Полупроводниковый термопарный датчик
О П И С А Н И Е I87847
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 31.XI1.1964 (№ 936008 26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 20.Х.1966, Бюллетень № 21
Дата опубликования описания 9.XiI.1966
Кл. 21а, 71
МПК G Olr
УДК 621.317.789.083. .8 (088.8) Комитет по делам изобретвниЯ и открытиЯ при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения ий L „Ñ()
П,„;
А. А. Васильев и Б. Г. Рождественс
Заявитель
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕРМОПАРНЫЙ ДАТЧИК
Предмет изобретения
Известны в технике измерения сверхвысокочастотного поля полупроводниковые термопарные датчики, термоэлементы которых выполнены в виде полуцилиндров из различных сплавов.
В предлагаемом полупроводниковом термопарном датчике, в отличие от известных, термоэлемент представляет собой цилиндр из тройного сплава (например, BiSeTe), припаянный к концу цилиндрического латунного удлинителя с осевым отверстием.
На чертеже схематически изображен полупроводниковый термопарный датчик.
Термоэлемент 1 из полупроводникового сплава (например, BiSeTe) имеет цилиндрическую форму и прикреплен к концу цилиндрического латунного удлинителя 2 с осевым отверстием. Удлинитель помещен в анодированную алюминиевую втулку 8. Через осевое отверстие удлинителя 2 проходит медный провод 4, припаянный к центру торца полупроводникового цилиндра 1. Для увеличения поглощения мощности СВЧ-поля торец цилиндра 1 покрыт поглощающей массой 5 из карбонильного железа и лака.
10 Полупроводниковый термопарный датчик для измерителей проходящей мощности сверхвысокочастотного поля, содержащий термоэлемент из тройного сплава (например, BiSeTe), отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения погрешности измерения, упомянутый термоэлемент выполнен в виде цилиндра, прикрепленного к концу цилиндрического латунного удлинителя с осевым отверстием.
187847
Составитель Х. Нгуен
Редактор И. С. Грузова Техред T. П. Курилко Корректоры: T. Н. Костикова и С. Н. Соколова
Заказ 3736/3 Тираж 1175 Формат бум. 60)(90 /з Объем 0,13 изд. л. Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова 2
