем условию

h = h1/ V >, 4О где h1 и е1 — соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемость диэлектрической пластины.