Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11>&|1 .ffm^m^^т*фб:';щ1?а(а„.

Авторы патента:

H01L21/40 - сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой

Союз Советских

" Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 06.VI1.1964 (№ 910241/26-25) Кл. 21@, 11фх с присоединением заявки №

Государственный комитет по делам изобретений н Открытий СССР

МПК Н Oll

УДК 621.382.2/.327 (088.8) Приоритет

Опубликовано 27.Vill.1965. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 29.Х.19б5

Авторы изобретения

В. И. Диковский и С. Б. Вихрова

Заявитель Предприятие Государственного комитета по электронной технике СССР

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ

Подписная группа М 97

Известны способы изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металлического, в частности золотого, вывода с добавками донорсв или акцепгоров или по-крытого слоем металла-примеси с предварительным его оплавлением.

Предлагаемый способ изготовления омического контакта к полупроводниковым приборам отличается тем, что металлический вывод, в част;:гости из золота. предварительно покрывают слоем висмута в количестве, не превышающем 1О/, от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не ниже<0 /0.

Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремния повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию и- и р-типа проводимости.

Способ осуществляется следующим образом.

На вывод из золотой заготовщики, например, в виде проволоки .наносят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1% от веса золотого вывода, а в спла2 ве золота с висмутом содержание висмута должно быть не ниже 20О/о. Вывод с нанесенным металлом предварительно оплавляют при температуре, превышающей температуру эзче. лики золото вЂ” висмут, а длительность оплавления выбирают таким образом, чтобы оно произошло только в поверхностном слое. После этого проводят эплавление вывода пуи температуре 450 С в поверхность кремния, об10 работанную соответствующим образом.

Предмет изобретения

Способ изготовления омических контактов путем вплавления в полупроводник металли15 ческого вывода, легированного соответствующей примесью или покрытого слоем металла с предварительным его оплавлением, отличаюи1ийся тем, что, с целью повышения механической прочности контакта и осуществления

20 его на кремнии любого типа проводимости, на вывод предварительно наносят висмут is количестве не более 1% от веса вывода.

2. Способ .по и. 1, отличающийся тем, что на вывод предварительно наносят слой из

25 сплава золота с висмутом с содержанием висмута не ниже 20%.

Способ изготовления омических контактоввсгсц»я11>&|1 .ffm^m^^т*фб:;щ1?а(а„.

Похожие патенты:

Патент 157439 // 157439

Патент 154960 // 154960

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых кристаллах или фотосопротивлениях // 151260

Патент 150940 // 150940

Способ вплавления алюминиевой проволоки в кремний // 149507

Способ соединения металлической заготовки с полупроводниковым кристаллом // 192297

Способ получения контакта // 243740

Способ изготовления выпрямительного элемента // 256875

Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах // 281650

Способ изготовления туннельных диодов // 324943

Сплав для приплавления кремния к термокомпенсирующему электроду // 384161

Способ создания омического контакта // 1589942

Способ сплавления // 2564685

Использование: для сплавления электродными материалами кремниевых полупроводниковых пластин и полупроводниковых подложек с термокомпенсирующими электродами. Сущность изобретения заключается в том, что способ сплавления электродными материалами кремниевой полупроводниковой подложки с термокомпенсатором ведут алюминием/силумином через прослойку окиси кремния, выращенную на поверхности полупроводниковой подложки. Технический результат: обеспечение малой глубины проникновения электродного материала в полупроводниковую подложку. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.