Устройство с отрицательной проводимостью

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в генераторах импульсов, в частности в кабельных автогенераторах. Целью изобретения является повышение широкополосности без увеличения динамического сопротивления. Устройство с отрицательной проводимостью содержит два транзистора разного типа проводимости, резистор отрицательной обратной связи, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной устройства , через соединенные последовательно резистор и цепочку диодов с базой первого транзистора, эмиттер второго транзистора соединен с второй шиной устройства. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (505 Н 03 К 3/281

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 4 (л)

В

Ю (,Д

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4723906/21 (22) 24,07.89 (46) 15.05.92. Бюл. N. 18 (71) Институт сильноточной электроники

СО АН СССР (72) В,М,Шкатов (53) 621.374 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 363188, кл. Н 03 К 3/35, Арефьев А,А. и др, Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах р — и — р — п-структуры, М., Радио и связь, 1982, с.13, (54) УСТРОЙСТВО С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ

ПРОВОДИМОСТЬЮ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в генераторах импульсов, в частности, в кабельных автогенераторах, Цель изобретения — повышение широкополосности беэ увеличения динамического сопротивления, На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства с отрицательной проводимостью, двухполюсника с BAX S-вида.

Устройство содержит транзистор 1 второго типа проводимости, транзистор 2 первого типа проводимости, резистор 3 отрицательной обратной связи, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной 4 устройства, через соединенные последовательно резистор 5 и цепочку диодов

6 с базой первого транзистора, эмиттер вто, Я2,, 1734193 A1 (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в генераторах импульсов, в частности в кабельных автогенераторах, Целью изобретения является повышение широкополосности безувеличения динамического сопротивления.

Устройство с отрицательной проводимостью содержит два транзистора разного типа проводимости, резистор отрицательной обратной связи, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной устройства, через соединенные последовательно резистор и цепочку диодов с базой первого транзистора, эмиттер второго транзистора соединен с второй шиной устройства. 1 ил. рого транзистора 2 соединен с второй шиной 7 устройства.

Устройство работает следующим образом.

При питании его от источника тока, втекающего в вывод 4 и величине тока„при которой падение напряжения на резистор 5 недостаточно для отпирания транзистора 1, формируется растущий участок BAX. Транзистор 2 открыт током через резистор 3. При открывании транзистора 1 через элементы

5 и 6 базовый ток транзистора 2 увеличивается и падение напряжения на этом транзисторе уменьшается.

Формируется падающий участок BAX.

Параметры точки перегиба BAX устанавливаются в зависимости от величины резистора 5 и количества диодов в цепочке 6.

Наклон падающего участка BAX определяется типом диодов и транзисторов.

1734193

Формула изобретения

50

Составитель И. Поставкина

Редактор Л. Пчолинская Техред М,Моргентал Корректор

Заказ 1675 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Устройство с отрицательной проводимостью, содержащее два транзистора разного типа проводимости, змиттеры которых соединены соответственно с первой и второй выходными шинами устройства, коллекторы соединены через первый резистор, эмиттер первого транзистора второго типа проводимости через второй резистор соединен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости, коллектор первого соединен с базой второго, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения

5 широкополосности без увеличения динамического сопротивления, в него введена цепочка соединенных последовательно диодов, включенных в прямой проводимости между базой первого и коллектором вто10 рого транзисторов,