Фотокатод с отрицательным электронным сродством
Фотокатод с отрицательным электронным сродством, содержащий активный полупроводниковый слой р-типа, проводимости со слабо- и сильнолегированными областями, размещенный через буферный слой на подложке, и активирующее цезий-кислородное покрытие, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода за счет увеличения диффузионной длины фотоэлектронов при сохранении вероятности выхода, граница сильнолегированной области со стороны, противоположной эмиттирующей поверхности, расположена на расстоянии (7 - 13) 
10-3 мкм от нее и совпадает с границей области поверхностного поля, при этом толщина сильнолегированной области лежит в интервале от 3 10-4 мкм до значения, равного толщине области поверхностного поля, а концентрация акцепторов слаболегированной области равна 1015 - 1018 см-3.
