Способ изготовления магнитного носителя информации для запоминающего устройства

 

Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретения - повышение чувствительности магнитного носителя информации для запоминающего устройства и снижение энергоемкости запоминающего устройства Магнитный носитель информации облучают от источ ника Со у-квантами дозой 10 -109 рад 1 ил , 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)s 6 11 С 11/16

IC)

М ,ф

ЬЭ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4769026/24 (22) 11,12.89 (46) 30.12.91. Бюл. f+ 48 (71) Ленинградский государственный университет и Научно-исследовательский институт "Домен" (72) В.M.Сарнацкий, П.Ю. Ефиценко. Л.Н. Котов и С.Г.Абаренкова (53) 681.327.66 (088,8) (56) Котов Е.П. и Руденко М.И, Ленты и диски в устройствах магнитной записи. M.: Радио и связь, 1986.

Авторское свидетельство СССР

М 1332379, кл, 6 11 С 11/16, 1986.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств записи и воспроизведения высокочастотных сигналов.

Известен способ изготовления магнитного носителя информации для запоминаю-щих устройств на цилиндрических магнитных доменах, заключающийся в нанесении методом жидкофазной эпитаксии монокристаллических пленок ферритов-гранатов на плоскую подложку, изготовленную из монокристалла редкоземельного галлиевого граната, Преимущества способа — получение носителя с повышенным быстродействием и с высокой плотностью информации. Однако известный способ отличается большой сложностью изготовления носителя и высокими требованиями к соблюдению,технологических режимов. Кроме того, полученный таким способом магнитный носитель информации обладает невысокой помехоустойчивостью, нестоек к перепадам температур и механическим воздействиям.

Известен способ изготовления магнитного носителя информации для запоминаю Ы 1702426 Al (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к вычислительной технике. Цель изобретения — повышение чувствительности магнитного носителя информации для запоминающего устройства и снижение энергоемкости запоминающего устройства. Магнитный носитель информации облучают от источника Со g-квантами дозой 10 -10 рад. 1

7 ил., 1 табл. щих устройств в виде магнитной пленки или магнитного диска. Способ заключается в нанесении монодисперсного порошка из магнитного материала (с размерами частиц

0,3-0,5 мк) на гибкую или жесткую подложку.

Преимущества способа — получение носителя с высокой плотностью информации. Однако известный способ требует для своего осуществления использования сложного технологического оборудования. Кроме того, полученный таким способом носитель информации обладает низким быстродействием и ограниченным частотным диапазоном.

Известен способ изготовления магнитного носителя информации для запоминающих устройств, наиболее близкий по технической сущности к изобретению. Преимущества известного способа заключаются в простоте изготовления магнитного носителя информации и в получении носителя с повышенным быстродействием. и с большой удельной плотностью записи информации.

Способ заключается в раэмельчении магнитострикционного материала до реэонансной Фракции частиц, размещении частиц в ампуле из немагнитного материала, вакуумировании ампулы, отжиге ампулы с частицами. Работа изготовленного аким способом магнЬ»тного носителя информации основана на явлении магнитоакустического (МАЭ) эха и заключается в установлении за счет нелинейности магнитоупругого взаимодействия новых пространственных распределений, долго сохраняющихся деформаций и структуры доменов под действием парь» электромагнитных возбуждающих импул:.сов, разделенных временным интервалом

Г (тможноменять от единиц до сотен микросекунд), прйчем эти распределения несут информацию об амплитудах и фазах создавшихх их импульсных полей подобно голограмме. Считывающий радиочастотный импульс, приложенный к магнитному носителю через интервал Т после пары возбуж—

Дающих импульсов (Т мОжет менЯтьсЯ От сотен микросекунд до сотен часов) приводит за счет нелинейнОГО взаимОдеЙствия с полем потенциального рельефа голограммы к возникновению информационного сигнала-Отклика нз рзсстОянии Т + ж От мОМВнтз приложения считывающего импульса.

Эффективность взаимодействия с магнитным носителем имеет местО лишь для реэонзнсноЙ Фракции частиц, т.е. при выПОЛНВНИИ УСЛОВИЯ б = V/2f, где d — линейный размер частиц порошка, f — частота заполнения возбуждающих и считывающего импул ьсов;

Ч вЂ” скорость распространения ультразвука в материале порошка, »-»едостатком известного способа является низкая чувствительнОсть полученного магнитного носителя информации для запоминающего устройства к амплитуде запоминающего и возбуждающих импульсов, Г»рииодящая к значительному повышению энергОемкОсти ззГ»ОминзющеГО устрОЙства, Цель изобретения — повышение чувстВИГВЛЪНОСТИ МЗГНИТНОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМЗции для запоминающего устройства и снижениВ,энерГОВмкости ззпоминзющВГО устройства.

Это достигается тем, что в известном способе изготовления магнитного носителя информации для запоминающего устройства, заключающемся в размельчении магнитострикционного материала до резонансной фракции частиц, размещении частиц в ампуЛВ из немзГнитнОГО материала, взкууми »Овании ампулы, отжиге ампулы с частицами и соответствии с изобретенией, после отжига размещенные в ампуле частицы магнито15

10 стрикционного материала Облучзют от источника Со у-квантами дозой 10 -10 рад. ио ущность изобретения заключается н следующем.

Амплитуда инфОрмзционнОГО сигнзлзОткли"а -Аэ н момент времени т согласно теории явления МА3 определяется

В U> Uz Оде (1 — е )е

-2ТГ -ятг .ц.

Аэ

Г «»

1 где т — интервал времени между возбуждающими импульсами;

Т вЂ” момент приложения считынз ощего импульса;

 — константа магнитоупругой связи, U> и Uz — амплитудные значения напряжений возбуждающих импулл,сов..

Оз — амплитудное значение напряжения считывз1ошего импульса;

à — пос-:Оянная затухзн. я ультрззвуковь»х колебаний.

В мзгнитострик»»ионных материалах величина Г в Основном Определяется мзгнитоакустическими взаимодействием ультразвуковых колебаний с доменными стенками.

Авторами. эобретения обнаружено, что величины Г и А-, могут изменяться после

ОблччениЯ 7 квантами МЗГнитостоикционно го образц, изготовленного н ниде порошка.

Уменьшение величины Г и соответственно возрастание А происходит эа счет ззкр::пления доменных стенок точечными дефектами, создаваемыми у -квантами, Возрастание величины А; г»осле закрепления всех доменных стенОК должно достигать насыщения при дальнейшем увеличении дозы облучения )Р -квантами, Однако, по достижении максимума величина А> уменьшается с возрастанием дОэь» Облучениял, что сняэзнО с агрегацией дефектов, приводящей к рассеянию ультразвуковых колебаний.

Облучение g -квантами ампул = порошкОМ маГни ь 1» стрикцион АЛОГО ма геризлз 1 рОВО дилось от источника Со, .н энси етическом

60 спектре которого име,отся две линии излучения примеоно Одинаковой интенсинности с энергиями 1,1 Мэн и 1,33 лиэи. Так кзк раэДВлить ДВйстние этих Дьуx близко рзспОложенных гиний излучения Н8 представляется возможным, поскольку не существует узкополосных фильтров для жесткого изл чения, можно использо"àòü ис,то-инк Со о как источник СО средней энергией 1,25 Мэв.

Выбор источника 1 -квантов с указанной энергией излучения обусловлен необхоДИМОСТЬЮ СОЗДЗНИЯ В МЗГНИТОСТРИКЦИОННЫХ материалах дефектов, ззкрепля»ощих доменные стенки. Известно, что при энергиях р -квантов менее 1 Мэи в таких материалах

i70?42C происходят незначительные изменения внутренней электронной структуры, при энергиях 1-5 Мэв основные изменения связаны с созданием комптоновских электронов, которые обуславлива от перезарядку ионов железа или кобальта и приводят к созданию закрепляющих дефектов вследствие значительной анизотропии электронной стурктуры таких ионов. При энергиях выше 5

Мэв возможны значительные структурные изменения, связанные с отклонением атомов от положения равновесия; и приводящие вследствие увеличения рассеяния ультразвука к уменьшению величины Аэ, Таким образам, спектр излучения у-к антов для создания дефектов, закрепляющих доменные стенки в магнитострикционных материалах, должен находиться в интервале

1-5 Мэв. 30

Из известных licточников р-KBBHT0B Tdкому условию "оответствует источни; Соба обладающий значительной удельной активностью и большим временем периода полураспада (более 5 лет). Другие источники 35 обладают либо малым временем периода полураспада, либо значительно меньшей удельной активностью, что потребует для набора нужной дозы и проявления наблюдаемых эффектов очень больших интервалов 40 времени (годы), что не позволяет практически реализовать предлагаемый способ.

Пример. Из монокристалла марганеццинковой шпин ели (МЦШ) изготовлен порошок с размерами частиц 100 мк, что соответствует 45 частоте заполнения импульсов 14 МГц. Порошок в равных количествах помещен в четыре амплитуды из кварцевого стекла которые вакуумировались до давления 10

Ра и отжигались при 700оС. Затем в них 50 была измерена величйна Аэ(т) при следующихзначенияхпараметров; т=20мкс, Ul =

О2==0з= 100 В, Т=: 60c, t= 120 c. Во всех ампулах величина Аэ была одинаковой с погрешностью 5, и составляла 25 мВ. Затем 55 три ампулы были облучены от источника

) -квантов Со со средней энергией 1,25

Мэв и дозами соответственно 10, 2.10, 10 рад. одна ампула для сравнения осталась необлученной. Результаты сведены в таблицу, Если определить параметр повышения чувствительности магнитного носителя информации

ЧЕРЕЗ ВЕЛИЧИНУ а = Аэ.обл. Аэ.необлИэ.необл, то для образцов 2 и 4 он равен 20 j„, а для образца 3 а = 25007;, т.е. при дозе 2 10 рад наблюдается возрастание чувствительности в 25 раз, Авторами проведены исследования укаэанных эффектов на большом количестве образцов, изготовленных из различных маг- нитосгои-. .ционн .:.. материалов по технологии, описанной в г1рототипе и облученных

) -квантами с доза;-ли 10 -10 рад и с энер" .б 1О

ГИЕй ",,25 МЭВ, г4ожНа ОтМЕтИт. НЕСКОЛЬКО общих экспериментальных фактов, вытекающих из этих исслев BBMM17l: повышение амплитуды А, в4-5 раз превышающее погрешность, измерения величины А начинается п и дог зе 10 рэд и завершается при дозе 10 рад; максимум увеличения Аэ наблюдается при дозах 9.10 -2.10 рад в зависимости от тига магнитострикционного материала и величина папа.-легрз по:;ышения ув твительности достигает 25-30 раз, т,е. чувствительность магнитного носиты я увеличивается фактиЧЕСКИ На 2 ГОрядКа; ПОГэЫШЕНИЕЧуВС1ВИтЕЛЬчости магни гного носителя информации для запоминающего. устройства позво",яет при прочих равных экспериментальных условиях снизить амплитуды напряжений воэбух<дающих импульсов Ul и U2 и считывающего импульса Оз. Так, при увеличении чувствительности магнитного носителя в 27 раз. амплитуды Ul = U2 = Uz могут быть уменьшены в 3 раза, что приводит к значительному снижени.о энергоемкости эапоминаюшего устройства, . .На ертеже показана зависимость отноСИтаЛЬНОГО ИЗМЕНЕНИЯ аМПЛИтуд Аэ От ДОЗЫ облучения ампул с порошком. изготовленным по описанной выше методике из разных материалов — из монокристалла МЦШ— кривая I и из поликристаллического железоиттриевого граната, ЖИГ) - кривая 2. Дозы облучения менялись от 10 до 10 рад, для чего требовались времена облучения от 50 с до 41 дня 15 ч 50 мин. По оси абсцисс на чертеже отложен десятичный логарифм дозы облучения, измеренной в Мрад(1 Мрад = б г, у

=10 рад), по оси ординат значения Аэ в относительных единицах (за единицу приНЯто ЗНаЧЕНИЕ Аэ В НЕОбЛУЧЕННОй аМПУЛЕ C порошком). Из чертежа следует, что заметные изменения А по сравнению с погрешностью измерени находятся в области доз

10 - 0 рад. При этом максимальное увели7, 9 чение Аэ для образца МЦШ и наблюдается при дозе 2 10 рад составляет 25 раз, для образца ЖИà — 0 раз при дозе 9.10 рад.

Следует отметить также стабильность создаваемых дефектов после у- облучения

Отжиг облученных образцов МЦШ и ЖИГ, проведенный при 300 С втечение 5 ч, не привел к заметным изменениям в величинах А, Технико-зкономическая эффективность предлагаемого способа заключается B простоте изготовления, высокой чувствительности, повышенном быстродействии изгот овленного магнитного носителя víôîðìàöèH и в

Состояние изменЗния маГни гного носителя после ) Облучения

Номер носителя (з

Показатель

Аэ.необлуч, мв

ДОЗа Облуч. 0, рад

Аа.обл ч., мВ

2 »

1 понижении энергоемкости запомина ошего устройства.

Предлагаемый способ, позволяющий нн

2 порядка повысить чувстви.гельность ма нитного носителя информации, может найти применение при различных программных задачах, в частности перемногкения . иГкв лов. определения Фурье-Образца функций, для более детального изучения динамики доменных стенок в ферром",Iнитных материалах, а:-акже для изучения магнитоакустического взаимодействия в фер ритах, Решение этого комплекса задач важно при конструйровании систем видеозаписи и алеман:ов вычислительной техники.

Формула изобретения

Способ изготовления магнитного носителя информациидля запоминающегоустройства, 5 Основанный на размельче IM Y. магнитострикционного материала до резонанснОЙ фракции часrIIII,, размеи ении частиц в ампуле из немагнигного материала, вакуумировании ампулы, отжиге ампулы с частицами, о т л и ч а ю О II;: I". и с я тем, что, с целью повышения чувствительности и HNR6HMQ энВргоемкости маГнитКОГО носителя информации, после ОтжиГэ размещенные в ампуле частицы магнитжтрикционнОГО материала Обл /чают От истОчника

35 О у-квантамидозой1О -30 рад,

Способ изготовления магнитного носителя информации для запоминающего устройства Способ изготовления магнитного носителя информации для запоминающего устройства Способ изготовления магнитного носителя информации для запоминающего устройства Способ изготовления магнитного носителя информации для запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах обработки СВЧ-радиосигналов различного назначения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств записи и воспроизведения высокочастотных сигналов

Изобретение относится к магнитным материалам, а именно, к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалов

Изобретение относится к области металлургии, а именно к магнитным материалам, в частности к использованию осевой симметрии для задания магнитных свойств материалам

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента

Изобретение относится к устройству памяти, включающему в себя структуру магнитного туннельного перехода (МТП)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной техники, а именно к ячейкам магнитного туннельного перехода

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах
Наверх