Активная рамочная антенна

 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах радиоприема и измерения. Целью изобретения является увеличение чувствительности в области низких частот. Активная рамочная антенна (АРА) содержит рамку 1, входной трансформатор 2 с ферритовым сердечником тороидальной формы, первичную обмотку 3, вторичную обмотку 4, дополнительную вторичную обмотку 5, входной транзистор 6, резистор 7, нагрузку 8, малошумящий усилитель с высокоомным входным сопротивлением 9. Чувствительности АРА в области низких частот увеличивается за счет снижения входного сопротивления транзистора 6 более чем на порядок благодаря противофазному включению вторичных обмоток 4 и 5 входного трансформатора 2 при определенных значениях параметров резистора 7. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s Н 01 0 23/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4636640/09 (22) 12.01.89 (46) 23.07.91. Бюл. N. 27 (72) В,А,Артемьев и Т.И. Артемьева (53) 621.396,674.1(088.8) (56) Заявка Ф P Г М 3209345, кл, H 01 0 7/00, 1983. (54) АКТИВНАЯ РАМОЧНАЯ АНТЕННА (57) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах радиоприема и измерения. Целью изобретения является увеличение чувствительности в области низких частот, Активная рамочная антенна (APA) содержит рамку 1, входной

5U 1665442 А1 трансформатор 2 с ферритовым сердечником тороидальной формы, первичную обмотку 3, вторичную обмотку 4, дополнительную вторичную обмотку 5,входной транзистор 6. резистор 7, нагрузку

8, малошумящий усилитель с высокоомным входным сопротивлением 9. Чувствительность APA в области низких частот увеличивается за счет снижения входного сопротивления транзистора 6 более чем на порядок благодаря противофаэному включению вторичных обмоток 4 и 5 входного трансформатора 2 при определенных значениях параметров резистора 7, t ил.

1665442

Rg, йд — величина входного сопротивления транзистора 6 с общей базой и резистора 7, а каждый из коэффициентов трансформации входного трансформатора 2 больше единицы.

Формула изобретения, L2/Lq Rz/йд, где Q, Lp — индуктивности вторичной и дополните,1ьной обмоток, соответственно;

В, Вд — величина входного сопротивления транзистора с общей базой и резистора.

Составитель А.Щитов

Техред М.Моргентал

Корректор Н.Король

Редактор К. Круп кина

Заказ 2396 Тираж 357 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах радиоприема и измерения.

Целью, изобретения является увеличения чувствйтельности в области низких частот.

На чертеже представлена структурная схема активной рамочной антенны (APA). .АРА содержит рамку 1, входной трансформатор 2 с ферритовым сердечником то- 5 роидальной формы, первичную обмотку 3, вторичную обмотку 4, дополнительную вторичную обмотку 5, входной транзистор 6, резистор 7, нагрузку 3, малошумящий усилитель с высокоомным входным сопротив- 10 лением 9, выход 10.

APA работает следующим образом.

Наведенный в рамке 1 полезный сигнал проходит через трансформатор 2, после усиления с транзистором 6 и малошумящим 15 усилителем с высокоомным сопротивлением 9 поступает на выход APA 10. Принятый сигнал поступает на змиттер и базу транзистора 6 в противофазе, что обеспечивает . дополнительную цепь отрицательной об- 20 ратной связи при условии включения в базу транзистора 6 резистора 7, Это позволяет существенно увеличить чувствительность в области низких частот за счет снижения. входного сопротивления транзистора 6 бо- 25 лее чем в 10 раз, если величина резистора 7 выбрана из условия

1 2/Lg = й2/Кд, где 2, Lg — индуктивность вторичной 4 и дополнительной 5 обмоток входного транс- 30 форматора 6;

Активная рамочная антенна, содержащая рамку, подключенную к первичной обмотке входного трансформатора с ферритовым сердечником тороидальной формы, вторичная обмотка которого подключена к эмиттеру транзистора и общей шине, а коллектор транзистора подключен к нагрузке и входу малошумящего усилителя с высоким входным сопротивлением, выход которого является выходом антенны, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью увеличения чувствительности в области низких частот, введены резистор, включенный между базой транзистора и общей шиной, и дополнительная вторичная обмотка входного трансформатора, которая подключена параллельно резистору и противофазно по отношению ко вторичной обмотке, при этом каждый из коэффициентов трансформации больше единицы, а величина резистора выбрана из условия