Способ преобразования амплитудного изображения в фазовое

 

Изобретение относится к фотографии и может быть использовано в системах копирования оптической информации. Сущность: способ преобразования амплитудного изображения в фазовое заключается в формировании промежуточной амплитудной голограммы на галогенидосеребряный фотослой, затем на амплитудную голограмму последовательно наносят елои диэлектрической и бихромированной желатины, экспонируют со стороны подложки излучением галогеновой лампы и проявляют в водном или слабощелочном растворе, удалял незадубленную желатину. 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК. Й2 „ 1804640 АЗ (51)5 G 03 Н 1/18 1/20

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ а. .,„,,",- " ее

К ПАТЕНТУ

ling

С) ф»

О фм С) (21) 4837236/25 (22) 08,06,90 (46) 23,03,93, Бюл. ¹ 11 (71) Н ауч но-исследова тел ьский институт электронных материалов (72) А.Т,Корнаев и О.С.Сотникова (73) Научно-исследовательский институт электронных материалов (56) Кольер Р. и др, Оптическая голография. — М.; Мир, 1973, с.324 — 328.

Какичашвили Т.Д., Ахобадзе Р.Н, Фазовые копии голограмм на светочувствительных веществах с изменяющейся растворимостью, Оптико-механическая промышленность, 1970, N. 9. с.57 — 50, Изобретение относится к голографии и может быть использовано в системах копирования оптической информации.

Цель изобретения — упрощение способа и повышение качества изображения за счет воспроизведения высоких пространственных частот при введении слоев, на которых происходит формирование голограмм в контакт.

Способ реализуется следующим образом.

На амплитудную голограмму последовательно наносят слои диэлектрической и бихромированной желатины, экспонируют со стороны подложки излучением галогеновой лампы и проявляют в водном или слабощелочном растворе при температуре 50"

С. удаляя незадубленную желатину, Диэлектрический слой, BblfloflHGHH»tA на основе со(54) СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ АМПЛИТУДНОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ФАЗОВОЕ (57) Изобретение относится к фотографии и может быть использовано в системах копирования оптической информации. Сущность: способ преобразования амплитудного изображения в фазовое заключается в формировании промежуточной амплитудной голограммы на галогенидосеребряный фотослой, затем на амплитудную голограмму последовательно наносят слои диэлектрической и бихромированной желатины, экспонируют со стороны подложки излучением галогеновой лампы и проявляют в водном или слабощелочном растворе, удаляя незадубленную желатину. 4 ил. полимера метакриловой кислоты, исключает проникновение бихроиата аммония из нанесенного слоя в голограмму, тем самым, сохраняя амплитудное изображение голограммы, и препятствует разбуханию фотоэмульсионного слоя первичной голограммы в процессе проявления рельефно-фазовой голограммы.

После преобразования голограмма, сформированная как пространственная модуляция толщины желатинового слоя, характеризуется высокой дифракционной эффективностью (20"; ) и позволяет осуществлять копирование оптической информации высокопроизводительным методом горячего тиснения, На фиг.1 показана зависимость толщины диэлектрического слоя от концен1рации сополимера метакриловой кислоты; на фиг.

1804640

2 — зависимость толщины рельефообразующего слоя от концентрации желатины; на фиг.3 — зависимость дифракционной эффективности от времени экспонирования; на фиг.4 — зависимость дифракционной эффективности от температуры проявления.

По обычной голографической схеме с использованием гелий-неонового лазера (ЛГН вЂ” 215) на фотопластинке типа ВРЛ записывалась голограмма, Проявление первичной голограммы осуществляли ста нда ртны м и роя вителем Д-19. После сушки (температура в помещении составляла 23 2 С) на фотоэмульсионный слой голограммы последовательно наносились методом окунания слои на основе сополимера метакриловой кислоты (ТУ 6-01-107076), при этом концентрация сополимера метакрилбвой кислоты составляла ЗД, что соответствовало (фиг.1) толщине слоя, равной 0,3 — 0,4мкм и бихромированной желатины (концентрация желатины составляла 200 г/л, а концентрация сенсибилизирующей добавки 16 г/л). Толщина слоя бихромированной желатины, согласно зависимости, представленной на фиг,2, составляла 2 мкм.

Образец амплитудной голограммы с нанесенными слоями экспонировали излучением галогеновой лампы типа КГМ (150 Вт, 24 В) в течение 5 минут. Время экспонирования определяли по зависимости дифракционной эффективности от времени экспонирования (фиг,З). После экспонирования проводили операцию проявления в воде или слабощелочном растворе (например, 0,1 K0H). По экспериментальным данным (фиг.4) наилучшей температурой проявления является 50 С, После удаления незадубленной желатины и сушки образца получали рельефно-фазовую голограмму, дифракционная эффективность которой составляет 20%.

Глубина модуляции толщины слоя желатины 0,2 мкм, что позволяет осуществлять

10 копирование методом тиснения.

Формула изобретения

Способ преобразования амплитудного иэображения в фазовое, заключающийся в экспонировании первого фотоэмульсионно"5 ro слоя, нанесенного на подложку, проявлении его, в результате чего получают амплитудную голограмму, преобразовании его в фазовую голограмму повторным экспонированием амплитудной голограммы на второй светочувствительный слой и в обработке фазовой голограммы, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что, с целью упрощения способа и повышения качества изображения за счет воспроизведения высоких пространствен25 ных частот; на амплитудную голограмму до повторного экспонирования наносят последовательно диэлектрический слой и второй светочувствительный слой, в качестве которого используют слой бихромированной же30 латины; повторное экспонирование . осуществляют со стороны подложки излучением галогенной лампы, после чего проявляют фазовую голограмму в водном или слабощелочном растворе прй 50 С и удаля35 ют незадубленную желатину.

Од

0b

02

>804640

400 Яд о/

1804640

ТоЕ

ГО 40 60

Фиг.Ф

Составитель Е.Халатова

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Л.Пилипенко

Редактор О,Стенина

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 1079 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35, Раушская.наб., 4/5