Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке надежных запоминающих устройств. Цель изобретения - повышение надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования, равной 6,0 ± 0,3 В.
СОК1Э СOf3F ТСКИХ
СОЦИ ЛИСТИ ГСКИХ
r ã.спи лик (сил G 11 С 29/00, 11/40
ГОСУДЛРСТВГ ННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4454332/24 (22) 15.04.88 (46) 23.08.91. Бюл. N 31 (72) А.К.Азов, Я.М.Беккер, А.А.Заколдаев и
В.Б. Штырлов (53) 681.327.66 (088.8) (56) Технология СБИС под ред. Зи С. кн, 2.—
М.: Мир, с. 425-426, 1986.
Руководство по эксплуатации И63. 487.
021-03Д. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих устройств на полупроводниковой элементной базе.
Цель изобретения — повышение надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти.
Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства осуществляется следующим образом.
Незапрограммированные схемы запоминающих устройств проверяются на соответствие статических и динамических параметров(напряжение питания и ток потребления, время считывания информации и др.) требованиям нормативно-технической документации, При отклонении от норм схемы бракуются. Годные схемы с де,, SU,, 1672531 А1 (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке надежных запоминающих устройств. Цель изобретения — повышение надежности программируемого постоянного запоминающего усторойства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти. Поставленная цель достигается за счет того, что после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования, равной 6,0 - 0,3 В. фектными ячейками памяти (ячейки памяти, которые вышли из строя на стадии изготовления схемы) и с потенциально ненадежными ячейками памяти (например, плавкие перемычки с эауженной рабочей областью, которые могут разрушиться после многократных циклов считывания) поступают на операцию повышенного по сравнению с рецептом считывания воздействия электрического тока на ячейку памяти. Эту операцию проводят в режиме программирования, но отличающуюся от него пониженным значением напряжения амплитуды импульсов программирования и равным 6 ": 0,3 В. Это напряжение амплитуды импульсов было определено экспериментально. Для этого микросхемы устройства подвергают режиму программирования с изменением амплитуды импульсов программирования от минимального значения до значения, при котором количество потенциально ненадежных ячеек резко возрастает.
1612531
Составитель Б.Венков
Редактор B Ьугренкова Техред М.Моргентал Корректор С.Черни
Заказ 2844 Тираж 329 Подписное.
ВПИИП(1 о<..vдаprreенного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН! СССР
113035, Москва, Ж-35. Раушская наб. 4/5
fl(;()11 3H(1(I, t B> .Híî издательский комбинат "Па гент", г. Ужгород, ул гагарина 101
Постоянно уменьшая амплитуду импульсов, было установлено оптимальное эначен ": 6,0 + 0,3 В.
При повышенном воздействии на ячейку памяти по сравнению с режимом считы- 5 нания током, ячейки памяти с залуженной площадью плавкой перемычки разрушаются в отличии от ячеек памяти с нормальным, беэ отклонения сечением, которые сохраняют свою работоспособность. 10
После режима повашенного воздействия проводят выявление дефектных ячеек памяти в режиме считывания и по результатам их разбраковывают.
Способ позволяет повысить надеж- 15 ность постоянных программируемых запоминающих устройств за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти и найдет широкое применение в производст20 ве надежных ИС большой плотности компоновки.
Формула изобретения
Способ контроля программируемого постоянного запоминающего устройства, включающий измерение статических и динамических параметров, выявление дефектных ячеек памяти устройства в режиме считывания информации, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что,с целью повышения надежности программируемого постоянного запоминающего устройства за счет выявления потенциально ненадежных ячеек памяти устройства, после измерения статических и динамических параметров ячейки памяти, устройство подвергают воздействию электрического тока в режиме программирования при амплитуде импульсов программирования (6,0 + 0,3) В.
