Система откачки для ионных источников
И944
ОП ИСА НИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
СбюЗ Советския
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства «¹
Кл. 21g, 36
Заявлено 04.111.1961 (№ 896344/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 22.У1 1965. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 24Х1.1965
МПК Н 05h
УДК 533.9.07(088.8) Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР
Автор|ы изобретения
Б. К. дембель и Д. В. Каретников
Заявитель
СИСТЕМА ОТКАЧКИ ДЛЯ ИОННЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Система откачки для ионных источников, содержащая источник плазмы, камеру форS мирования ионного пучка и откачивающие насосы, отличающаяся тем, что, с целью увеличения коэффициента использования вещества (отношения количества понизпрованного газа к общему количеству газа, поступающему в
10 камеру формпгования ионного, пучка) и улучшения вакуума в камере, между источником плазмы и камерой формирования ионного пучка установлена помещенная в сильное продольное магнитное поле вспомогательная
15 камера с отверстиями эмиссии по направленшо движения плазмы с вакуумом более глубоким, чем в источнике плазмы, но меньшим, чем в камере формирования ионного пучка.
20 2. Система откачки по п. 1, отличающаяся тем, что в ней применен источник с направленным потоком плазмы, например источник со значительной глубиной зоны эмиссии.
2s 3. Система откачки по пп. 1 и 2, отличающаяся тем, что к вспомогательной камере подключен насос для откачки поступающего из источника плазмы нейтрального газа.
Подписная группа Л3 97
Известны системы откачки для ионных источников, содержащие источник плазмы, камеру формирования ионного пучка и откачивающ|ие насосы (см., например, фирменный проспект «Ускорители Ван де Граафа» фирмы «Хай Волтидж инд>киниринг корпорейшн») .
Отличие описываемой системы от известных заключается в том, что в ней между источником .плазмы и камерой формирования ионного пучка установлена помещенная в сильное продольное .магнитнсе поле вспомогательная камера с отверстиями эмиссии по направлению движения плазмы с вакуумом более глубоким, чем в источнике плазмы, Но меньшим, чем в камере формирования ионного пучка. Таким образом увеличен коэффициент использоьанпя вещества (отношение количества ионизированного газа к общему количеству газа, поступающему в камеру формирования ионного пучка) и улучшен вакуум в камере. Кроме того, в предлагаемой системе откачки применен источник с направленным потоком плазмы, например источник со значительной глубиной зоны эмиссии, а и вспсмогательной камере подключен насос для откачки поступающего из источника плазмы нейтрального газа.
Предмет изобретения
