Способ определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов
Использование: стекольная промышленность . Сущность изобретения: снимают профилЬграмму плоских образцов со свободно остывшей или полированной поверхностью . Температуру максимумов числа центров кристаллизации определяют по температуре термообработки образца, при которой образуется максимальное количество пиков на единицу длины профилограммы. Температуру максимума линейной скорости кристаллизации определяют по температуре термообработки образца, соответствующей максимальной интегральной шероховатости. 4 табл. ч-- Ё
(l9) (!I) СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 4886274/33 (22) 29.11.90 . (46) 30,01.93. Бюл, М4 (71) Производственное объединение "Автостекло" (72).В.Н. Дубовик, Л.Г. Ивченко, О.А, Непомнящий и А.М. Райхель (56) Павлушкин Н.М. Основы технологии металлов. М.: Стройиздат, 1970, с. 352. Па влушкин Н,М. и др, Практикум по технологий стекла и. металлов. M.: Стройиздат; 1970, с. 336 351. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУР МАКСИМУМОВ ЧИСЛА ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И ЛИНЕЙНОЙ СКОРОСТИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ i 1 Изобретение относится к стекольной промышленности, в частности к способам определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в режиме кристаллизации ситаллов. Известен способ определения максиму. мов числа центрбв кристаллизации и линейной скорости кристаллизации ситаллов (градиентный, вискозиметрический, дилатометрический, рентгеновский), с помощью которых изучают образцы, термообработанные по модельному режиму, который предполагает их нагрев и быстрое охлаждение, Основным недостатком известного способа является сложность в реализации и - относительно высокая трудоемкость. Наиболее близким к заявляемому является способ определения температур максимумов центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в ре2 (57) Использование: стекольная промышленность. Сущность изобретения: снимают профилограмму плоских образцов со свободно остывшей или полированной поверхностью. Температуру максимумов числа центров кристаллизации определяют по температуре термообработки образца, при которой образуется максимальное количество пиков на единицу длины профилограммы. Температуру максимума линейной скорости кристаллизации определяют по температуре термообработки образца, соответствующей максимальной интегральной шероховатости. 4 табл. жиме кристаллизации стекла, включающий изготовление образцов стекла, термообработку их и определение состоянйя поверхности. Основным недостатком такого способа является относительно высокая трудоемкость, связанная с изготовлением платиноугольных реплик и фотографий микроструктуры ситаллов, а также определением линейных размеров и поверхностной плотности большого количества кристаллов. Целью изобретения является упрощение определения. Достигается это тем, что в способе определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов в режиме кристаллизациии стекла, включаЮщем изготовление образцов стекла, термообработку их и определение состояния поверхности, поверх1791777 1 ность образцов после термообработки про- филируют, определяют максимальную линейну1д плотноСть пиков и максимальную интегральную шероховатость, находят соответствующие им температуры термообра- 5 ботки, а за температуру Максимума числа центров кристаллизации и линейной скоро-. сти роста кристаллов йринимают температуру, соот :в е т с .твующую максимальной линейной плотности пиков и максимальной 10 интегральной шероховатости . Способ осуществляют следующим "образом. Производят определение температур максимумов числа центров кристаллиза- 15 ции и линейной скорости кристаллов следу|ощйх ситаллов: АС-380 (система исходного стекла Mg0-MnO-AlzOa-SiOzЪ0р), AC-418 (020-Alz03-SIO2-Ti02), и AC023 (Ы20-КрО-А!20з-gi02). Определение 20 указанных парайетров осуществляют путем профйлировэния поверхности и с памощью злеkтфoííой "микроскопии . Образцы вырезают" из nîëèровэнных плит иск одно гб стейла и на.гр евают до темпе ра- 25 тур (йо 5 образцов: на каждую 1емперату- . ру), ук.э з анных в табл, 1 — 3, в пе чи с сйлйтоаь(ми" Йэгревэтелямй. при каждой. последу1ощей темпер" туре образцы выни- мают l13 ïá÷w и"охлаж,ают на воздухе, по- 30 сле чего "производят профилирование полированной поверхностй с помощью и рофилографа-йрофилометрэ модели 201, - — включающее запись профилограмм и из- мерение йнтегральной шероховатости. 35 Профилограммы записывают при вертикальном увеличении 2г 0000 и горизонтальном — 4000 крат и on еделяют количество пиков на единицу длины профилограммы (по 3 участка Йэ каждом "образце). После 40 про Рилирования образцы иссле,1уют методом j/rolibHo -и латиновой реплик э ции, Предварительное травление исследуемой поверхн6сти осуществляют в 2, -ном растворе HF в течение 1 — 2 с. Полученные ре- 45 плики фотографируют (по 3 участка на каждом образце) и на фотографиях опреде-. ляют поверхностную плотность и линейные размеры кристаллов. Результаты сравни тельного изучения поверхности образцов 50 методом профилирования и с и "пользованием электронной микроскопии представ-, лены в табл. 1 — 3. Как видно из табл. 1-3, увеличение температуры термообработки приводит к росту линейной плотности пиков и интегральной шероховатости. Этому соответствует увеличение поверхностной плотности и лйнейных размеров кристаллов для всех изучаемых ситаллов. Причем температуры образцов, начиная с которых профилограммы имеют максимальную линейную плотность пиков, а фотографии — максимальную поверхйостную плотность кристаллов, а также температуры, при которых наблюдаются максимальная интегральная шероховатость и максимальные линейные размеры крйсталлов, для каждого ситалла совпадают и представлены в табл. 4. Это подтверждает корректность заявляемого способа, являющегося более простым в реализации, чем известный способ, Необходимо ОтмЕтить, что испОльэованиЕ СтЕкЛЯНных образцов со свободно остывшей поверхностью приводит к таким же результатам, как и-полированных образцов. Как видно из табл. 1 — 3, рри максимальных температурах термообработки происходит уменьшение линейной плотности пиков на профилограммэх и поверхностной плотности кристаллов, что, по-видимому, связано со слиянием более мелких кристаллов в более крупные, .Ф;ормула изобретения Способ определения температур максимумов числа центров кристаллизации и линейной скорости роста кристаллов s режиме кристаллизации стекла, включающий изготовление образцов стекла, термообработку их и определение состояния поверхности, о т л и ч э ю шийся тем, что, . с целью упрощения определения, поверхность образцов после термообработкй профилируют, определяют максимальную плотность пиков и максимальную интегральную LUBpoxoBBTocTb, находят соответствующйе им температуры термообработки, а за температуру максимума числа центров кристаллйзации и линейной скорости роста кристаллов принимают температуру. соответствующую .максимальной линейной плотности пиков и максимальной интегральной шероховатости. 1791777 Таблица 1 Ситалл АС вЂ” 380 е пове хности Элект онная мик оскопия Линейные размеры кристаллов, мкм Поверхностная плотность кристаллов, 101О м 2 Интегральная шероховатость Ra, мкм.Температура, Линейная о С плотность пи ков,10 м ММ пп Таблица 2 Ситалл АС вЂ” 418 Элект онная мик оскопия П о или рвание поае хности Поверхностная плотность кристаллов, 1010 -2 Температура, Линейная Интегральная о С плотность пи- шероховаков. 10 м 1 тость R; мкм Линейные размеры кристаллов, мкм ЬНФ пп 3 5 7 1 7 g 11 12 13 14 16 17 18 19 1200 950.6 8 30 40 228 212 200 .. 205 О О 600 0,01 0,01 0,02 0,03 0,03 0,03 0.03 0,03 0,04 0,07 0,12 0,12 0,12 0,1 1 - 0,12 0,16 0,28 0,30 0,31 0,35 0,30 О - О 0,003 0,003 0,004 0,003 0,004 0 004 0,005 0,005 0,005 3 6 8 16 24 23 23 17 16 15, 25 27 26 57 62 .64 68 97 105 0,1 0,15 0,3 0,3 0.3 0.3 0,3 0.3 0,4 0,6 0,7 0,7 0,9 0,9: 1,0 1,3 1,5 .. 1,5 1,8 2.2 2,0 0,02 0,02 0,03 0,04 0,05 0,04 0,07 0,09 0.08 0,08 0,10 1791777 Продолжение таблицы 2 1 абл и ца 3 Ситалл AC — 023 fl o или вание riose хности Элект онная мик оскопия Линейные размеры кристаллов, мкм Поверхностная плотность KPMCTßËË0Â, 10 " м Температура, ос Интегральная шерохова fOClb Rg, мкм Линейная плотность пи ков, 10 м 3 9 10:.: 11 13 -.,14 16,; 17,",.:".: 525 .550 7.50 825: 850 О 100 390: . 400 400:: 300 О 0,003 0,002 " 0,002 0,002 О;003 0;004 : 0005 0,.007 0,009 0,012 0,016 0,020 0,020 0,021 0,0.1 6 0,015 О, 30 62 66 72 68 5 66 67 64 62, 60 61 0,04 0,07 0,10 0,12 0,180,17 0,26 0,25 0,42 0,58 0,64 0,66 0,95 1,07 1,20 1,05 0,96 1791777 Таблица 4 Корректор Н;Ревская Составитель М.Слинько Уехред М.Моргентал Редактор Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Заказ 150,-: Тирэж . Подписное : ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР . 113035, москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5
