Способ изготовления мощных биполярных транзисторов
ССьН Э С! ВЕТСI I!
СС LII.!1»П!.» Tl, I It i I I» р еспу Б 411 ь
)785581 АЗ ьэььэ Н О1 (-1!331
ГОсул4РстБеннОе ппте!4тнОе
ВЕ.ЦО! !I!CTRO СССР !
ГО! 13ATEHT ССР) 1" 4 й
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ПАТЕНТУ ч к
Ql ((Д
Q3 (21) )819П64/2Б (2") 3Г) 91,9П (. )61"-П 1-" 9- Бюп»- (8 (711 33Bод "1.1ch ра" (72) н Д Г)ев IH I I Н ft4 Г,энд11на (73) Завод "Ись ра" (5tI) Бпи ер Д Фььэиь,а бипопчрны и попевы: транэисторпв Пер и англ /Под ред (,I Б Гре: ова — П. Эн .роатомиэдат. 1"1енингр отд 1986
:I3ttBh3 Японии 1 I.: 61 25266:э гп Н 01 L 29(72, 1986 (5 4) С П О С С! Б И 3 ГОТ О Б .П Е Н I!Ч IVI г:! Щ Н Ы ;
Б И П С! Л Ч Р Н Ы Т Р А К 3111 ÒI t Ð f t I3 (57) (1сп1эпьэование в те.нологи1111:эготавпенич палупроводниьовы пр1,!боров. в частL1э0бретень1е Отнас ITc,tt ь те r I413ftf3I t fhv иэготавпенич lloll уп(эоводниьовы ° п(э 160 рОВ, в 1астнасти ь те н1эл<эги11 иэГОтпвпен(1ч мошны ° биполчрны тран 1.IETÎpoB
11эвесте11способ повышенич пробивного напрп1:ен11ч ьоппеьтор Iol0 р-и-пере ода би по г ч рны, тра 1311! To p!OB, A I отаром па п ериг1етр 63 131301 области 41fôôIfýè÷ пр11г1еси прОBодитсч íэ 60 IьLLIуьа чPI I в остаftbf!oé чаг п1 баэы гпубинь, (o:ранное нопьцо(НедocTaòf ом этого спо:аба чвпчетсB не06-0411г»ость рэ:эдегьлного проведенич диффуэ11и приг1еси E периферийную и остэльн, ю часть 631LI что повышает Tpудоer ОГть и Гатовпе141чч трэн э IcTopa
Н31.1бопее бпи 3111fl те Hlf÷Fñü hlt ь решеítvcf I ь гьэогретен1.11о чвпчетсч гfln!:05 talc!товл< н1чч ппп f Ilp0E104HI1ь nF!nl э llpl 160pa в соответ -TEI1и с I ÎTopbll I на под 10 I. I е с и ности El те н эп1эгь111 иэготовленич мощны бь1попчрны = пр1.!боров ущность иэобретеHl1ч дп1 повышени1ч гран!.1чнога льапря ь;енич транэистора формиру1от на г1пньэь риоталп.! есь ой ° ре11Н11 вай пп ll..ти1не сгр!/1.т ipji и-n -tuna нанОГчт плен! у oli.,с11ДЭ ь Р гн1нич, ьоРмиР 10Т ol- на, соответствующь1е баэовои области транэистора, путегь фотопььтографии по оьсиду
I. ре1111гл, правадчт допоплитепьн ю фьэтопь!Тагрэф11ю после чего t:-отопное TpaBI
Н.,1е h р 1,1ни ч и 131361эээчт топ ь!0 по lп э pl ll . 1етру баэоеои обпас ill трэн:!1!стара Затем форI t Ip)!Ог баэовую абпасTb и другие lпементы тран исторной f.òpi t туры IP I ьп споег! пг1 -.Hl ой диоьclt43 I ремн11÷ путег1
Иэа1РОПÍОГО тРЭEllÅHÈ× фОРP IIIÐ/×!T EUICI"Ih ), в 1-0TOpohf путем ди Iô эии иэготавливаетсч баэовач область транэь1стора после чего 1,1э6есгны!" способа-1 фор1111р1ьстсч -II 111ттер и эпе! Тродн транэ11сторэ
Неасста О, — этого спогобэ чвпчетсч сни1ение граничного н пр 1енич транэистора Ээ счст уг11 н1-шеньiч голш1ны и-споч пад аьт1.!614016 (Ha 04чше11сч па4 эм11ттераг11 ч ЭСТЬЮ 63 Эы, ItllaTOI1! !=C!111 Н (.ь HÎ со раНГ1ть 6Еlll,lLII IH / ГР ЭНI I×I10ГO lanPl l ЕНIIЧ HEо6-од! п10, в:— :1ич11вать топш! IH и слоч пут!1
Bblp3LUIIl:11-ич 6!lflEE т 3!il.того и-спсч на ис04ной пластине .4Tn TpF=I- ет !3000!tHI.ITeftbны ° Эатрат и Э те pl!a IC16 I l C HII h аг т про!! водитель loc ь те нолопl -IB! ог0 оборудаванич
1785581
» «90ДииДОВОНУР
i П7С4У
ЯЗОПЧООО7ПОгдащ w) 1/л7Рь7щОР
ОН/С/Ч7
Р ОГа5ОлмсР гцО4 3Лящ2 Щ Ф Ч/Р
Цепью иэобретенич чвпчетсч повышенгп гран! 1чного напрч н,енич транзистора
Постэвпеннач цегь достнгаетсч тем, что в способе, вн пючапэщем формированне на
m«!4!31 рнстаппи lech GLI ппастине струl:òóðû и-II -тгЧпа, нанесение ппенни ОнсиДа н:Рен1ннп, ф!эр! пЧрованне Он.на, соответствующеr0 базовой области транзистора, путем ф!этоп11тографи1.1 по oнсиду hðeìH11I«и иэотропнога травпенич I.ремннч, формировани» !э«313вог1 обпасти тран«11стора nyTer1 диффузии ан цептарной примеси, формировании. транзисторной струн туры, формнрован11е Ol на, соответствующего ба«овал обпасти транэ IcTGpB, проводFIT дополнитепь! I ю фатопнтаграфию, а 113îòpîïí!3å
TpBBIIeHI, I ремнич проводчт Toribh:o по nepl*ll1е гру базовой аб пасти тран:3! !стара.
8а счет «того co рвнчетсч попностью п ñïoé на эан!1маемой эмиттером п.пощади транзисторно!! струн. туры, чем устранчетсч повышение напрчч енностн «пентричесг ого попч в области пространственного эарчда (! 1П 3) I Oïïå:òOðíoãî р — и-пере ода, L1 поэтогчу повышаетсч граничное напрч!н:ение транзистора, т I: прн бопьшем напрч.н. .е!4ли прочвпчетсч yI114он ение носнтепей эарчда B
11ПЗ н оппег-т!эрнОго p — n-пере ада, yliyL«usaютсп успов!чч дпп выпопненич фогопитографии прн формировании эмиттера, I :l3ÍTÇh,TÍÛ ч, ОН:.ОН И Н GHTBh TOB
П р и г! е р При иэготовпенни мощного б11попчрного транзистора на ис .Одной ппастнне, наприг leð h рен1ниеаой «пнтансиапьной 1-,тру!туре n — и -типа путем нанесеннч
I !эвестнымн способами, напрнгчер терг ll,l÷åc h 1÷ r 1 О г1ч и е н11 е г 1, ф О р г. ч! р у ет с ч I Час н 111 р у юш!.ILI спал дно!:cl.lpB н ремннч, необ одиггый цпч проведенич пан апьнои д! 1ффуэ!чн аг цепторно11 пр!1гЧесн (н зпр!Чг гер бор) с ol ног I на
I .. Iåñòe будушега расnclïo+енич баз138!311 обпасп1 Затем no nepLII".I тру cll-на г.1етодом фотапитогрзфин и нэотропногQ травпеннч B травнтепе,состочщ м н« I части 45;,,,-ной фтористоводородной ннспоты 11 )О част и
5 7О, -ной азотной !.1п-.паты,форг111рyeòcч гананн а, гп !!бина к!3торо11 сравн!1ма с гпубина!ч эапеганнч будущега р-и-пере ода Далее методом фатопнтографин и днффуэ Ill формируетсч транз1! сторнач струнтура
10 С ема 11эготовпенич гчощнаго бнпопчрного трэн«11стара пред! Тгвпена на фнг,)—
18.
Те ннго-знOHor п1чес1-ач «ффентнвносTb нэобретеннч «а1;пючаетсч в снижении тру15 доег1гостн и рас ада матерлапов Ll нснопьэованин бспее дешевы (с бопее тонннм
П-СПО! ГЧ) ЭПНТаl- си ЭЛ!.Н1! СТруН ТЧ!р ПО СраВне14ипэ с протот 10011 при повышении рабочего напрч;1;еннч транзистора
Форгчупа нзобретеннч
Способ иэготовпен1нч мощны бнпопчрны»: транэ IcTopQB, Ell ппэчающий формнро25 EIBHIIB н 3 г !Оногрйстапп!!чесной н регчн левой ппэстине струнтуры и — п-типа, нанесение
ППЕН I LI ОН С11ДЗ Г РЕМН11Ч, QGPP II It«OBÇÍÈII OYн а, Ic о От в етс т в у 0 LLL e T o )3 B 3 0 B 0 I. I о б и а ст и тран нстсра, путем фотопнтографнн по ан
ЗО с!1ду нрегЧнич и нэатропнпга травпенлч
h ре!"IHI11, форгчнрование баз!эыэ!1 обпасти транзистора п,1теl1 pl I ): фу«ни,«н цепторной примеси, форг1нроп энне транзисторно!1
cTp !и Tgph=I, О т ll и ч а ю щ 1.111 с ч те!11, чта, .
35 цепtп повышенич гран11чн эго напрч+ен!чч тран нстора прн форгчнронэн1п101 на сооТ ветствyhoùeãо баэоBGI«1 обпзст11 трэн« lcTG р а, и р о в а д ч т д о и о и н11т е и ь н нэ фатапитографию, а нэотроп14ое Tp,«Bïeíl le )О hремнич проводчт топы о по пер1пЧетр! базовой обпасти
О/77Ы7 Z
178558 I
5 д 7/7Г6 ЫЕ
ЩС/T Л С,77 7 йО
1, Ф р т 7ОИНИЕ
А?л"! (A Д
P7@395 ) ЯОРО ПИЯ0 ГЩЗ «Я "ОЖНО пс6 3 Язлпп1Ц))
СОД " У ЗО50нцР аз РТП 7РДП (0И 7 Щ ЗЫУ)
ЙО,, g ОслЕ НАР
Ш0, 9 фОЩЩЗЕЗУСП, фуудуЯдуи (РЯСКИ (РО
p(g y>«/770РйУ
g7gz /О трдЯдР УР
D,aÃÜ ÑÐ 7
ЧдБЛЕИИР Д,gÙОДР.ИСУПО О
Вит,хвате кр go(agp gPiG 97g827ЯЮЯ )
Р, Q
П,9О,)77Й ъ +PP ДЙЙ7ГЖУс
ЩйУ ", ЦР
*«ф
17855Р1
Составитель АЛенин
Те ред М..Моргвнтвп
t орре тор П Гереши
Редв тпр А Еер пви рппгтвенно-и: длтепьс ий о 1бинзт Пвг-нт г !+город л Гагарина 101
Заг.эз 4379 Т,ipse+: Подписное
PHt. И1П!! Госудврственного ют багет по изобретенипi и от ритичм при П НТ СССР
113035 Мои.:ва . г- .15 Рв, шсгвч нала 1 5
