Полупроводниковый тензорезистор

 

Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций в лабораторных исследованиях. Цель изобретения - повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации - достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды 2, 3 в средней части монокристалла 1 соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы PH<SB POS="POST">3</SB>MEP(TCNO)<SB POS="POST">2</SB>, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов 4 и 5 на торцах монокристалла 1. Нелинейные эффекты в полупроводнике слоистой игольчатой структуры приводят к увеличению тензочувствительности на 10 - 30%. Тензорезистор позволяет измерять деформации в диапазоне, расширенном в сторону малых значений деформаций. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 6 01 В 7/18

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4389365/28 (22) 09,03.88 (46) 15.07.91. Бюл, ¹ 26 (71) Физико-технический институт им. С. У.

Умарова (72) Х. С. Каримов и Х, M. Ахмедов (53) 531,781.2(088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

N 1419254, кл, G 01 B 7/18, 1987. (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕ-

ЗИСТОР (57) Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций в лабораторных исследованиях. Цель изобре Ы,» 1663407 А1 тения — повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации — достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды 2, 3 в средне части монокристалла 1 соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы PhgMeP(TCN0)z, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов 4 и 5 на торцах монокристалла 1.

Нелинейные эффекты в полупроводнике слоистой игольчатой структуры приводят к увеличению тензочувствительности на 10 — 30 g,.

Тензорезистор позволяет измерять деформации в диапазоне. расширенном s сторону ма. лых значений деформаций. 1 ил.

1663407

Составитель H.Tèìîøåíêî

Техред М.Моргентал Корректор M.Êó÷åðÿâàÿ

Редактор М.Товтин

Заказ 2256 Тираж 386 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения деформаций в лабораторных исследованиях.

Цель изобретения — повышение чувствительности тензорезистора к измеряемой деформации. Цель достигается таким расположением токовых и потенциальных электродов, при котором питание подается на токовые электроды в средней части монокристалла соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония. общей формулы Рпз MeP(TCNOQ, а выходной сигнал снимается с потенциальных электродов на торцах монокристалла.

На чертеже представлен общий вид полуп ро водн и ковый тензореэистор.

Полупроводниковый тензорезистор содержит тенэочувствительный элемент 1, выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала — соединен ия тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония общей формулы Рпз

MeP(TCNO)z, два токовых электрода 2 и 3, закрепленных в средней части монокристалла 1, и два потенциальных электрода 4 и 5, закрепленных на торцах монокристалла 1.

Полупроводниковый тензорезистор работает следующим образом.

Перед измерением тенэорезистор наклеивают на поверхность исследуемого объекта и соединяют токовые электроды 2 и 3 с источником питания постоянного тока, à потенциальные электроды 4 и 5 — с регистрирующей аппаратурой.

При нагружении исследуемого объекта деформация его поверхности передается на монокристалл 1, Так как полупроводниковый материал тензочувствительного эле5 мента 1 имеет слоистую игольчатую структуру, то при прохождении тока в нем возникают нелинейные эффекты, связанные с выпрямляющим действием р-п-переходов в точках контакта токопроводящих

10 структур. При этом ток течет по более длинному пути, и величина изменения сопротивления изменяется в зависимости от приложенной деформации более сильно, чем при традиционном включении — подаче

15 питания на торцы кристалла и снятии сигнала с электродов в средней части. Чувствительность повышается при этом на 10-30 .

Использование описанного тензорезистора позволяет измерять деформации в bo20 лее широком диапазоне в области малых деформаций.

Формула изобретения

Полупроводниковый тензорезистор, со25 держащий тензочувствительный элемент, выполненный из монокристалла органического полупроводникового материала — соединения тетрацианхинондиметана и трифенилметилфосфония РпзМе Р(ТСЙСЩ

30 два токовых и два потенциальных электрода, отличающийся тем, что. с целью. повышения чувствительности, два потенциальных электрода установлены на торцах монокристалла, а два токовых — в средней

35 части монокристалла .