Электронно-лучевая лампа-политрон

 

Использование: в технике преобразования электрических сигналов, в устройствах демодуляции и распознавания сигналов Сущность изобретения: в политроне для повышения чувствительности к микроструктуре сигнала дополнительно введен селектирующий электрод-между развертывающими пластинами и функциональными пластинами в форме рамки, имеющий самостоятельный вывод.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК ((9) (1 1) (я)5 H 01 J 31/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4845808/2 1 (22) 29.05.90 (46) 30.10.92. Бюл . N 40 (71) Ленинградское полномочное предста- вительство "Норд-Вест" (72) Е. Ю. Гл.адков (56) Карпов Е. А. и др. Синтез нелинейных преобразователей. M.: Энергоатомиздат, 1986, с. 125.

Путилин А, Б. Политрон (использование в схемах преобразования информации). M., Энергия. 1980, с. 15, 65.

Изобретение относится к технике преобразования электрических сигналов и может быть использовано в устройствах демодуляции и распознавания сигналов.

Известны электронные устройства с переменной передаточной характеристикой, реализованные на полупроводниковых либо электровакуумных приборах (1). Однако характеристики этих устройств не обеспечивают чувствительности к микрос руктуре электрических сигналов, Чувствительность устройства к микроструктуре сигналов может быть обеспечена при измерении параметров вторичных электронов. образующихся при рассеянии электронного пучка на поверхности электрода, соединенного с источником сигнала (заявка

Nå 4403918/09 (051163) от 4.04.88, положительное решение от 31.07.89).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является устройство» Политрон" (2), В политроне электронный пучок; локализованный в телесном угле, охватывающем основанием. коллекгорные пластины. отклоняется электрическим полем развертывающих пластин (54) ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧ Е ВАЯ ЛАМПА — ПОJINTPOH (57) Использование: в технике преобразования электрических сигналов, в устройствах демодуляции и распознавания сигналов, Сущность изобретения. в политроне для повышения чувствительности к микроструктуре сигнала дополнительно введен селектирующий электрод. между развертывающими пластинами и функциональными пластинами в форме рамки, имеющий самостоятельный вывод. вдоль коллекторных пластин. Форма передаточной характеристики. определяется геометрией коллекторных пластин и потенциальным рельефом, создаваемым вдоль траектории отклонения пучка функциональными пластинами. Чувствительность политрона к микроструктуре сигнала 903никает в момент рассеяния электронного пучка на поверхности одной из развертывающихх пластин (заявка М 4403918/09 (051163) от 4.04.88), Для обеспечения чувствительности к микроструктуре необходимо задавать на развертывающих пластинах политрона отрицательный потенциал, равный по величине 10 величины энергии электронов пучка в электронвольтах, Дополнительно повысить чувствительность на 2 — 3% можно, подавая большой (до 200-300В) положительный потенциал на крайние функци. ональные пластины, что вызывае дополнительный отток электронов, эмитти рованных развертывающей- пластиной. в направлении коллекторов. Однако существенная часть (>40%) эмиттированных электронов все же попадает на часть второго анода, размещенную между электронной

1772839

40 пушкой и развертывающими пластинами, и ме,ощую положительный потенциал отноièTåëüío развертывающей пластины, что не дает значительно повысить чувствительность политрона к микроструктуре сигнала;

Кроме того, подавать столь высокий потенциал на крайние функциональные пластины нежелательно, т, к. чувствительность политрона по отношению к потенциалам центральных функциональных пластин значительно падает.

Цель устройства — повышение чувствительности устройства к микроструктуре сигнала.

Поставленная цель достигается тем, что .- в устройство — электронно лучевую лампу, содержащую катод косвенного накала, модулятор, ускоряющий электрод, первый анод и второй анод, формирующие электронный пучок, корректирующие пластины, развертывающие пластины, функциональные пластины, коллекторные пластины, размещенные внутри вакуумного баллона, поверхность которого изнутри покрыта аквадагом, соединенным со вторым анодом, дополнительно введен селектирующий электрод в пространстве между развертывающими пластинами и функциональными пластинами, выполненный в форме рамки, клемма которой выведена на поверхность баллоча.

В ведение селектирующего электрода оозволяет сохранить чувствитель Ость политрона го отношению к потенциалам всех функциональных пластин и обеспечить вдвое более высокую чувствительность по отношению к микроструктуре сигнала зэ сче- оттока всех вторичных электронов от развертывающих пластин в напрэвлении функциональных пластин. Отток вторичных электронов обеспечивается при подаче на селектирующий электрод положительного потенциала относительно второго анода и развертывающих пластин, На чертеже схематически изображена электронно-лучевая лампа — политрон.

Политрон содержит катод 1 косвенного накала, ускоряющий электрод 2, модулятор

3, первый анод 4, второй анод 5, корректирующие пластины 6, развертывающие пластины 7, коллекторные пластины 8 и 9, десять пар.функциональных пластин 10 и 11. (нэ фиг. 1, с целью упрощения схемы, указаны только пять пэр функциональных пластин), селектирующий электрод 12, баллон

13.

Политрон работает следующим обра3оМ. Катод 1 (косвенного накала) змиттирует электроны, ускоряемые -электростатическим полем ускоряющего электрода 2. Количество ускоряемых электронов ограничивается полем модулятора 3. В поле первого анода 4 ускоренные электроны формируются в пучок с нормальным. распределением электронов по сечению, Электроды второго анода 5 ограничивают взаимовлияние полей первого анода 4, корректирующих пластин 6, развертывающих пластин 7

Электростатическое поле корректирующих пластин 6 обеспечивает отклонение электронного пучка в направлении оси У., поле развертывающих пластин 7 —.в направлении оси Х. Электронный пучок попадает на первую 8 и вторую 9 коллекторные пластины, инжекция электронов в которые задает (формирует) ток во внешних цепях пластин

Количество электронов пучка, попадающих на коллекторные пластины 8 и 9, определяется формой пучка и его отклонением по оси

Y. Отклонение по оси У определяется также потенциалами пары функциональных пластин 10 и 11, между которыми находится пучок . Отклонение пучка в поле действия какай-либо пары функциональных пластин задается разностью потенциалов разверты-вающих пластин 7; Электроны рассеиваемые вне коллекторных пластин 8 и 9 и функциональных пластин 10 и 11 инжектируются в аквадаг. При увеличении разности потенциалов развертывающих пластин 7 возникает режим скользящего рассеяния электронного пучка на поверхности одной из развертывающих пластин 7, B результате рассеяния в пространстве между развертывающими пластинами 7 выбиваются вторичные электроны., которые полем селектирующего электрода 12 направляются в сторону функциональных пластин 10 и 11 и коллекторных пластин 8 и 9. Задавая положительный потенциал селектирующему электроду 12, можно все вторичные электроды либо их часть направить на коллекторные пластины 8 и 9, функциональные пластины 10 и 11. В результате подбора потенциалов на селектирующем электроде

12 и функциональных пластинах 10 и 11 можно. из потока электронов выделить электроны с определенным энергетическим спектром.

По сравнению с прототипом предлагаемая электронно-лучевая лампа — политрон обеспечивает более чем вдвое возросшую чувствительность к микроструктуре сигнала, за счет селекции вторичных электронов по энергии в вакуумном пространстве, что влечет ээ собой улучшение избирательности устройств распознавания сигналов, выполненных на базе политрона, а также снижает вероятность ошибок при распознавании сигналов за счет одновременной де1772839

) Составитель Е. Гладков

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Т. Вашкович

Редактор

Заказ 3848 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 модуляции спектральных и микроструктурных характеристик сигнала, Формула изобретения

Электронно-лучевая лампа — политрон, содержащая последовательно расположенные по ходу электронного пучка катод, модулятор,. ускоряющий электрод, первый анод и второй анод, формирующие электронный пучок, корректирующие пластины, развертывающие пластины, функциональные пластины, коллекторные пластины, размещенные внутри вакуумного баллона, поверхность которого внутри покрыта акладагом, соединенным с вторым анодом. о т л ич а ю щ а я с я тем., что. с целью повышения

5 чувствительности устройства к микроструктуре сигнала, дополнительно введен селектирующий электрод в пространстве между развертывающими пластинами и функциональными пластинами, выполненной в фор10 ме рамки, клемма которой выведена на поверхность баллона.