Пьезоэлектрический керамический материал

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИ ЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КлмИ1ТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4752690/33 (22) 25,10.89 (46) 07.09.91, Бюл. ¹ 33 (71) Рижский политехнический институт им.

А.Я. Пельше (72) P,З. Клейне, А,А. Яунзема, И.Н. Ткаченко. Т.К. Кутузова и Э.А. Иокста (53) 666,655 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

¹1390224,,кл. С 04 B 35/46, 1988, Авторское свидетельство СССР № 1460057, кл. С 04 В 35/46, 1989. (54) ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕГКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к г ьезоэлектрическим керамическим материалам и может быть использовано при изготовлении электроакустических пьезопреобразователей. пьезоэлектрических фильтров промежуточИзобретение относится к материалам пьезотехники и может найти применение при изготовлении пьезоэлектрических фильтров промежуточной частоты для цветного телевидения, электроакустических приборов, имеющих высокую температурную стабильность резонансной частоты и высокую механическую доброгность.

Цель изобретения — повышение температуры фазового перехода.

Для изготовления пьезоэлектрических керамических материалов используют оксиды и карбонат бария марки "чда". Синтез титаната свинца осуществляют при температуре 850 С в течение 3 ч.

„„SU„„1675280 А1 (si)s С 04 В 35/46, Н О1 L 41/18 ной частоты для цветного телевидения, имеющих высокую механическую добротность

Ом. Для повьноения температуры фазового перехода Т, п.езоэлектрический керамическиГ; материал дополнительно содержит

Ва5пОЗ при следующем соотношении компонентов, мас.%: PbTtOg 93-97, BaSn03 37. Материал обладает при комнатной температуре следующими свойствами: удельная обьемная масса 7240-7340 кг/м, диэлектрическая проницаемость 280-300, диэлектрические потери О,F08-0,012, пьеэомодуль гааз 10 38-45 Кл/Н, температура фазового перехода 410-420, коэффициент электромеханической связи I9 20. механическая добротность 2600-3200, изменение пьезомодуля d0, в диапазоне температур

20 350"С 10-12%, опгимальная температура спекания 1190-1200"С. 2 табл.

Модификатор станнат бария синтезируют из ВаСОз u SnOg при температуре 760 С в течение 3 ч.

Модификатор в установленных нами оптимальных концентрациях добавляют при помоле предварительно синтезированной основы титаната свинца. Помол осуществляют в яшмовом барабане в среде иэопропилового спирта в течение 24 ч, Спекание керамики проводят при температуре 1190 — 1220 С, в зависимости от концентрации модификатора ГЗЯпОЗ. Время выдержки образцов при указанных темпера урах в течение одного часа. Образцы для измерения электрофизических свойств готовят в форме дисков диаметром 12 мм, 1675280

Составы материалов приведены в табл,1, электрофизические свойства разТаблица 1

Таблица 2

Состав

Свойства

П ототип

1140 †11 190

1190

1260

7320

7240

7340

300

0,012

295

0,010

280

0,008

240-250

0,008 — 0,010

90-130

19

16-20

890-400

410

420

410

2600

2900

3200

12

Составитель Л,Косяченко

Редактор Г.Наджарян Техред М.Моргентал Корректор О,Кравцова

Заказ 2973 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

Электроды из алюминия наносят вакуумным напылением.

Поляризацию проводят при 150 С и напряженности поля 35-45 кВ/см втечение

4 ч.

Определение характеристик пьезокерамики проведено согласно ГОСТУ 12370-80.

Диэлектрические свойства измерены на частоте 10 Гц.

Оптимальная температура о спекания, С

Удельная объемная масса р, кг/м

Диэлектрическая п роницаемость F.

Диэлектрические потери

Пьезомодуль бзз 10, Кл/Н

Коэффициент электромеханической связи K>, (, Температура фазового перехода Т», С

Механическая добротность, Ом

Изменение пьезомодуля дзз в диапазоне температур

20 — 350 С. работанных пьезоэлектрических керамических материалов — в табл.2.

Формула изобретения

Пьезоэлектрический керамическими ма5 териал на основе РЬТ!Оз с синтезированной барийсодержащей добавкой. о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения температуры фазового перехода Т», он содержит в качестве добавки ВаЯпОз при сле10 дующем соотношении компонентов, мас.7О:

РЬТ! Оз 93-97

ВаЯпОз 3-7

Пьезоэлектрический керамический материал Пьезоэлектрический керамический материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к материалам пьезотехники и может быть использовано в пьезоэлектрических преобразователях ультразвуковых приборов неразрушающего контроля (дефектоскопах, толщинометрах)

Изобретение относится к керамическим материалам с сегнетоэлектрическими свойствами и может быть использовано в электронной технике

Изобретение относится к материалам пьезотехники и может быть использовано в пьезоэлектрических преобразователях ультразвуковых приборов неразрушающего контроля (дефектоскопах, толщинометрах)

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам и может быть использовано для изготовления пьезоэлектрических фильтров, СВЧ-резонаторов и других устройств, сочетающих высокие пьезосвойства и низкие диэлектрические потери

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для изготовления керамических фильтров для интегральных схем

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам, используемым для Изготовления пьезодатчиков, пьезофильтров в блоках обработки радиолокационных сигналов и СВЧ-резонаторов

Изобретение относится к пьезокерамическим материалам, созданным для изготовления преобразователей, датчиков, электромеханических фильтров , работающих в СВЧ-диапазоне

Изобретение относится к области пьезоэлектрической керамики с высоким соотношением продольного и поперечного пьезомодулей и повьшенной температурой Кюри

Изобретение относится к области пьезоэлектрической керамики и может применяться в качестве пьезофильтров в блоках обработки радиолокационных сигналов, пьезодатчиков и СВЧ-резонаторов

Изобретение относится к составам легкоплавких стеклокристаллических композиционных материалов, предназначенных для спаивания стеклопластин при изготовлении газоразрядных индикаторных панелей и стеклопакетов, а также для спаивания кремниевых пластин, при изготовлении структур кремний-на-изоляторе и интегральных сенсоров, для защиты и герметизации электронных компонентов и интегральных схем
Наверх